第一回 - JASMA 日本マイクログラビティ応用学会

第一回 - JASMA 日本マイクログラビティ応用学会

Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013 (64–73)

IIIIII 技術解説講座 IIIIII

航空機実験用加速度スイッチの作り方(第一回)

初心者のためのマイコン電子工作講座

夏井坂 誠

How to Make an Acceleration Switch for Parabolic Flight Experiments (No. 1)

A lecture for a Beginner to Make a Microcomputer-Controlled, Electronic Device

Makoto NATSUISAKA

Abstract

The lecture introduces how to make a microcomputer-controlled, electronic device for a beginner. A series of lectures provides not only how to measure a physical property with an electronic sensor, convert it to a digit (analog digital conversion), switch on and off an electronic circuit with FET (Field Effect Transistor), and control those with a microcomputer but also practical know-how to design an actual electronic circuit, choose appropriate electronic parts, and mount those to a PCB (printed-circuit board), with explaining how to make “an acceleration switch”. The switch can automatically turn on and off a connected device according to an acceleration level measured with an acceleration sensor and contribute to parabolic flight experiments through size reduction of an apparatus, less operation, and precise control of the experiments.

Keyword(s): acceleration, microcomputer, sensor, FET, parabolic flight

1. 事の起こり

それはある日のことでした.同じフロアで働く,日本

マイクログラビティ応用学会(以下「

JASMA」)誌編集

員の

A 先生が笑いながらやってきて,「今度,JASMA 誌

で,技術解説をはじめることにしたから,マイコン(マ

イクロコンピュータ)を使った電子工作の解説を書いて

よ.」と仰ったのです.自分はここ数年,航空機実験用に

加速度センサを使って,微小重力を検知すると,自動的

にシーケンスが走り出し,微小重力が終了するとシーケ

ンスが止まるような,自動運転装置を自作していて,ち

ょっとしたものであれば,作れないこともないのですが,

きちんとした電子回路や電子工作の教育を受けていない

ので(大学で電磁気学と

Fortran を使った数値計算を履

修したのと,子供のころにトランジスタラジオを作った

くらい)

自分:いやぁ~自分は専門家ではないですし,もっと適

当な方がいらっしゃるんではないですか?しょっちゅう

部品壊したりしてますから,とても人様に教えられるよ

うなレベルにありません.

A 先生:いや,だからいいんだよ.これから電子工作を

はじめようとしている人を対象に頼むよ.

自分:それは自分に恥をさらせということですか?

A 先生:うん,その通り.

確かに,電子工作に挑戦しようと思っているものの,

二の足を踏んでしまっている理由のひとつとして,教科

書に書いてある電子回路のいろは(例えばオームの法則

やキルヒホッフの法則)や電子部品の構造と原理をいく

ら勉強しても,実際に物を作ろうとすると,山とある部

品の中から何を選んだら良いのか,データシートやアプ

リケーションノートをどのように読み解いたら良いのか,

安全対策やノイズ対策はどうすれば良いのか等々,教科

書の知識と別に,「実装」(実際の回路にすること)のノ

ウハウが必要となる点にあるのではないでしょうか?幸

い,最近では,そういった実装に触れた教科書や,ネッ

ト上の解説等も多々ありますが,マイコンやセンサとい

った主要部品の説明に重きが置かれ,実装のいろはを事

細かに説明したものはあまり多くないかもしれません.

身の回りに手取り足取り教えてくれる先輩がいる電気・

電子工学科の方でもない限り,最初の一歩を踏み出せず

宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所

ISS 科学プロジェクト室 〒305-8505 茨城県つくば市千現 2-1-1

Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), ISS Science Project Office, Institute of Space and Astronautical Science (ISAS),

2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan

(E-mail: [email protected])

64

− 64 −

夏井坂 誠

にいるのではないでしょうか?自分も,そういった状況

の中,試行錯誤を繰り返して,ようやく一つの装置を組

めるようになった次第です.ですので,恥をさらすのは

忍びないのですが,失敗の経験も含めて,実装のノウハ

ウをお伝えすることが,これから電子工作に挑戦しよう

とする方の負担軽減になるのではと思い,お受けするこ

ととした次第です.

本解説としましては,これまで教科書で電子回路の勉

強をしたことはあるけれども,実際にものを作ったこと

がない,何から手をつけていいかわからないといった初

心者の方を対象としています.「お勉強」ではなくて,実

際に物を作っていただくことを想定していますので,本

学会において一番必要とされそうな,航空機実験で利用

可能な,加速度センサを用いたスイッチング装置(以後

「加速度スイッチ」と呼びます.)を作ろうと思います.

今回(第一回)は,加速度スイッチ製作に必要となる加

速度センサやスイッチング素子等構成部品の働きや使い

方を解説,ブレッドボードを用いた動作確認に挑戦して

いただこうと思っています.第二回では,マイコンの使

い方を解説したうえで,実際に加速度スイッチを製作し

ていただこうと思っています.加速度スイッチには,セ

ンサを利用した物理量(加速度)の計測,

A/D 変換(ア

ナログ

-デジタル変換),マイコン制御,スイッチングとい

った,電子制御に関する主要な技術が盛り込まれていま

すので,本装置の製作を一通り経験していただくことに

よって,様々な装置作りができるようになります.

