RF 手册第15 版 - NXP Semiconductors

RF 手册第15 版 - NXP Semiconductors
RF 手册第 15 版
高性能 RF 产品应用和设计手册
2011 年 5 月
满足最苛刻应用的高性能 RF
恩智浦 RF 手册令设计更简易
恩智浦 RF 手册是当今 RF 设计市场上最重要的参考工具之一。此手册对我们的全系列 RF
产品进行了完整的说明,包括小功率和大功率信号调节及高速数据转换器。
满足最苛刻应用的高性能 RF
当谈到最苛刻的 RF 应用时,设计员最先想到的是满足规定的性能要求。这恰恰是恩智浦通过硅基、规模制造工艺技术带来的附加
益处所能帮您做到的。也就是说您可以设计最高规格的系统,同时又能保留折中方案,在效率、功率、耐用性、一致性和集成水平上留
有余地。
每年交付 40 多亿件 RF 产品的恩智浦毫无疑问是高性能 RF 产品的行业领袖。从卫星接收器、蜂窝基站、广播发射机到 ISM (工
业、科学和医疗) 和航空航天、防务应用,您都可以找到自己所需的恩智浦高性能 RF 产品。持续创新可确保您始终随时使用最有效
的解决方案 — 无论是创新型 Doherty 功率放大器架构、JESD204A CGVTM 序列化数据接口还是微型 GPS LNA。
因此,如果您想提高 RF 性能,设计高效的信号链,或通过创新型 ISM 应用取得新突破,那么恩智浦的创新思维和专业支持可帮助您
轻装前行。
高性能 RF 设计挑战
日常工作为 RF 设计员带来了诸多挑战,从信号的多样性到集成或花费大量时间。我们最近开展了一项设计挑战活动
(www.hprf-design-challenge.nxp.com)。该活动提供一个论坛,供 RF 热心设计员与我们一起经历设计的各个阶段,包括从概念到
原型产品。这种活动正是 RF 手册的精髓 — 让设计工作简单一点。
新动向
RF 手册提供有关 RF 应用在不同领域的最新信息。这些领域包括:无线和宽带通信基础设施、电视和卫星、便携式设备、汽
车、ISM、航空航天和防务。
我们将详细说明我们的核心技术 QUBiC4 和 LDMOS 的新进展。我们也在产品中添加了 GaN 技术;这种关键技术能让高功率放
大器在下一代无线通信系统中实现最高的效率。
新产品包括 GaN 功率放大器、全套超模压塑料 (OMP) RF 功率晶体管和 MMIC 产品线以及我们的第八代 LDMOS 晶体管
(Gen8)。下一代设备和改良产品包括 GPS LNA、中功率放大器、IF 增益模块、LO 发生器、卫星 LNB IC 以及 CATV 模块。
4
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
我们的无线通信基础设施产品组合也得到了扩展,全面的顶级 Doherty 放大器设计、各种放大器(中功率、可变增益、低噪声)、混频器、IQ
调制器以及 JESD204A 兼容的高速 DAC 和 ADC。
“我非常自豪地向您介绍我们的第 15 版 RF 手册。它通过详尽的目录涵盖了恩智浦全系列 RF 产品和解决方案,我坚信您会发现第 15 版手册
更实用。”
谨此致意,
John Croteau
高级副总裁兼总经理
高性能 RF 商业产品线
RF 手册网页
www.nxp.com/rfmanual
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
5
目录
1 按应用划分的产品
9
1.1 无线通信基础设施______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 9
1.1.1 基站 (所有手机标准和频率)_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 9
1.1.2 点对点________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 12
1.1.3 中继器_ _______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 14
1.2 宽带通信基础设施_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________15
1.2.1 CATV 光接收模块 (带多个输出端口的光节点)_ ____________________________________________________________________________________________________________________________________________ 15
1.2.2 CATV 电放大器 (延长放大器)_ ___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 16
1.3 电视与卫星________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 17
1.3.1 电视接收网络接口模块 (NIM)_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 17
1.3.2 基础电视调谐器___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 19
1.3.3 卫星室外单元,供多个用户使用的低噪声模块 (LNB)_____________________________________________________________________________________________________________________________________ 20
1.3.4 卫星多开关盒 - 4 x 4 (高达 16 x 16) ∕DiSEqC ∕SMATV_ ______________________________________________________________________________________________________________________________21
1.3.5 VSAT________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 22
1.4 便携式设备________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________24
1.4.1 GPS____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________24
1.4.2 FM 收音机_ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 25
1.4.3 手机接收模块______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________26
1.4.4 802.11n WLAN (双并行)______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________27
1.4.5 RF 通用前端________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________28
1.5 汽车_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 29
1.5.1 有源天线,例如 SDARS 和 GPS_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 29
1.5.2 无线门禁系统,适用于有专用接收和发射天线的 RF 通用前端__________________________________________________________________________________________________________________________________________ 30
1.5.3 胎压监测系统_ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 31
1.5.4 车载收音机 (CREST IC:TEF6860HL、TEF6862HL)_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 32
1.6 工业、科学与医学 (ISM)____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 33
1.6.1 广播∕ISM (10 - 1500 MHz 范围)________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 33
1.6.2 无线抄表,适用于单天线应用的 RF 通用前端/ZigBee____________________________________________________________________________________________________________________________________34
1.6.3 RF 微波熔炉应用_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________35
1.6.4 RF 等离子照明___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________36
1.6.5 医疗影像___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 37
1.7 航空航天和防务_ ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________38
1.7.1
微波产品供航空电子设备、L 和 S 波段雷达应用使用___________________________________________________________________________________________________________________________________________38
2 重点应用、产品和技术
40
2.1 无线通信基础设施_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 40
2.1.1 提供增强系统性能的超高线性度 VGA_ _______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 40
2.1.2 适用于领先无线基础设施的 Doherty 放大器技术_______________________________________________________________________________________________________________________________________42
