Infineon IFS75B12N3E4 B31 IGBT Module Datenblatt

Das Datenblatt bietet detaillierte Informationen zum IFS75B12N3E4 B31 IGBT-Modul. Dieses Modul verfügt über einen Trench/Feldstopp-IGBT4, eine emittergesteuerte 4-Diode und einen Strommesswiderstand. Das Produkt eignet sich besonders für Anwendungen in Wechselrichtern und Invertern.

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IFS75B12N3E4 B31 IGBT-Modul Datenblatt | Manualzz

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Wichtige Funktionen

  • Trench/Feldstopp-IGBT4
  • Emittergesteuerte 4-Diode
  • Strommesswiderstand
  • Geeignet für Wechselrichter und Inverter
  • Vorläufige Daten

Häufig gestellte Fragen

Ein IGBT-Modul ist eine integrierte Schaltung, die einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) und eine Diode in einem einzigen Gehäuse integriert. Diese Module werden häufig in Wechselrichtern und anderen Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.

Das IFS75B12N3E4 B31 Modul verwendet einen Trench/Feldstopp-IGBT4.

Das Modul verfügt über eine emittergesteuerte 4-Diode.
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