2. 加速度スイッチの概要

2.1 加速度スイッチの構成と働き

加速度スイッチは,

Fig. 1 のようにスイッチングしたい

実験装置または回路を接続して使います.図中に示した

通り,加速度スイッチは,以下の部品から構成されます.

(1) 加速度センサ

(2) マイクロコンピュータ

(3) スイッチング素子

(4) 電源

加速度センサは,感知した加速度の値を電圧で出力し

ます.マイクロコンピュータは,この電圧を一定時間毎

A/D 変換し,これが閾値を超えたとき,または下回っ

たときに,スイッチング素子に制御信号を送り,対象装

置または回路の電源を

ON または OFF します.電源は,

航空機から供給される

AC100V または DC28V を,加速

度センサ,マイクロコンピュータの電源電圧

DC5V に変

換します.

自分は,航空機実験で光化学反応を調べているのです

が,微小重力時のみ,光化学反応に必要な

UV 光源を点

灯させる必要があったので,加速度スイッチに

UV 光源

を接続して実験を行っています.

Fig. 2 に装置の動作状況

Fig. 1 Components of an acceleration switch

を示しますが, z 方向の加速度 Gz が 0.25G(G は重力加

速度)を切ると,

UV 光源が点灯し,Gz が 0.25G を上回

ると

UV 光源が消灯するようなプログラムになっていま

す.図中

V_PD が UV 光を検出するフォトダイオード

Photodiode)の出力電圧(フォトダイオードの出力は

光電荷ですが電荷を電流として取り出し,電圧に変換し

ています)となりますが,

Gz が 0.1~0.2G を切ったあた

りで

UV が点灯(V_PD が 0→2.2V),Gz が 0.25G を回

復したあたりで消灯していることがわかると思います.

UV の点灯が Gz=0.25V ちょうどではなくて 0.2V を切

るまで遅れるのは,

UV 点灯回路の遅延特性のため.)ご

覧の通り,重力の変動に合わせて,きっちりスイッチン

グが行われており,貴重な微小重力時間を余すことなく

使えていることがわかると思います.実際に航空機に搭

乗してみるとわかるのですが,人間が重力の変化を正確

に感知することは思った以上に難しく,手動でスイッチ

ングを行おうとすると多分に任意性が入ってしまいます.

そこで,加速度スイッチを対象装置に組み合わせていた

だければ,より正確な実験を行うことが可能となります.

Fig. 2 Switching of a UV lamp with an acceleration switch.

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航空機実験用加速度スイッチの作り方(第一回)初心者のためのマイコン電子工作講座

2.2 加速度センサ

次に,各構成部品について概説します.(マイクロコン

ピュータは,次回説明します.)加速度センサは文字通り,

加速度の大きさに比例した電圧を出力してくれるセンサ

です.

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技

術のおかげで,最近は小型のものが作られるようになり,

携帯電話やパソコンに組み込まれるようになっています.

本講座で使用予定のサンハヤト(株)製

3 軸加速度セン

サモジュール

MM-2860 に組み込まれているフリースケ

ー ル ・ セ ミ コ ン ダ ク タ 社 製 の

3 軸 加 速 度 セ ン サ

MMA7260Q も,わずか 6mm x 6mm x 1.45mm の大き

さで,小さすぎて手ハンダが難しいので,モジュール化

された

MM-2860 を使用しています.本センサは 3 軸加

速度を計測可能なうえに,感度を基板上の

DIP スイッチ

で切り替え可能で,端子間隔がユニバーサル基板の穴間

2.54mm と一致しているので,非常に使いやすいセン

サです.

2.3 スイッチング素子

電子回路または電気回路の

ON/OFF を行うには,通常,

プッシュ,トグル,スライド,

DIP 等の機械式スイッチ

を使います.

Fig. 3-1 にスイッチング対象として,LED

の点灯回路を示します(抵抗の意味等は次章で説明).こ

れに機械式スイッチを組み合わせたものが

Fig. 3-2 にな

ります.手でスイッチを

ON/OFF することによって,

LED が点いたり,消えたりします.しかし,機械式スイ

ッチの

ON/OFF は人間が手で行わなければなりませんの

で,自動運転に適しません.そこで,自動運転を行うた

めには,電気的にコントロールできるスイッチが必要と

なります.

電気的に制御可能なスイッチとしては,リレー,トラ

ンジスタ,

FET(Field Effect Transistor)等があります.

リレーは電磁石を用いて機械式接点を開閉するもので,

信頼性が高い半面,スイッチング速度を早くできない,

ON/OFF 時に逆起電力やチャタリングを発生させ,電磁

ノイズを放射する等の欠点があります.トランジスタは

N 型半導体と P 型半導体を NPN または PNP のように接

合した素子です.後述の

FET と区別するために「バイポ

ーラ(ジャンクション)トランジスタ」と呼ばれること

があります.トランジスタには,エミッタ,コレクタ,

ベースという

3 本の足があるのですが,コレクタ-エミッ

タ間にスイッチングしたい回路を接続し,ベースに制御

電流を流すことによって,コレクタ

-エミッタ間に電流を

流すこと(スイッチング)ができるようになります.(ベ

ース電流で制御を行うので,「電流制御」と呼ばれます.)