2.1.3 应用于无线基础设施的新一代 LDMOS RF 功率产品:恩智浦第 8 代设备______________________________________________________________________________________________________ 44
2.2 宽带通信基础设施____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 45
2.2.1 连接千家万户,保护您的网络:适用于中国国家广电总局入网标准的恩智浦 CATV C 系列模块________________________________________________________________________ 45
2.2.2 适用于可持续 CATV 网络的 1 GHz GaAs 高效模块_ ___________________________________________________________________________________________________________________________________ 48
2.3 电视与卫星_ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 50
2.3.1 适用于 TV/STB 调谐器的带可编程增益的 LNA____________________________________________________________________________________________________________________________________________ 50
2.3.2 用于所有 LNB 架构的全套卫星产品系列_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________52
2.3.3 VSAT,通过卫星的双向通信________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 54
2.3.4 适用于微波和毫米波无线电应用的低噪声 LO 发生器___________________________________________________________________________________________________________________________________ 56
2.4 便携式设备_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 57
2.4.1 适用于 GPS、GloNass 和 Galileo、符合 AEC-Q100 标准的 QUBiC4X SiGe:C LNA_____________________________________________________________________________________57
2.5 工业、科学与医学______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________59
2.5.1 由 RF 功率驱动的医疗应用:_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________59
2.5.2 RF 等离子照明____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 60
2.5.3 适用于任何 RF 功能的 QUBiC4 Si 和 SiGe:C 晶体管_ __________________________________________________________________________________________________________________________________ 61
2.5.4 雄厚的数十年微波和雷达创新基础______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 62
2.5.5 效果最好的数码广播___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 64
2.5.6 适用于 400 到 2700 MHz 应用的宽带中等功率放大器_________________________________________________________________________________________________________________________________ 65
2.6 技术_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 66
2.6.1 采用 GaN 技术使无线基础设施效率提高并降低成本_ __________________________________________________________________________________________________________________________________ 66
2.6.2 寻找 SiGe:C 的引领者?您已经找到我们!______________________________________________________________________________________________________________________________________________________67
2.6.3 完整的恩智浦 RF 功率晶体管产品系列:采用塑料封装的产品 (OMP)_ ____________________________________________________________________________________________________________69
6
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
3 按功能划分的产品
70
3.1 新产品____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________70
3.2 RF 二极管______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________73
3.2.1 变容二极管 _________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________73
3.2.2 PIN 二极管 _________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 74
3.2.3 频段开关二极管___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 76
3.2.4 肖特基二极管______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 76
3.3 RF 双极晶体管 ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 77
3.3.1 宽带晶体管_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________77
3.4 RF IC ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 80
3.4.1 RF MMIC 放大器和混频器__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 80
3.4.2 无线基础设施 IC_ _______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 82
3.4.3 卫星 LNB RF IC_ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 82
3.4.2 用于 VSAT 和一般微波应用的低噪声 LO 发生器__________________________________________________________________________________________________________________________________________ 83
3.5 RF MOS 晶体管____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 83
3.5.1 JFET ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 83
3.5.2 MOSFET_ __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 85
3.6 RF 模块_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 87
3.6.1 CATV 推挽模块 __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________87
3.6.2 CATV 推挽模块 1 GHz________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________87
3.6.3 CATV 功率倍增模块___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 88
3.6.4 CATV 光接收模块______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 88
3.6.5 CATV 反向混合产品_ __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 88
3.7 RF 功率晶体管_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 89
3.7.1 基站晶体管________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 89
3.7.2 广播/ISM (工业、科学与医学) RF 功率晶体管____________________________________________________________________________________________________________________________________________ 92
3.7.3 微波 LDMOS RF 功率晶体管_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________93
