TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
EconoPACK™2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
EconoPACK™2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
VorläufigeDaten/PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj = 150°C
TC = 25°C, Tvj = 150°C
IC nom
IC
25
40
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
50
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 150°C
Ptot
145
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
1,90
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,24
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
8,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,80
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,064
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V
RGon = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
2,50
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 36 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
2,90
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
RthCH
0,19
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
1
100
A
0,86 K/W
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
170
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
2,15
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
33,0
35,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
2,60
4,90
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
1,10
2,10
mJ
mJ
RthJC
RthCH
0,32
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
VF
V
V
1,50 K/W
K/W
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
t.b.d.
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
t.b.d.
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstreck
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
AI203
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
min.
typ.
RthCH
0,02
LsCE
19
nH
RCC'+EE'
2,50
mΩ
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Tvj max
150
°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Tvj op
-40
125
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
180
g
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
3
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
45
IC [A]
IC [A]
45
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
40
45
50
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=36Ω,RGoff=36Ω,VCE=600V
50
6,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
45
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
5,5
5,0
40
4,5
35
4,0
3,5
E [mJ]
IC [A]
30
25
3,0
2,5
20
2,0
15
1,5
10
1,0
5
0
0,5
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
4
0
5
10
15
20
25 30
IC [A]
35
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
7,0
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
6,5
ZthJC : IGBT
6,0
5,5
5,0
4,5
ZthJC [K/W]
E [mJ]
4,0
3,5
3,0
0,1
2,5
2,0
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0978
0,3905 0,2198 0,1519
τi[s]:
0,002345 0,0282 0,1128 0,282
0,5
0,0
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,01
0,001
160
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=36Ω,Tvj=125°C
60
IC, Modul
IC, Chip
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
50
45
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
35
40
IF [A]
IC [A]
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
5
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=36Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=600V
3,5
2,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
3,0
2,0
2,5
1,5
E [mJ]
E [mJ]
2,0
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
0,0
50
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
10
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
1
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,152
0,985
0,283 0,0898
τi[s]:
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
6
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS25R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-02-27
approvedby:RS
revision:2.1
8
">