Fig. 3-3 のように,Fig. 3-2 のスイッチをトランジスタ

Q1 で置き換えてスイッチングを行います.図中の C がコ

レクタ,

BASE がベース,E がエミッタを表しています.

実際は

BASE に駆動電流を流さなければなりませんので,

そのための電流駆動回路も必要となるのですが,概念を

Fig. 3-1 LED illumination circuit

Fig. 3-2 Switching circuit with a mechanical switch

Fig. 3-3 Switching circuit with a NPN transistor

Fig. 3-4 Switching circuit with a Nch

MOSFET

わかりやすく説明するために,あえて省略しています.

また,トランジスタ

Q1 の上に TRANSISTOR-NPN と書

いてありますが,これは

NPN 型のトランジスタを表して

います.

PNP 型を使った場合は負荷をエミッタ側に接続

することになります.ただし,通常は,電気的特性に優

れる(キャリア易動度が大きい)

NPN 型が使われますの

で,まずは,

Fig. 3-3 を基本として覚えて下さい.トラン

ジスタは,リレーに比べて高速のスイッチングが可能で

1990 年頃まで,広く使われてきましたが,温度安定性が

悪い,

OFF の時にも微小の制御電流を流しておかないと

いけないので待機電力が発生する等の欠点がありました.

1990 年代に入ると,FET の性能が向上し,バイポーラト

ランジスタに取って代わるようになりました.

FET

も,「

Field Effect Transistor」という名前が示す通り,

トランジスタの一種なのですが,バイポーラトランジス

タと区別するために

FET と呼ばれています.)FET は,

バイポーラトランジスタに比べて,高速のスイッチング

が可能,温度安定性に優れる,待機電力をトランジスタ

ほど必要としない等,より優れた特性を有するので,現

在では,バイポーラトランジスタに代わり,スイッチン

グ素子の主流を占めるようになっています.

Fig. 4 に示し

た通り,

FET も基本的には 3 本足(ソース,ドレイン,

ゲート)の部品で,

Fig. 3-4 のように,ドレイン(図中 D)

とソース(図中

S)間に対象回路を接続しておいて,ゲー

ト(図中

GATE)に制御電圧を印加することによって

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夏井坂 誠

Fig. 4 FET (IRLI540NPbF (International Rectifier),

TO-220 Full-Pak Package)

ON/OFF を行います.FET には構造に由来して MOS 型

(「

MOSFET」)と接合型(「JFET」)があります.接合

型はノイズが小さく,小さな信号を低ノイズで増幅した

いとき等に活躍しますが,通常ノーマリーオン型(また

は「デプリッション型」と呼ばれる)なので,ゲートに

電圧が印加されていない状態でドレイン

-ソース間が導通

していますので,通常のスイッチングには使用されませ

ん.ですので,本講座で取り上げる

FET は MOS 型を指

しているものと思って下さい.

Table 1 Features of switching devices

素子名

概要

長所

短所

・電磁石を用いて機械的に接点を開閉

・回路を完全に遮断できる(高信頼性)

・待機電力を必要としない

リレー

・高速のスイッチングが苦手

・機械式接点なので寿命が短い

・チャタリングを起し易い

・電磁ノイズを発生する

・ベースに流す電流でスイッチング

(電流制御)

トランジスタ

・高速のスイッチングが可能

・大きな電流を扱える

FET

・待機電力が発生する

・温度の影響を受けやすい

・ゲートに印加される電圧でスイッチング

(電圧制御)

・トランジスタより高速のスイッチング

が可能

・待機電力が小さい

・温度の影響を受けにくい

・トランジスタに比べて大きな電流を扱

うのが苦手

・静電気で破壊されやすい

2.4 電源

ダイアモンドエアサービスの航空機から供給される電

力は,

AC100V または DC28V ですので,これをマイク

ロコンピュータや加速度センサで使用する

DC5V に変換

するには,交流

-直流または直流-直流の電圧変換回路が必

要となります(

Table 2).電源は,制御対象の装置と制御

装置(今回は加速度スイッチ)各々に必要となりますが,

今回は制御対象装置は直流動作を想定,制御装置自身も

直流動作しますので,交流

-直流,直流-直流変換装置につ

いて説明します.交流

-直流変換装置には,安定化電源と

AC アダプタがあるのですが,安定化電源は可変出力が得

られるものの,比較的な大きなものとなってしまいます

ので,航空機実験等搭載スペースが限られる場合は,

AC アダプタを使用した方が良いでしょう.AC アダプタ

を選ぶ時は,正しい出力電圧のものを選ぶことが重要と

なりますが,最大出力電流にも目を向けるようにして下

さい.必ず,この値が装置が必要とする電流値を上回る

ものを選ぶようにして下さい.通常は,

2 倍とか 3 倍とか

余裕のあるものを選ぶようにします.余談となりますが,

電子部品を使用する際,このように余裕を持たせて使用

することを“ディレーティングを設ける”と言います.