3.8 高速数据转换器______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________94
4 设计支持
4.1
95
S-参数__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 95
4.2 仿真模型_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 95
4.2.1 Spice 模型__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________95
4.2.2 交互式数据表 _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________95
4.2.3 RF 功率设备仿真模型__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________96
4.3 应用注释_ ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 96
4.4 演示板___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 96
4.4.1 RF 晶体管、MMIC & IC 演示板____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________96
4.4.2 RF 功率晶体管演示板__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________97
4.4.3 高速转换器演示板_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________97
4.5 样品______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 97
4.6 数据表__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 97
4.7 设计支持_ ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 98
4.8 交互式选择向导_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 98
5 对比参考和替换型号
99
5.1
对比参考:各生产厂商型号与恩智浦型号对照_ ______________________________________________________________________________________________________________________________________________ 99
5.2
对比参考:恩智浦停用型号与恩智浦替换型号对比________________________________________________________________________________________________________________________________________109
6 包装和封装信息_________________________________________________________________________ 111
6.1
每个封装的包装数量,以及相关订购代码____________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 111
6.2
标记代码一览表_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 114
7 缩写:
______________________________________________________________________________ 116
8 联系方式和网址链接______________________________________________________________________ 117
9 产品索引 ______________________________________________________________________________ 118
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
7
8
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
1. 按应用划分的产品
按应用划分的产品
1.1 无线通信基础设施
1.1.1 基站 (所有手机标准和频率)
另请参阅手册:
“您的移动通讯基础设施设计的伙伴”,文件编号 9397 750 16837。
应用框图
LPF
I/Q-MOD
mixer
SER I-DAC
PLL
VCO
PLL
LPF
DIGITAL BASEBAND & CONTROL
POWER AMPLIFIER
X
0
VGA
Tx BPF
MPA
HPA
Isolator
90
antenna
Tx/Rx
X
SER Q-DAC
mixer
BPF
VGA
IF mixer
X
SER ADC
mixer
PLL
VCO
µC
LPF
VGA
duplexer
IF mixer
Rx BPF
LNA
antenna
Rx1
LNA
X
SER ADC
µC
PLL
VCO
PLL
TOWER
MOUNTED
AMPLIFIER
X
SER ADC
LPF
PROCESSING
VGA
IF mixer
DATACONVERTERS
Rx BPF
LNA
RF SMALL SIGNAL
LNA
RF POWER
上方的框图显示的是基站发射 (上部分,Tx) 和接收 (下部分,Rx) 功能,包括 Tx 反馈功能 (中间部分,Tx 反馈)。
“数字基带和控制”部分产生符合空中接口标准要求的信号,通过串行接口 SER 连接到 DAC 上。SER 可以使用 LVDS 或 JEDEC 标准。信号提供给 I-DAC 和 Q-DAC 后会转变成
模拟域信号。在 I 信号和 Q 信号进入 IQ 调制器前,它们首先经过低通滤波以消除混叠信号。在 IQ 调制器段,通过 PLL/VCO 设备 (通常称为 LO 发生器) 的 LO 信号,信号经过
升频转换成RF。由于设备老化和单元负荷的变化,上变频后的信号提供给 VGA 来控制功率水平。VGA输出信号输入带通滤波器消除带外杂散信号,接着,干净的信号将提供给 RF
功放,产生所需的发射功率。最终,RF 功率信号通过双工器提供给天线。
在最后一级的放大器之后,信号耦合单元耦合一定量的 RF 信号,这些信号经过衰减之后使用 IF 混频器对其进行下变频。此信号称为观察信号,用于取得供数字预失真算法使用的
系数。由于功率水平的变化,观察信号首先提供给 VGA控制功率水平,经过带通滤波器滤波之后,此信号被 ADC 转换成数字域。通过相同的串行接口向基带处理器发送数字信号。
在接收段,因为接收到的信号水平非常低,接收机收到的信号经过双工器之后直接提供给 LNA,用于直接放大。如果第一级 LNA 安装到塔顶,则需要使用一根很长的 RF 电缆将
RF 信号接到基站收发器 (BTS)。第二级LNA 用于放大接收到的信号。带通滤波用于减少带外信号功率,经过带通滤波之后,这些信号送入 IF 混频器。剧烈变化的接收信号需要
VGA 来维持完整的 I-ADC 和 Q-ADC 范围,以获得最佳转换性能。低通滤波在 ADC 之前使用以消除混叠信号。这些数字信号使用 诸如JEDEC之类 的串行接口连接到基带上。
取样时钟和 LO 信号分别由时钟净化器和 PLL 产生。这个过程见块状图中的时钟和 PLL ∕ VCO。组建同步系统时需要这个装置。和 SNR 中显示的一样,为了提升接收质量,接收部分
配备有第二个接收器,此接收器也称为分集接收器。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
9
推荐产品
Function
Product
MMIC
Final
HPA
Integrated Doherty
Final
Driver/Final
Driver
Final
Driver/Final
Integrated Doherty
Final
Function
HPA
Doherty designs
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
GP
(dB)
Package
Type
920
920
700
700
700
500
700
1805
2010
1800
2110
1800
2000
2500
2500
2500
2500
3400
3500
960
960
1000
1000
1000
1000
1000
1880
2025
2050
2170
2200
2200
2700
2700
2700
2700
3600
3800
30
250
80
140
160
300
300
250
50
140
40
10
160
40
50
100
140
100
90
29
19
19
19
19
19
19
18
14,5
19
19
19
18
17,5
17,5
17,5
17
13
13
SOT822-1
SOT502
SOT502
SOT1204
SOT502
SOT1121
SOT539
SOT539
SOT1130
SOT1204
SOT1121
SOT1179
SOT502
SOT1121
SOT1130
SOT502
SOT502
SOT502
SOT1246B
BLM6G10-30(G)
BLF7G10L(S)-250
BLF8G10L(S)-80
BLP7G10S-140G
BLF8G10L(S)-160
BLF6H10L(S)-300P
BLF8G10L(S)-300P
BLF7G20L(S)-250P
BLD6G21L(S)-50
BLP7G21(S)-140P(G)
BLF6G22L(S)-40P
BLP7G22-10
BLF7G22L(S)-160
BLF6G27L(S)-40P
BLD7G27S-50
BLF7G27L(S)-100
BLF7G27L(S)-140
BLF6G38(LS)-100
BLF7G38LS-90P
Freq band
(MHz)
PPEAK
(dBm)
POUT-AVG
(dBm)
VDS
(V)
Gain
(dB)
Drain Eff.
(%)
Type
728-768
920-960
1476-1511
1805-1880
1930-1990
2110-2170
2110-2170
2300-2400
2500-2700
3400-3600
58
57.3
58.1
58.6
58.2
47
57.2
55
50.3
51
50
49.3
49.6
51
50
39
49.2
47.5
42.3
43
32
30
28
28
28
28
28
28
28
28
20.5
