ショットキーバリアダイオード RB160L-40 Diode

RB160L-40
Diode
ショットキーバリアダイオード
RB160L-40
●用途
一般整流用
●外形寸法図(Unit : mm)
●ランド寸法図(Unit : mm)
2.0
①
②
4.2
0.1±0.02
0.1
5.0±0.3
4
1.2±0.3
3
4.5±0.2
●特長
1)小型パワーモールドタイプである。(PMDS)
2)低IRタイプ
3)高信頼性である。
2.0
2.6±0.2
PMDS
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
2.0±0.2
1.5±0.2
●回路図
ROHM : PMDS
JEDEC : SOD-106
①
②
製造年月
●テーピング仕様(Unit : mm)
2.0±0.05
0.3
φ1.55±0.05
12±0.2
5.5±0.05
5.3±0.1
0.05
9.5±0.1
1.75±0.1
4.0±0.1
φ1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
●絶対最大定格(Ta=25℃)
Parameter
Limits
Symbol
40
VRM
尖頭逆方向電圧
40
VR
直流逆方向電圧
1
平均整流電流
Io
尖頭順サージ電流(60Hz・1cyc)
70
IFSM
150
接合部温度
Tj
-40~+150
保存温度範囲
Tstg
(*1)Tc=90℃max ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave
Unit
V
V
A
A
℃
℃
●電気的特性(Ta=25℃)
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
Symbol
VF
Min.
-
Typ.
-
Max.
0.55
Unit
V
IR1
-
-
10
µA
IR2
-
-
100
µA
Conditions
IF=1.0A
VR=6V
VR=40V
Rev.B
1/3
Diode
RB160L-40
100000
Ta=150℃
REVERSE CURRENT:IR(uA)
Ta=150℃
Ta=125℃
1000
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.01
Ta=75℃
100
10
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
0.1
200
400
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
0
600
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
500
490
480
470
REVERSE CURRENT:IR(uA)
AVE:489.6mV
460
0
Ta=25℃
VR=40V
n=30pcs
AVE:2.207uA
100
50
AVE:125.6A
RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns)
150
0
230
220
210
200
190
180
170
AVE:192.7pF
150
Ct DISPERSION MAP
200
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
15
10
5
AVE:8.667ns
Ifsm
150
8.3ms 8.3ms
1cyc
100
50
0
0
1
IFSM DISRESION MAP
t
200
150
100
50
0
1
10
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
100
ガラスエポキシ基板実装時
Rth(j-a)
100
Rth(j-c)
10
IM=10mA
IF=0.5A
1
1ms
1.5
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
Ifsm
100
2
1000
250
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
300
30
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
160
20
1cyc
8.3ms
10
15
20
25
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
240
IR DISPERSION MAP
200
5
250
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
VF DISPERSION MAP
Ifsm
10
40
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
510
10
20
30
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
0
100
1
0.01
0.001
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
f=1MHz
10000
Ta=125℃
FORWARD CURRENT:IF(A)
1000
Ta=75℃
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
1
0.1
DC
1
0.5
time
300us
0.1
0.01
D=1/2
Sin(θ=180)
1
10
100
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
0
1000
0
0.5
1
1.5
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
Rev.B
2
2/3
Diode
RB160L-40
1
D=1/2
DC
0.4
0.2
0A
0V
2.5
DC
2
VR
t
D=1/2
T
D=t/T
VR=20V
Tj=150
1.5
1
0.5
Sin(θ=180)
Io
0A
0V
Io
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
0.6
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
0.8
REVERSE POWER
DISSIPATION:PR (W)
3
3
2.5
DC
2
t
D=1/2
T
VR
D=t/T
VR=20V
Tj=150
1.5
1
0.5
Sin(θ=180)
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
40
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-P R CHARACTERISTICS
0
0
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curve゙(Io-Ta)
150
0
25
50
75
100
125
150
CASE TEMPARATURE:0T(℃)
Derating Curve゙(Io-Tc)
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
30
30kVで破壊せず
25
20
15
10
5
AVE:8.70kV
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
Rev.B
3/3
Appendix
ご 注 意
● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書
を必ずご請求の上、ご確認下さい。
● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動
作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考
慮していただきますようお願いいたします。
● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示
すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に
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● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には
弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利
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● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電
製品、アミューズメント機器など)への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求
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航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など)へのご使用を検討される際は、事前
に弊社営業窓口までご相談願います。
●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1