ISS(国際宇宙ステーション)等,宇宙機の製造現場では,

設計標準や仕様書上に部品毎のディレーティング値が規

定されています.また,プラグ,ソケット形状にもいく

つか種類がありますので,適当なものを選ぶようにして

下さい.直流

-直流変換装置には,大きく分けて DC-DC

コンバータと三端子レギュレータ(「シリーズレギュレー

タ」と呼ばれることもある)があります.

DC-DC コンバ

ータ(「デコデコ」と略されることがある)は,直流を一

度,交流変換して,トランスで変圧,再度整流(交流を

直流にすること)して,目的の直流電圧に変換していま

す.使用条件にマッチするものが見つかれば,あとは接

続するだけなので,非常に便利です.また一般的に,三

端子レギュレータに比べて変換効率が高いので,電池駆

動等省電力が要求される場合,非常に有望な手段となり

ます.その一方,出力電流の大きなものは稀で,リップ

ル(出力電圧の変動)が大きい等の欠点があります.三

端子レギュレータは,リップルの少ないきれいな出力を

与えますが,余分な電圧(入力電圧

-出力電圧)をジュー

Table 2 Power converters

変換形式

交流-交流

交流-直流

直流-交流

直流-直流

変換装置

スライダック(出力電圧可変)

トランス(出力電圧固定)

安定化電源(出力電圧可変)

AC アダプタ(出力電圧固定)

インバータ

DC-DC コンバータ

三端子レギュレータ

POL

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航空機実験用加速度スイッチの作り方(第一回)初心者のためのマイコン電子工作講座

ル熱として削っているため,変換効率をあまり高くでき

ない,発振防止のためにコンデンサや抵抗等を付加しな

ければならない,出力が大きくなると放熱対策としてヒ

ートシンクを外付けしなければならない等の欠点があり

ます.なお,

DC-DC コンバータ,三端子レギュレータの

他にも,

POL(Point of Load)と呼ばれるものがありま

すが,これは基板に供給されている電源電圧を,各

IC が

必要とする個別電圧に変換する素子で,機能に着目した

ときにこう呼ばれますが,実体は

DC-DC コンバータや三

端子レギュレータとなりますので,ここでは触れません.

3. 試してみよう

3.1 準備

では,実際に各部品を動作させてみましょう.電子回

路の試作では,ブレッドボードが活躍します.ブレッド

ボードは,ハンダ付けすることなく電子部品を接続でき

ますので,お試し回路を組むには最適です.

Fig. 6 に示す

通り,ブレッドボードには電子部品のリードを差し込む

ための穴が多数並んでいます.中心部上下に,縦に

5 個

並んだ穴列が横に数

10 個(ブレッドボードによって異な

る)並んでいますが,各列は内部的に導通していて,中

央の溝を跨ぐように電子部品のリードを差し込みます.

また,上下に赤線(+)と青線(-)が引かれた横穴列

がありますが,これも各々内部的に導通していて,赤線

のいずれかに電源の+を,青線のいずれかに電源の-を

Fig. 5 DC-DC converter (left) and series regulator

(right)

接続します.(通常,上側の赤線列に電源+を,下側の青

線列に電源-を接続します.)そして,これら電源ライン

と電子部品または電子部品同志をリード線でつないで回

路を形成します.ブレッドボードは,大きさ,電源端子

の有無に応じて,いろいろなものがありますが,どれを

買っても大きな違いはないと思います.

3.2 LED を点灯させる

まずは,今回スイッチング対象としている

LED を点灯

させてみましょう.小学校の時に豆電球に乾電池をつな

いで光らせたことがあると思うのですが,豆電球を光ら

せる場合と

LED を光らせる場合との違いは,二つありま

す.一つ目は,

LED には極性,すなわち電源の+と-を

接続すべき向きがあるということです(

Fig. 7).もうひ

とつは,

LED と乾電池(もしくは電源)の間に,電流制

限抵抗(

Fig. 3 中の R1)を入れなければならないという

ことです.

LED はあまり大きな電流を流すと壊れてしま

うので,抵抗で電流を絞ってやる必要があるのです.(電

球も大きな電圧を加えると焼き切れてしまいますが,電

球のフィラメント自身が抵抗として働くので,せいぜい

V の乾電池では,わざわざ電流制限抵抗を加える必要

がないのです.