16
16
16
16
13
16
15.2
14.5
11.5
47
50
42
47.6
40
38
47
44
39
32
SYM
ASYM
ASYM
3-WAY
SYM
SYM
3-WAY
ASYM
SYM
SYM
产品亮点:
BLF7G27L (S) -100/140
这对晶体管采用恩智浦的 Gen7 LDMOS 技术,设计用于为 2.7 GHz LTE 应
用提供卓越性能。在不对称的 Doherty 设计中,BLF7G27L (S) -100 作为主放
大器,BLF7G27L (S) -140 作为峰值放大器。这对 LDMOS 晶体管与 NXP 其
它频段的器件都已经成为行业内倍受欢迎的产品,全球各地很多设计中都采
用了这些器件。
10
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Main transistor
Peak transistor
BLF6G10LS-200RN
BLF8G10LS-160
BLF7G15LS-200
BLF7G20LS-200
BLF7G20LS-250P
BLD6G22L(S)-50
BLF7G22LS-160
BLF7G24LS-100
1/2 BLF7G27LS-90P
BLF6G38-50
BLF6G10LS-200RN
BLF7G10LS-250
BLF7G15LS-300P
2x BLF7G20LS-200
BLF7G20LS-250P
BLD6G22L(S)-50
2x BLF7G22L(S)-160
BLF7G24LS-140
1/2 BLF7G27LS-90P
BLF6G38-50
特点
`` 不对称 Doherty 效率为 37.6%,带 15.2 dB 增益,输出功率 47.5 dB
`` 可工作于 26-32 V Vds
`` 极低的热阻
`` 稳定的设备性能
`` 无与伦比的耐用性
Discrete
attenuator
Function
Product
RF diode
PIN diode
Product
RF transistor
SiGe:C transistor
MMIC
SiGe:C MMIC
Package
SOT753
SOT753
Various^
Type
BAP64Q
BAP70Q
BAP64
Package
Type
BFU725F/N1
BFU690F
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BGU7051
BGU7052
BGU7053
SOT343F
LNA (low noise
amplifier)
Function
Single VGA
(variable gain
amplifier)
Product
Function
Dual VGA
(variable gain
amplifier)
Product
Function
Product
MPA
(medium
power
amplifier)
Function
Dual mixer
Gain range
23 dB
MMIC
31 dB
Gain range
24 dB
MMIC
28 dB
MMIC
Type
BGA7202
SOT617
BGA7204
Package
Type
BGA7350
SOT617
BGA7351
Package
Type
25 dBm
24 dBm
28 dBm
28 dBm
30 dBm
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
Package
Type
BGX7220*
BGX7221*
Frequency
0.7 - 1.2 GHz
1.7 -2.7 GHz
Function
Product
PLL + VCO
MMIC
(LO generator)
Noise
131 dBc/Hz @ 1 MHz
offset @ 5.3 GHz
Function
IQ modulator
NFL
Product
MMIC
Package
PL (1dB) @ 940 MHz
MMIC
Product
SOT650
-159 dBm/Hz
按应用划分的产品
Function
SOT1092
Package
Type
SOT617
BGX7300*
Package
SOT616
Type
BGX7100*
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
^= SOD523、SOD323、SOT23 和 SOT323
Function
Product
Dual-channel DAC
Data converter
Single-channel ADC
Dual-channel ADC
Max. sampling
frequency
# of bits
Interface
Type
650 Msps
14
LVCMOS
DAC1405D650
160 Msps
14
LVCMOS
DAC1405D160
125 Msps
14
LVCMOS
DAC1401D125
750 Msps
14
JESD204A
DAC1408D750
80 Msps
12
LVCMOS
ADC1207S080
125 Msps
14
LVCMOS&LVDS DDR
ADC1415S125
125 Msps
14
LVCMOS&LVDS DDR
ADC1410S125
125 Msps
11
LVCMOS&LVDS DDR
ADC1112D125
125 Msps
14
LVCMOS&LVDS DDR
ADC1412D125
125 Msps
14
JES204A
ADC1413D125
产品亮点:
带 JESD204A 接口的 DAC1408D750 双通道 14 位 DAC
这种先进的 14 位 DAC 专为高速应用而优化,例如 2.5/3/4G 无线、视频广
播和测试设备,拥有标准的可选内插式滤波器以及符合 JEDEC JESD204A
标准的四通道 CGV™ 串行接口。
特点
`` 双通道、14 位分辨率
`` 750 Msps 最大输出率
`` 内插式滤波器:2x、4x、8x
`` 四通道 JEDEC JESD204A 串行数字输入
`` 32 位可编程 NCO 频率合成器,带低功率选项
`` MDS (多 DAC 器件同步)
`` SPI 接口
`` HVQFN64 封装
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
11
1.1.2 点对点
应用框图
INDOOR UNIT
POWER
SUPPLY
OUTDOOR UNIT
PLL VCO
0
MPA
VGA
IF
VGA
PA
MPA
BPF
90
BUF
DIGITAL
SIGNAL
PROCESSOR
REF
MPX
PMU
PLL VCO
0
90
ANALOG
VGA
VGA
to/from
IDU
MPX
REF
PMU
SYNTH
PLL
ANTENNA
PLL
IF
LNA
LNA
LNA
LPF
VGA
VGA
DATA
INTERFACE
brb406
推荐产品
室内单元
Function
Product
Single VGA
(variable gain
amplifier)
Function
MMIC
Product
Dual VGA
(variable gain
amplifier)
Function
MMIC
Product
MPA
(medium
power
amplifier)
Function
IQ
modulator
MMIC
Product
MMIC
Gain range
23 dB
31 dB
Gain range
24 dB
28 dB
Package
SOT617
Package
SOT617
BGA7202
BGA7204
BGA7350
BGA7351
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
NFL
Package
Type
- 159 dBm/Hz
SOT616
BGX7100*
Package
SOT89
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Function
Type
PL (1dB) @
940 MHz
17 dBm
20 dBm
21 dBm
25 dBm
24 dBm
28 dBm
28 dBm
30 dBm
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
12
Type
Product
IF gain block
MMIC
MMIC
General
purpose
wideband
amplifiers
IF
Type
Function
Package
Product
RF MMIC
LNA
SOT363
Package
SOT891
SiGe:C
MMIC
SiGe:C
transistor
SOT650
SOT343F
RF transistor
Wideband
transistor
SOT343R
SOT143R
Type
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGM1012
BGA2714
BGA2748
BGA2771
Type
BGU7003
BGU7051
BGU7052
BGU7053
BFU725F/N1
BFU710F
BFU730F
BFG425W
BFG424W
BFG325/XR
室外单元
Single VGA
(variable
gain
amplifier)
Function
MPA
(medium
power
amplifier)
Function
Buffer
Function
LNA
Function
Product
Gain range
Package
23 dB
MMIC
BGA7202
SOT617
31 dB
Product
MMIC
PL (1dB)
@ 940 MHz
17 dBm
20 dBm
21 dBm
25 dBm
24 dBm
28 dBm
28 dBm
30 dBm
Product
RF transistor
SiGe:C
transistor
Package
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
SOT343F
Package
SiGe:C
transistor
Product
IF gain block
BGA7204
Package
Product
RF transistor
SOT343F
Package
MMIC
SOT363
IF
MMIC
Type
General
purpose
wideband
amplifiers
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
Type
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
Type
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
Function
Dual VGA
(variable
gain
amplifier)
Function
PLL + VCO
(LO
generator)
Function
Oscillator
Product
Gain range
Package
24 dB
BGA7350
MMIC
SOT617
28 dB
Product
MMIC
BGA7351
Noise
Package
Type
-131 dBc/Hz @
1 MHz offset
@ 5.3 GHz
SOT617
BGX7300*
Package
Type
BFG424W
BFG425W
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
Product
RF transistor
Type
Wideband
transistor
SOT343R
SiGe:C
transistor
SOT343F
按应用划分的产品
Function
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
恩智浦 BTS Tx 组件演示板
Type
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BGM1014
BGM1013
BGM1012
BGA2714
产品亮点:
BGA7350 MMIC 可变增益放大器
BGA7350 MMIC 是一种双通道独立数字控制 IF 可变增益放大器 (VGA),
运行频率为 50 到 250 MHz。每个 IF VGA增益控制范围为 24 dB,在最
大增益时,1 dB 增益压缩时提供 17 dBm 输出功率,拥有卓越的线性特
点。BGA7350 针对小于 ±0.1 dB 差分增益误差进行优化,可以实现精确
的增益控制,总集成增益误差小于 ±0.4 dB。此产品封装为 32 针无引脚
HVQFN 封装 (5 x 5 毫米)。
特点
`` 双通道独立数字控制 24 dB 增益范围 VGA,带 5 位控制接口
`` 50 至 250 MHz 频率操作范围
`` 增益步长:1 dB ± 0.1 dB
`` 18.5 dB 功率增益
`` 快速增益切换能力
`` 1 dB 增益压缩时为 17 dBm 输出功率
`` 5 V 单电源操作,带断电控制
`` 逻辑级关断控制引脚可减少电源电流
`` 所有管脚均提供 ESD 保护
`` 无条件稳定
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
13
1.1.3 中继器
应用框图
Dual mixer
Tx0
PA
mixer
Dual DAC
Dual ADC
LPF
I-DAC
PA
LPF
VGA
LPF
VGA
Dual mixer
mixer
Q-DAC
PLL
VCO
LO Signal
brb631
Product
Dual-channel DAC
Dual-channel ADC
Product
Driver/Final
Integrated Doherty
Driver/Final
MMIC
Integrated Doherty
Driver/Final
Function
fmin (MHz)
1450
1800
2010
1
2100
2110
2300
3400
3400
Product
MPA
(medium power amplifier)
Function
MMIC
Product
Dual VGA
(variable gain amplifier)
Function
MMIC
Product
Dual mixer
Function
MMIC
Max. sampling
frequency
650 Msps
160 Msps
125 Msps
750 Msps
125 Msps
125 Msps
125 Msps
fmax (MHz)
1550
2000
2025
2200
2200
2170
2700
3800
3800
P1dB (W)
40
40
50
10
30
50
75
25
50
Product
PLL + VCO
(LO generator)
MMIC
14
14
14
14
11
14
14
GP (dB)
22
18.8
14.5
18.5
29.5
14
17
15
14
Interface
Type
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
JESD204A
LVCMOS&LVDS DDR
LVCMOS&LVDS DDR
JES204A
DAC1405D650
DAC1405D160
DAC1401D125
DAC1408D750
ADC1112D125
ADC1412D125
ADC1413D125
Package
SOT1112A
SOT608A
SOT1130B
SOT538A
SOT834-1
SOT1130B
SOT1121B
SOT608B
SOT502A
Type
BLF6G15L-40BRN
BLF6G20-40
BLD6G21LS-50
BLF6G21-10G
BLM6G22-30
BLD6G22LS-50
BLF7G27LS-75P
BLF6G38S-25
BLF6G38-50
Package
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
Type
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130
Gain range
24 dB
Package
Type
BGA7350
28 dB
Frequency range
1.7 - 2.7 GHz
0.7 - 1.2 GHz
SOT617
BGA7351
Package
Type
BGX7220*
BGX7221*
SOT1092
Package
MMIC
LNA
# of bits
PL (1 dB) @ 940 MHz
21 dBm
25 dBm
24 dBm
28 dBm
28 dBm
30 dBm
Product
Function
LNA
ADC
Data converter
HPA
RF SAW
Rx0
mixer
Clock
Recovery
jitter
cleaner
Function
LNA
Rx1
mixer
Function
LNA
RF SAW
ADC
DDC/
DUC
Filtering
Tx1
Dual VGA
LPF
Type
BGU7051
BGU7052
BGU7053
SOT650
Noise
Package
Type
-131 dBc/Hz @ 1 MHz
offset @ 5.3 GHz
SOT617
BGX7300*
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
产品亮点:
BGX7221 MMIC 双下变频混频器
BGX7221 包含一对高性能、高线性下变频混频器,可供有共本振的接收机
使用,例如,接收机中的主路径和分集路径一起使用。此设备覆盖的波段范
围为 1700 至 2700 MHz,运行平稳。
14
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 8.5 dB 转换增益,涵盖所有波段
`` 13 dBm 输入,1 dB 压缩点
`` IP3为25.5 dBm
`` 10 dB(典型)小信号噪声系数
`` 集成有源偏置
`` 采用 5 V 单电源供电
`` 单个混频器可断电,带硬件控制引脚
`` 断电模式下为低偏置电流
`` 匹配到 50 Ω 单端型 RF 和 LO 输入阻抗
`` 所有管脚均提供 ESD 保护
1.2 宽带通信基础设施
1.2.1 CATV 光接收模块 (带多个输出端口的光节点)
RF power
amplifier
按应用划分的产品
应用框图
duplex
filter
coax out
port 1
fiber in
RF forward
receiver
RF preamplifier
splitter
coax out
port 2
coax out
port 3
coax out
port 4
bra852
推荐产品
Function
RF forward
receiver
Function
RF
pre-amplifier
Product
Forward
path receiver
Frequency
870 MHz
Product
Frequency
Power doubler
870 MHz
870 MHz
Push-pulls
1 GHz
Function
RF power
amplifier
Product
Power
doublers
Frequency
870 MHz
1 GHz
Package
SOT115
SOT115
SOT115
Type
BGO807
BGO807CE
BGO827
Gain (dB)
18.2 - 18.8
18 - 19
21 - 22
23 - 24.5
27 - 28.5
Type
BGD812
BGY885A
BGY887
CGY1043
CGY1047
Gain (dB)
22 - 24
24 - 26
22 - 23.5
26.5 - 28
Type
CGD942C
CGD944C
CGD1042Hi
CGD1046Hi
产品亮点:
BGO807CE 光接收器
BGO807CE 是一个集成的光接收模块,它能提供高的输出电平,并包括一
个集成的温度补偿电路。在您的光节点设计中, BGO807CE 能提供高性价
比和坚固性。当把 HFC 网络从模拟升级到数字时,我们的 BGO807CE 是
最佳选择。
特点
`` 卓越的线性度
`` 低噪声
`` 卓越的平坦度
`` 标准 CATV 外形
`` 稳固的结构
`` 镀金工艺保证了卓越的可靠性
`` 高光功率输入范围
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
15
1.2.2 CATV 电放大器 (延长放大器)
应用框图
duplex
filter
RF preamplifier
RF power
amplifier
duplex
filter
coax in
coax out
RF reverse
amplifier
bra505
推荐产品
Function
Product
Frequency
550 MHz
600 MHz
750 MHz
RF
pre-amplifier
Push-pulls
870 MHz
1003 MHz
Function
Product
RF reverse
amplifier
Reverse
hybrids
Frequency
5-75 MHz
5-120 MHz
5-200 MHz
Gain (dB)
34 - 35
33.5 - 35.5
26.2 - 27.8
21 - 22
33.2 - 35.2
18 - 19
21 - 22
18 - 19
21 - 22
33.5 - 34.5
34.5 - 36.5
18 - 19
21 - 22.5
23 - 24.5
27 - 28.5
29 - 31
32 - 34
Type
BGY588N
BGY588C
BGY587B
BGY687
BGE788C
BGY785A
BGY787
BGY885A
BGY887
BGY888
CGY888C
BGY1085A
CGY1041
CGY1043
CGY1047
CGY1049
CGY1032
Gain (dB)
29.2 - 30.8
24.5 - 25.5