LED には,色,輝度,大きさ,発光部形状,指向性

(照射角),パッケージ(リード線付き,表面実装用,パ

ネル取り付け用,多色,モジュラータイプ・・・)等に

よって,いろいろな種類がありますので,自分の取り付

け対象に合わせて,適当なものを選んで下さい.表示用

であれば色とサイズで選んでしまっても,問題ないと思

いますので,好みのものを選んで下さい.ただし,

LED

(というかダイオード全般)は電流が流れているときに

電圧降下(

Fig. 3 中の LED1 の下に書いた VF という値)

を示し,波長が短くなればなるほど大きな値を取る傾向

があるので,大きめ電源電圧を用意しなければならない

ことを覚悟して下さい.また,高輝度タイプを謳った数

W の LED も売られていますが,放熱対策を講じなければ

ならないので,表示用にはお勧めしません.次に,電源

を用意して下さい.乾電池,安定化電源,

AC アダプタ等

なんでも良いのですが,先に書いた

VF より大きなものが

必要になります.乾電池がお手軽で良いのですが,大抵

LED では VF が乾電池の起電力 1.5V を超えることに

Fig. 6 A bread board and the internal connections

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Fig. 7 LED

68

夏井坂 誠

なりますので,乾電池を

3 または 4 個直列にできるバッ

テリーボックスを用意する必要があります.(スイッチ付

きのものが便利です.)最後に電流制限抵抗

R1 の値を決

めます.

R1 を決めるためには,まず,LED に流す電流

I1 を決める必要があります.当然 I1 の値を大きくす

ればするほど明るく光ることになるのですが,あまり大

きな電流を流すと

LED が壊れますので,ちょうどいい I1

を決める必要があります.まずはデータシートを見て下

さい.絶対最大定格(一瞬たりとも超えてはいけない値)

として,順方向電流

IF の値が記載されていると思うので

すが,

IF は絶対に超えてはいけない値ですので,I1 は必

ずこれより小さい値を選んで下さい.最終的には,光り

具合を見て決めることになるのですが,まずは

IF の 1/2

とか

1/3 とか,小さめな値を選んで下さい.(通常は数 mA になると思います.)I1 の値が決まればあとは,式(1)

により

R1 を決定することができます.

Fig. 8 Basic concept for switching with FET

𝑅1 =

𝑉1 − 𝑉𝐹

𝐼1

(1)

抵抗も消費電力,精度,パッケージ等に応じていろい

ろな種類があるのですが,とりあえず一番ポピュラーな

リード線付きの(アキシャル)炭素皮膜抵抗で構いませ

んので,

R1 のものを用意して下さい.(明るさを調整す

るために何種類か抵抗値の異なるものも用意しましょう).

それでは,ブレッドボードを使って光らせてみましょ

う.

Fig. 3-1 を見ながらブレッドボードに用意した部品を

挿入して下さい(必要に応じてリード線を加えます).最

後にバッテリーケースの電源を

ON すると LED が光ると

思います.明るさを見て,明るすぎるなら

R1 を大きなも

のに,暗すぎるなら小さなものに変えて,ちょうどいい

R1 の値を決めて下さい.(光らないときは逆接続の可能

性があるので,

LED を逆にしてみて下さい.)

3.3 スイッチングしよう

次に,

FET を使って LED の ON/OFF を行ってみまし

ょう.

2.3 項では,FET を使ったスイッチング回路のポ

イントを強調するため,

Fig. 3-4 を使って説明を行いまし

たが,実際の回路では

Fig. 8 のようにゲート側にも電源

が必要となります.さらに,

Fig. 9 のように 2 つの抵抗

R2,R3 を加える必要があります.(回りくどくてすみま

せん.ゲートへの印加電圧でスイッチングをコントロー

ルするということを理解してもらうために,あえて

Fig. 8

を挟ませてもらいました.)

R2 はゲートへ流れ込む電流

を制限する「電流制限抵抗」になります.もし,この抵

抗がなかったとすると,スイッチ

SW2 を入れた瞬間,電

V2 とゲートがショート状態になり,V2 の起電力がそ

れほど大きくなくても,非常に大きな電流が流れ,

FET

のゲートを破壊することになります.もう一つの抵抗

R3

の働きを理解するためには,

FET(MOSFET)の基本構

造を理解しなければなりません.

Fig. 9 Switching circuit of LED illumination with FET

ないので,構造にまで立ち入りたくないのですが,こ

れだけは避けて通れませんので,これから少し

初は読み飛ばしてもらって,とにかく

MOSFET

の構造を説明します.もし,混乱するようでしたら,最

R3 は加えるものだ

と盲信して下さい.高速のスイッチング等が必要になっ

てから,改めて学習すれば

OK です.)MOSFET は Fig. 10

のような構造(

Nch の場合)をしています.シリコンベ

ースの

NPN 接合基板に酸化膜(誘電体)を仕切として,

金属製のゲート電極が取り付けられています(「

MOS =

Metal Oxide Semiconductor」という名前の由来).ゲー

トに電圧が印加されていないときに,ドレイン

-ソース間

に電圧を印加しても,二つある

NP または PN 接合のう

ち,どちらかが逆接となって,電流は流れません.次に,

ゲートに( p 型半導体部に対する)電圧を印加した場合

Fig. 11),酸化膜で仕切られているので,NPN 接合基

板とゲート電極間に電流は流れないのですが,酸化膜が

誘電分極を起し,ゲート電圧が印加されていないときに,

ドレイン

-ソース間の導通を拒んでいた p 型半導体部の,

酸化膜近傍における電子濃度が上昇し,ドレイン

-ソース

間があたかも

NNN のように接合されているようになる

ので,ドレイン

-ソース間電圧に応じて,電流が流れるよ

うになります.(

FET が「Field-Effect」transistor と呼

ばれる所以.)つまり,ゲートに電圧を印加しているのは,

69 Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013

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航空機実験用加速度スイッチの作り方(第一回)初心者のためのマイコン電子工作講座