23.5 - 24.5
Type
BGY68
BGY66B
BGY67A
Function
Product
Frequency
550 MHz
750 MHz
870 MHz
RF power
amplifier
Power
doublers
1003 MHz
全部具有 SOT115 封装
产品亮点:
CGD1046Hi
具有高输出功率的 CGD1044Hi 主要设计用于光纤延长节点应用 (N+1/2/3)。
这个 1 GHz 混合放大器解决方案提供了扩大的温度范围、在浪涌情况下的高
功率超载能力和高 ESD 等级、低成本。它具有耐久性并提供优异的强度。
16
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 高输出功率
`` 适用于功率倍增器的高功率增益
`` 极低的噪声
`` 绿色环保产品
`` 用于高端应用的 GaAs HFET 管芯技术
`` 稳固的构造
`` 高等级 ESD 保护
`` 集成的环形波防护
`` 专为数子通道负载的优化设计
`` 温度补偿增益响应
`` 优化的热处理
`` 优秀的耐温性
Gain (dB)
18-19
19.5 - 20.5
18.2 - 18.8
18.2 - 18.8
20 - 20.6
18 - 19
18.2 - 18.8
19.7 - 20.3
22 - 23
24 - 26
22 - 24
24 - 26
19.5 - 22
22 - 23.5
23.5 - 25.5
26 - 28
22 - 24
23.5 - 25.5
26 - 28
Type
BGD502
BGD704
BGD712
BGD712C
BGD714
BGD802
BGD812
BGD814
CGD942C
CGD944C
CGD1042H
CGD1044H
CGD1040Hi
CGD1042Hi
CGD1044Hi
CGD1046Hi
CGD982HCi
CGD985HCi
CGD987HCi
1.3 电视与卫星
1.3.1 电视接收网络接口模块 (NIM)
RF input
VGA
surge
按应用划分的产品
应用框图
CONVENTIONAL
TUNER OR
SILICON TUNER
RF SW
WB LNA
RF output
brb403
推荐产品
Function
Product
5 V silicon RF
switch
RF Switch /
PLT switch
MOSFET
3.3 V silicon
RF switch
Package
SOT23
SOT143B
SOT143R
SOT343
SOT343R
SOT143B
SOT143R
SOT343
SOT343R
Type
BF1107
BF1108
BF1108R
BF1108W
BF1108WR
BF1118
BF1118R
BF1118W
BF1118WR
产品亮点:
使用 BF11x8 来节省能量
BF11x8 系列是小信号 RF 开关 MOSFET,它可用于开关最大 1 GHz 的 RF
信号。采用 BF11x8 系列作为 RF 开关,您能够实现节电。
当记录装置(DVD-R、HDD-R、VCR、DVR)的电源被断开时,人们仍然能
够继续收看电视节目,即便天线是通过记录装置形成环路的。如果不使用
BF11x8 产品,天线来的信号就会被丢失。
Function
AGC control
amplifier
Product
MOSFET
Package
Type
2-in-1 with
band switch
@5V
SOT363
BF1215
2-in-1 @ 5 V
SOT363
BF1216
5V
SOT343
BF1217
注释:鉴于现在在 MOSFET 之前有一个 LNA,MOSFET 的增益变得略低了一些,交叉调
制变得更高。从而 MOSFET 即使在正常的RF 输入水平下也无需频繁进行 AGC 调整。
使用 BF11x8 产品后,当记录装置的电源被接通的一瞬间,BF11x8 产品可
将 RF 小信号通过记录装置送到电视。当记录装置的电源被完全切断的一瞬
间,BF11x8 闭合。这能确保 RF 小信号直接环通到电视调谐器上,正常的电
视节目接收得以保证。节电功能得益于记录装置能够被关闭。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
17
推荐产品
Function
VGA
LNA
Product
MMIC
RF bipolar
transistor
Package
Type
Wideband
amplifier
with gain
levels of 5
and 10 dB,
plus a bypass
mode.
Vsupply = 5 V
SOT363
BGU7033^
Wideband
amplifier
with gain
level of 10 dB
and a bypass
mode.
Vsupply = 5 V
SOT363
BGU7032^
Wideband
amplifier
with gain
level of 10 dB
and a bypass
mode.
Vsupply = 3.3 V
SOT363
BGU7042^
Wideband
amplifier
with gain
level of
10 dB.
Vsupply = 5 V
SOT363
BGU7031^
Wideband
amplifier
with gain
level of
10 dB.
Vsupply = 3.3 V
SOT363
BGU7041^
Wideband
transistor
SOT143
SOT89
BFG520
BFG540
BFQ540
^ = 这一新系列 LNA MMIC 是专为高线性度 (IP3O 为 29 dBm),低噪声应用,例如那
些用于有源分配器或者 NIM 调谐器而设计。封装在一个 6 引脚 SOT363 塑料 SMD 封
装内,这些 MMIC 都配有内部偏置并内部匹配至 75 Ω。对于 VGA,电流消耗在旁路模
式下 < 5mA。只需 2 个外部元件,而节省了珍贵的电路板空间!
产品亮点:
在一个含有 BGU703x ∕BGU704x 的 NIM 调谐器内可制成一个高
性能有源分配器
当今的电视调谐器要求有更灵活的设计和更复杂的信号处理能力。一个电
视信号接收器的前端已经不仅仅是一个调谐的接收器,而是一个含有经调
谐的解调器、有源分配器和再调制器的 RF 网络接口模块 (NIM)。有源分配
器需要一个拥有优异线性度的 LNA。我们开发了一个新系列的 LNA/ VGA
18
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
MMIC (BGU703x/BGU704x),它专为高线性度(IP3O 为 29 dBm)的低噪
声应用,例如在一个 NIM 调谐器中的有源分配器而设计。BGU703x 系列可
以在 5 V 电压下工作,供正常的电视调谐器使用。BGU704x 系列可在 3.3 V
电压下工作,可以与我们的 Si 调谐器 IC 无缝协作,Si 调谐器 IC 的工作电
压亦为 3.3 V。
1.3.2 基础电视调谐器
应用框图
MOSFET
From antenna,
cable, active splitter,
etc.
MOPLL
IC
按应用划分的产品
RF input
IF
VAGC
bra500
推荐产品
Function
Product
VHF low
Input filter
Varicap
diode
VHF high
UHF
Function
Product
5V
RF
pre-amplifier
MOSFET
2-in-1 @ 5 V
2-in-1 @ 3 V
V
Package
SOD323
SOD523
SOD882D
SOD323
SOD523
SOD523
SOD882D
SOD882D
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD523
Type
BB152
BB182
BB182LX
BB153
BB178
BB187
BB178LX
BB187LX
BB149A
BB179LX
BB179
BB189
Package
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT666
SOT666
SOT363
SOT363
SOT363
SOT666
Type
BF1201
BF1202
BF1105
BF1211
BF1212
BF1102R
BF1203
BF1204
BF1205
BF1205C
BF1206
BF1207
BF1208
BF1208D
BF1210
BF1214
BF1218
BF1206F
Function
Bandswitching
Function
Product
Bandswitch diode
Product
VHF low
Bandpass
filter
Varicap
diode
VHF high
UHF
Function
Product
VHF low
Oscillator
Varicap
diode
VHF high
UHF
Function
RF
pre-amplifier
Product
MOSFET
Package
SOD523
SOD523
SOD523
Type
BA277
BA891
BA591
Package
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD882D
SOD523
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD523
Type
BB152
BB182LX
BB182
BB153
BB178LX
BB178
BB187LX
BB187
BB149A
BB179LX
BB179
BB189
Package
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD882D
SOD523
SOD323
SOD882D
SOD523
SOD523
Type
BB152
BB182LX
BB182
BB153
BB178LX
BB178
BB187LX
BB187
BB149A
BB179LX
BB179
BB189
Package
Type
2-in-1 with
band switch
@5V
SOT363
BF1215
2-in-1 @ 5 V
SOT363
BF1216
5V
SOT343
BF1217
产品亮点:
特点
BF1206F 双栅场效应管放大器是为低功率应用设计
`` 低额定功率
`` 两个放大器,封装于一个小的 SOT666 封装内
`` 共享的栅极 2 和源管脚
`` 每个放大器通过一个外部偏压电阻来实现偏压
`` 卓越的噪声指标和交叉调制性能
此设备含有两个双栅场效应管放大器,装在一个小的 SOT666 扁平引线封
装内。BF1206F 是专门为低电压和低电流而设计的真正的低功率设备,用于
对功率损耗比较敏感的移动应用中。其性能适合于电源电压为 3 V 和电流
为 4 mA 的应用。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
19
1.3.3 卫星室外单元,供多个用户使用的低噪声模块 (LNB)
您在寻找完全集成式混频器∕振荡器∕下变频器?