Fig. 10

Fig. 11

Fig. 12

Nch MOSFET (Gate OFF)

Nch MOSFET (Gate ON)

Effect of input capacitance, Ciss

この

MOS 部(=コンデンサ)を充電していることに他な

らないのです.しかし,ひとたび蓄積された電荷はスイ

ッチを

OFF にしてもそのままなので,ドレイン-ソース

間電流はそのまま流れたままとなり,

LED が点いたまま

となります.

R3 はゲート OFF 時に,この電荷を解消す

る役割を果たします.

Fig. 9 をもう一度見て下さい.スイ

ッチ

SW2 を OFF した場合,FET のゲートに蓄積された

+電荷は

R3 を通じてグランドレベル(電源の-レベル)

に戻ることがわかるでしょうか?また,

R2 同様,R3 も

電流制限抵抗として機能し,電荷解消時に流れる過電流

から

FET を守ってくれます.FET を保護することを考え

ると,

R2,R3 の抵抗値は大きいほど良いということにな

るのですが,これらの値が大きすぎるとスイッチング

ON/OFF)を繰り返したときの応答性が悪くなるので,

両者の折り合いをつけた適当なものを選ぶ必要がありま

す.

さて,ややこしい話はこれくらいにして,実際にブレ

ッドボードを使って

LED をスイッチングしてみましょう.

まずは,

FET を選ばなければなりません.FET も,電気

的な性能に加えて,パッケージの違いに応じていろいろ

なものがあります.最終的には,自分の用途に合わせて

適切なものを選んでいただきたいのですが,ここでは自

分が良く使う

International Rectifier 製の IRLI540NPbF

を例に,選び方のポイントを簡単にご紹介したいと思い

ます.まず,

FET には,極性に応じて Nch 型と Pch 型が

あります.どちらを選んでもスイッチを構成することは

可能なのですが,前章に書いた通り,通常は電気的特性

に優れる

Nch 型を選びます.また,ゲート電圧が印加さ

れていないときに,ドレイン

-ソース間が導通していない

(すなわちノーマリーオフ型となる)「エンハンスメント

型」を選んで下さい.次に,スイッチングしようとする

対象装置または回路の電源電圧と動作時に回路に流れる

電流を調べて下さい.自分がスイッチングしようとして

いたのは,電源電圧が

DC12V で 15W のヒーターでした

ので,動作時の電流は

1.25A ということになります.そ

こで,ヒーターを接続するドレイン

-ソース間の「耐電圧

V

DS

」が

12V 以上(実際は,余裕を見てこの 3 倍以上の

ものを選ぶ,ただし,大きすぎるとスイッチングの応答

性が悪くなる),「連続ドレイン電流

I

D

」が

1.25A 以上

(こちらも余裕を見る)のものから選びました.さらに

ヒーターを駆動する電源に乾電池を使用することを考え

ていましたので,省電力を実現すべく,ドレイン

-ソース

間の「オン抵抗

R

DS(on)

」(ドレイン

-ソース間に順方向電

流を流した時の抵抗値)がなるべく小さいものを選びま

した.

R

DS(on)

が小さければ,スイッチを

ON している時

の発熱も抑えられるので,放熱対策を最小限にできると

いうメリットもあります.また,ゲートの駆動をマイコ

ンからの出力電圧

5V で行おうとしていましたので,5V

でスイッチング可能なものを選ばなければなりません.

そこで,ゲートをマイコンや

IC 等ロジックレベルの電圧

で直接駆動できる

L 2 FET(Logic Level FET)を選びま

した.(残念ながら

L 2 FET という呼称はあまり普及して

いないようです.ただし,データシートに「

Logic-Level

Gate Drive」等の記述がありますので,「Logic」と

Table 3

Key parameters for FET selection

検討すべき項目

極性

本講座での選定方針

・Nch 型

スイッチングタイプ

FET タイプ

・エンハンスメント型

(ノーマリーオン)

・L

2

FET

(ロジックレベルタイプ)

耐電圧 V

DS

連続ドレイン電流 I

D

・接続する回路の電圧+マージン

(回路電圧の 3~5 倍)

・接続する回路に流れる電流値+

マージン

オン抵抗 R

DS(on)

・小さい方が良い

パッケージ ・TO-220 フルパック

Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013

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70

夏井坂 誠

FET」をキーワードに検索してみて下さい.)また,デ

ータシートには,出力特性として,ゲート電圧をパラメ

ータとした,「ドレイン

-ソース間電圧 V

DS

vs. 「ドレ

イン電流

I

D

」特性が記載されています.いくつかのゲー

ト電圧について曲線が並んでいると思うのですが,その

中から

5V の曲線を選んで,自分が接続しようとしている

回路の電源電圧に相当するドレイン電流値を読んでみて

下さい.この値が自分の回路に流れる電流値に対して十

分余裕があれば,問題なくスイッチングができます.最

後に,パッケージにも注目して下さい.本講座では,手

ハンダとブレッドボードやユニバーサル基板の使用を前

提としていますので,

TO-220 のように挿入実装用で足の

間隔が

2.54mm のものを選んで下さい.また,放熱特性

が若干悪くなりますが,「フルモールド」とか「フルパッ

ク」と呼ばれる素子全体が樹脂で覆われたものが(

Fig. 4 参

照),絶縁を気にしなくて良いので,電力量が大きくなく

て,放熱をあまり気にしなくて良い場合は,これを選ん

で下さい.今回は,

LED を点灯させるだけで,大きな発

熱がありませんので触れませんが,消費電力の大きな回

路,またはオン抵抗

R

DS(on)

の大きな

FET では,放熱対策

を講じる必要があります(「安全動作領域」とか「熱抵抗」

等の値に注目します).また,高速のスイッチングが必要

な場合は,動特性も検討する必要があります.そのよう

な時には,

Ciss」(「ゲートの寄生容量」と表現

Fig. 13 Switching of LED with MOSFET without a gate, pull-down register R3 (V

GS

OFF).

Fig. 14 Switching of LED with MOSFET without a gate, pull-down register R3. (V

GS

ON)

Fig. 15 Switching of LED with MOSFET (without a gate, pull-down register R3; V

GS

OFF after ON).

Fig. 16 Function of a gate, pull-down register R3

されるときもある)等の値に注目します.ちなみに,今

回使用する

IRLI540NPbF は V

DS

100V,R

DS(on)

0.04

Ω,

I

D

23A,TP-220 フルパックになります.

それでは,ブレッドボードを使って

LED の点灯をスイ

ッチングしてみましょう.最初から

Fig. 9 の通り組んで

もらっても良いのですが,

R3 の働きを理解するために,

まずは

Fig. 9 から R3 を抜いた形で組んでみて下さい.

Fig. 13 に接続例を示します.次に,ゲートが ON(Fig. 14

のように赤のリード線を

R2 と接続)すると LED が点灯

します.そして,赤のリードを抜いてゲートを

OFF しよ

うとするのですが,これだけでは

LED が消えないことがわ

かります(

Fig. 15).そこで,これに R3 を加えてみて下さ

い.

R3 を接続すると,LED が消灯することがわかりま

す.この状態で,

ON,OFF を行うと,今度は LED がき

ちんと点いたり,消えたりすることがわかると思います

Fig. 16).

3.4 加速度センサを使ってみよう

2.2 章で紹介した 3 軸加速度センサモジュール MM-

2860(サンハヤト(株)製)を用意して下さい.MM-

2860 は,5V または 3.3V を電源電圧として,加速度に比

例する

0~3.3V のアナログ電圧を出力します.3 段階の

感度が選べるのですが,最大感度の

800mV/G を選択した

場合,加速度

1G 当たり 800mV の電圧を出力することに

なります.ただし,

0G のとき 1.65V となりますので,

71 Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013

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航空機実験用加速度スイッチの作り方(第一回)初心者のためのマイコン電子工作講座

1G のときの出力電圧は 1.65+0.8 = 2.45V,-1G で 1.65-

0.8 = 0.85V となります.すなわち,出力電圧 Vi(i は x, y, z)は加速度を ai(i は x, y, z)とすると,式(2)の通り

になります.

𝑉𝑖 = 1.65 + 0.8𝑎𝑖

(2)

まずは,出力電圧を読んでみましょう.

MM-2860 取扱説

明書(サンハヤト㈱)を見ながら,ブレッドボードに取

り付けて下さい.そのとき,

MM-2860 を直にブレッドボ

ードに差してもよいのですが,抜き差しを繰り返すとピ

ンが曲がる可能性があるので,

Fig. 17 のような IC ソケ

ット(丸ピン,

28 ピン×600MIL)に取り付けて使うと

良いかもしれません.

MM-2860 基板上には各端子の機能

がシルク印刷されていますので,これと

Table 4(取扱説

明書にあるピンアサインの抜粋)を見比べて接続してい

Fig. 17 Accelaration sensor module, MM-2860 and IC socket

Table 4 Pin assignment of MM-2860 (from a user manual of MM-2860, Sunhayato Corp.)

ピン番号 信号名 機能

1 GND

接地

2

3

Xout

Yout

X 軸電圧出力

Y 軸電圧出力

4 Zout

Z 軸電圧出力

11 3.3V

12

13

14

15 g-SELECT1 g-SELECT2

GND

GND

3.3V 電源入力

センサ感度選択信号入力

センサ感度選択信号入力

接地

接地

16

17

N.C.