有关所有 LNB 架构,请参阅第 2.3.2 章完整卫星产品组合
应用框图
horizontal
1st
antenna stage
LNA
2nd
stage
LNA
3rd
stage
LNA
mixer
H low
IF amplifier
low
oscillator
mixer
BIAS IC
V low
mixer
IF amplifier
H high
IF
amplifier
(4 x 2)
IF
SWITCH
IF out 1
IF amplifier
vertical
antenna
high
oscillator
IF
amplifier
V high
1st
stage
LNA
2nd
stage
LNA
3rd
stage
LNA
mixer
IF amplifier
IF out 2
brb022
推荐产品
Function
Product
RF bipolar
transistor
Oscillator
RF transistor
Function
Wideband
transistor
SiGe:C
transistor
Product
General
purpose
amplifier
1st stage
IF
amplifier
MMIC
IF gain block
RF bipolar
transistor
Function
Wideband
transistor
Product
IF switch
RF diode
PIN diode
Package
SOT343
SOT343F
SOT343F
Type
BFG424W
BFG424F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
Package
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT343
SOT343F
Type
BGA2711
BGA2712
BGA2748
BGA2714
BGA2717
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BFG424W
BFG424F
Package
various
various
various
various
various
Type
BAP64^
BAP51^
BAP1321^
BAP50^
BAP63^
Function
Product
General
purpose
amplifier
Output
stage IF
amplifier
MMIC
IF gain block
BGA28xx IF 增益模块是拥有内部匹配电路的硅单片微波集成电路 (MMIC)
宽带放大器,具有 6 引脚 SOT363 塑料 SMD 封装。
20
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Type
BGA2709
BGA2776
BGM1014
BGM1012
BGA2716
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
SOT343
BFG325
2nd stage LNA
RF transistor
SiGe:C
SOT343F
BFU710F
BFU730F
SiGe:C
transistor
SOT343F
SiGe:C
transistor
SOT343F
Function
Product
3 rd stage LNA
RF transistor
Function
Product
Mixer
RF transistor
Package
Package
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
BGA28xx-系列,IF 增益模块
Package
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
特点
`` 在输出阶段应用时,无需输出电感
`` 50 Ω 内部匹配
`` 反向隔离在高达 2 GHz时 > 30 dB
`` 高线性度,具有极低二次和三次分量
`` 绝对稳定 (K > 1)
Type
BFU710F
BFU730F
Type
BFU710F
BFU730F
1.3.4 卫星多开关盒 - 4 x 4 (高达 16 x 16) ∕DiSEqC∕SMATV
应用框图
satellite dishe(s)
input
amplifiers
LNB
按应用划分的产品
input
terrestrial
amplifier
input
terrestrial
output
amplifiers
coax out to STB
SWITCH MATRIX
FOR 4 × 4,
NEEDS 16
(SINGLE) PIN
DIODES
coax out to STB
coax out to STB
coax out to STB
brb023
推荐产品
Function
Input
amplifier
terrestrial
Function
Product
MMIC
Product
MMIC
Input
amplifier
LNB
Package
General
purpose
medium
power
amplifier
RF bipolar
transistor
General
purpose
amplifier
Wideband
transistor
SiGe:C
transistor
Function
Switch
matrix
Product
RF diode
RF transistor
SOT89
SOT908
Package
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT343
SOT343
SOT143
SOT143
SOT343F
Package
PIN diode
SiGe:C
transistor
Various
SOT343F
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7024
BGA7124
Type
BGA2771
BGA2776
BGA2709
BGM1012
BFG325
BFG425W
BFG520
BFG540
BFU725F/N1
BFU730F
Type
BAP50^
BAP51^
BAP63^
BAP64^
BAP70^
BAP1321^
BFU725F/N1
BFU730F
Function
Product
MMIC
Package
General
purpose
medium
power
amplifier
General
purpose
amplifier
Output
amplifier
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
SiGe:C
transistor
SOT89
SOT908
SOT363
SOT363
SOT363
SOT223
SOT223
SOT223
SOT143
SOT343F
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7024
BGA7124
BGM1011
BGM1013
BGM1014
BFG135
BFG 591
BFG198
BFG540
BFU725F/N1
BFU730F
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
用于切换矩阵的 PIN 二极管
具有卓越的 RF 性能,因为其具有极低的正向电阻、二极管容值和串联电感
值,使得此产品易于被设计。通过提供一系列高度紧凑的封装选项 — 包括
SOD523、SOD323 和无引脚 SOD882D,可显著地节省板级空间。
特点
`` 高隔离度、低失真、低插入损耗
`` 低正向电阻 (Rd) 和二极管电容 (Cd)
`` 有超小型封装可选
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
21
1.3.5 VSAT
应用框图
OUTDOOR UNIT
INDOOR UNIT
IF
POWER
SUPPLY
PA
IF1
MOD
BUF
DIGITAL
SIGNAL
PROCESSOR
REF
MPX
to/from
IDU
REF
MPX
PMU
PMU
LNA
IF2
SYNTH
PLL
´N
PLL
OMT
ANTENNA
BUF
DATA
INTERFACE
IF1
DEMOD
Product
Package
IF gain block
MMIC
MMIC
General purpose
wideband
amplifiers
SOT363
IF
Function
Product
LNA
22
Package
SiGe:C transistor
SOT343F
Wideband
transistor
SOT343R
RF transistor
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
LNA1
brb405
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室内单元
Function
LNA2
SOT143R
Type
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGM1012
BGA2714
BGA2748
BGA2771
Type
BFU725F/N1
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFG425W
BFG424W
BFG325/XR
推荐产品
室外单元
Product
Package
IF gain block
MMIC
SOT363
IF
MMIC
Function
General purpose
wideband
amplifiers
Product
LNA2
Function
Package
RF transistor
SiGe:C transistor
MMIC
SiGe:C MMIC
Product
PLL
Function
Oscillator
Type
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BGU7003
SOT343F
SOT891
Package
RF IC
SiGe:C IC