SLEEP

-(何も接続しない)

スリープモード信号入力

(L でスリープ)

18

25

26

3.3V

GND

3.3V

3.3V 電源入力

接地

3.3V 電源入力

27 3.3V

3.3V 電源出力

28 5V

5V 電源入力

きます.まず,電源は,

5V でも 3.3V でも良いので,5V

なら

5V と書かれたところに,3.3V なら 3.3V と書かれた

ところに,電源の+を接続して下さい.(ただし,電源は

スイッチ付きのものを用意して,接続時は

OFF にしてお

くこと.)

3.3V 入力は 3 カ所あるのですが,基板上で接

続されていて(取扱説明書の回路図を参照のこと),どれ

か一つにつながっていればいいので,つなぎやすいとこ

ろにつないで下さい.ただし,

3.3V と 5V を同時につな

ぐことは絶対にしないで下さい.そして,電源の -を

GND と書かれたところに接続して下さい.GND も 4 カ

所あるのですが,どれも基板内でつながっていますので

(取扱説明書の回路図を参照のこと),いずれか一つ,つ

なぎやすいところにつなげば

OK です.感度は g-SELECT ス

イッチで設定します.基板上に g-SELECT と白線で囲ま

れた

2 極の DIP スイッチがあると思うのですが,Table 5

を見ながら感度の設定を行います.

2 極のうちどちらが g-Select1 か g-Select2 かは,基板上に 1 と 2 でシルク印

刷で識別されています.また,

ON か OFF かは,ON が

印刷されていますので,されていない方が

OFF となりま

す.とりあえず最大感度の

800mV/G で設定してみましょ

う.

800mV/G の場合,g-Select1 が OFF,g-Select2 も OFF

となりますので,

1,2 とも 1,2 と書かれた側(ON の反

対側)に設定されていることを確認して下さい.デフォ

ルトでこの設定になっていると思うのですが,違う場合

は精密ドライバ等を使って,スイッチを壊さないように

気をつけながら,設定変更して下さい.出力端子は x, y, z

と書かれていますので,いずれかにテスタ,電圧ロガー,

オシロスコープの+を,-を

GND につないで,電源を

ON して下さい.加速度センサが水平に置かれているので

あれば,

Vx = Vy = 1.65V,Vz = 0.85 または 2.45V にな

るはずです.(軸定義は基板上に書かれています.)さあ,

どうでしょうか?実は,この状態では出力が現れません.

これは,デフォルトで

SLEEP が L モードになっている

ためで,これを解除するために,

SLEEP を 3.3V に接続

して

H モードにしてやる必要があります.幸い SLEEP

の隣には

3.3V がありますので,電源を一度落としてから,

両者を接続してみて下さい.再び電源を入れるとどうで

しょうか?まだ,出力が現れないという方は,きちんと

接続されているかを確認して下さい.出力値がおかしい

という方は,

DIP スイッチの設定をもう一度確認して下

さい.うまくいっているようであれば,加速度センサを

傾けたり,反転させてみて下さい.状態に応じた出力が

得られていることを確認してください.

Table 5 Pin assignment of MM-2860 (from the user manual of MM-2860, Sunhayato Corp.) g-Select1 g-Select2

加速度値の範囲

OFF OFF

±1.5g

ON

OFF

ON

OFF

ON

ON

±2g

±4g

±6g

感度

800mV/g

600mV/g

300mV/g

200mV/g

Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013

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夏井坂 誠

4. 結び

4.1 全般

今回は,加速度スイッチの構成部品の中から,

LED,

FET,加速度センサの使い方を学習しました.ここでは

さわりをごくごく簡単に紹介しましたが,各部品(特に

FET)の機能・用途は多岐に渡り,さらには特定の用途

に特化して一部周辺回路を取り込みモジュール化された

便利なものが用意されています.また,今回取り上げた

部品を実際に使用する際には,いくつかの保護素子等を

加えた方が良いのですが,一度にたくさんのことを書き

込むと混乱すると思いましたので,今回はあえて割愛し

ています.勘所がわかったら,市販の教科書(

FET の説

明に際し,参考文献

1 )

などを参考にしました)

ージ等を参考に勉強してみて下さい.

4.2 参考情報

これまでに電子部品を購入したことのない方の利便性

を考えて,自分が知っているお店をリストしておきます.

○ マルツパーツ館

( http://www.marutsu.co.jp/index.php )

3 軸加速度センサモジュール MM-2860(サンハヤト㈱製)

や次号で紹介する dsPIC モジュールの販売を行っています.

店舗販売&通販.

○ 秋月電子通商

( http://akizukidenshi.com/ )

バルク品等お値打ち品が見つかる可能性大.店舗販売&通販.

○ 千石電商

( https://www.sengoku.co.jp/ )

バルク品等お値打ち品が見つかる可能性大.店舗販売&通販.

RS コンポーネンツ ( http://jp.rs-online.com/web/ )

通販.法人契約が必要となりますが,在庫品に関しては翌日

配送が可能なので重宝しています.通販のみ.

参考文献

1)

よくわかるパワー

MOSFET/IGBT 入門,山崎浩著,日刊工

業新聞社

(2013 年 1 月 20 日受理)

73 Int. J. Microgravity Sci. Appl. Vol. 30 No. 1 2013

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