Product
Type
TFF1003HN
TFF1007HN
TFF11xxxHN^
SOT616
Package
Type
BFG424W
BFG425W
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
Wideband
transistor
SOT343R
SiGe:C transistor
SOT343F
Varicap diode
Package
SOD523
Type
BB202
Package
Type
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
RF transistor
Function
Synth
Product
RF diode
Function
Product
Buffer
Type
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BGM1014
BGM1013
BGM1012
BGA2714
RF transistor
SiGe:C transistor
按应用划分的产品
Function
SOT343F
^ = 17种不同型号的LO范围:7-15 GHz,参见章节3.4.2
产品亮点:
TFF1003HN
TFF1003HN 是一个 Ku 波段频率生成器,它用于 Ku 波段 VSAT 发射器和
收发器的低相噪本振 (LO) 电路。符合国际通信卫星组织 IESS-308 标准的
特定相噪要求。
特点
`` 符合 IESS-308 标准的相噪 (Intelsat)
`` 带 VCO 的 LO 发生器覆盖波段从 12.8 GHz 到 13.05 GHz
`` 输入信号为 50 MHz 到 815 MHz
`` 除数设置为 16、32、64、128 或者 256
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
23
1.4 便携式设备
1.4.1 GPS
应用框图
external
active
antenna
LNA
BPF
SPDT
embedded
antenna
LNA
BPF
BPF
GPS
RECEIVER
IC
001aan955
推荐产品
Function
Product
SPDT Switch
Function
RF diode
Package
PIN diode
Product
RF transistor
various
Package
SiGe:C
transistor
SOT343F
SOT891
LNA
MMIC
SiGe:C
MMIC
SOT886
Type
BAP64^
BAP1321^
BAP51^
Type
BFU725F /N1
BFU710F
BFU730F
BGU7003
BGU7003W
BGU7004
BGU7005
BGU7007
BGU7008
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
针对 GPS、GLONASS 和 Galileo 的 BGU7007 SiGe: C LNA
MMIC
BGU7007 是低噪声放大器 (LNA),采用塑料、无引脚、6 针、极小型
SOT886 封装,用于 GNSS 接收器。它仅需一个外部匹配电感和一个外部去
耦电容。
24
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 覆盖全部 GNSS L1 波段,从 1559 MHz 到 1610 MHz
`` 噪声系数 (NF) = 0.85 dB
`` 增益 = 18.5 dB
`` 高 1 dB 压缩点 — 12 dBm
`` 高带外 IP3i — 4 dBm
`` 电源电压 1.5 到 2.85 V
`` 断电模式电流消耗 < 1 μA
`` 4.8 mA 低电源电流优化性能
`` 集成式温度稳定偏置,方便设计
`` 只需一个输入匹配电感和一个电源去耦电容
1.4.2 FM 收音机
应用框图
按应用划分的产品
headset
antenna
LNA
SPDT
embedded
antenna
LNA
FM
RECEIVER
IC
001aan956
推荐产品
Function
SPDT switch
Function
Product
RF diode
Package
PIN diode
Product
various
Type
BAP64^
BAP 65^
BAP1321^
BAP51^
Package
Type
RF transistor
SiGe:C
transistor
SOT343F
BFU725F /N1
MMIC
SiGe:C
MMIC
SOT891
SOT886
BGU7003
BGU7003W
LNA
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
BGU7003W MMIC 宽带放大器
BGU7003W 是一种宽带放大器,采用 SiGe:C 技术,供高速、低噪声应用使
用,采用塑料、无引脚、6 针、极薄、小型 SOT886 封装。
特点
`` 适合 40 MHz 到 6 GHz
`` 高电阻 FM LNA:100 MHz 时为 13 dB 增益和 1.1 dB NF
`` 50 Ω FM LNA:100 MHz 时为 15 dB 增益和 1.4 dB NF
`` 集成式温度稳定偏置,方便设计
`` 偏置电流可通过外部电阻配置
`` 断电模式电流消耗 < 1 μA
`` 所有管脚均提供 ESD 保护 > 1 kV 人体模式 (HBM)
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
25
1.4.3 手机接收模块
应用框图
GSM/
EDGE
GSM/EDGE FE
SWITCH
TRANSCEIVER
PA
BPF
UMTS
LTE
duplexer
001aan957
推荐产品
Function
LNA
Product
MMIC
SiGe:C MMIC
Package
SOT891
SOT886
Type
BGU7003
BGU7003W
产品亮点:
BGU7003 MMIC 宽带放大器
BGU7003W 是一种宽带放大器,采用 SiGe:C 技术,供高速、低噪声应用使
用。采用塑料、无引脚、6 针、极薄、小型 SOT886 封装。
26
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 适合 40 MHz 到 6 GHz
`` LTE LNA:750 MHz,1.4 dB NF,18.5 dB 增益和 -5 dBm IIP3
`` 集成式温度稳定偏置,方便设计
`` 偏置电流可通过外部电阻配置
`` 断电模式电流消耗 < 1 μA
`` 所有管脚均提供 ESD 保护 > 1 kV 人体模式 (HBM)
1.4.4 802.11n WLAN (双并行)
low pass
filter
按应用划分的产品
应用框图
PActrl
Tx
antenna
SPDT
switch
medium
power
amplifier
APPLICATION
CHIPSET
Rx
bandpass
filter
LNA
SPDT
bra502
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Function
Medium
power
amplifier
Function
LNA
Product
MMIC
Package
Medium power
amplifier
Product
RF Transistor
MMIC
SOT89
SOT908
Package
SiGe:C
transistor
SiGe:C MMIC
SOT343F
SOT891
Type
BGA7024
BGA7027
BGA7124
BGA7127
Type
BFU725F/N1
BFU730F
BGU7003
产品亮点:
中等功率放大器 BGA7127 MMIC
BGA7127 MMIC 是一种单级驱动放大器,采用低成本超小型 SOT908 无
引脚封装。它能提供 28 dBm 的输出 1 dB 增益压缩点及其它卓越性能,适
用于频率高达 2700 MHz 的各种窄波段应用电路。
特点
`` 400 MHz 到 2,700 MHz 的频率操作范围
`` 在2 GHz 时可实现 13 dB 小信号增益
`` 1 dB 增益压缩时提供 28 dBm 功率输出
`` 集成有源偏置
`` 3.3 V / 5 V 单电源供电
`` 简单的静态电流调整功能
`` 1 μA 关断模式
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
27
1.4.5 RF 通用前端
应用框图
antenna
filter
LNA
filter
mixer
buffer
SPDT
switch
filter
VCO
PA
driver
LOW
FREQUENCY
CHIP SET
VCO
bra850
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Function
Product
SPDT Switch
RF diode
Bandswitch
diode
PIN diode
Function
Product
Wideband
transistor
RF bipolar
transistor
LNA
MMIC
Function
Product
RF bipolar
transistor
Driver
MMIC
SiGe:C
transistor
Package
SOD523
SOD323
various
various
Type
BA277
BA591
BAP51^
BAP1321^
Function
Package
SOT23
SOT323
SOT323
Type
PBR951
PRF957
PRF947
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BGA2001
BGA2003
Function
SOT343F
SOT343R
Low noise
wideband ampl. SOT343R
Wideband
transistor
Amplifier
Gen. purpose
wideband ampl.
Package
SOT323
SOT23
SOT363
SOT363
SOT363
Mixer
Buffer
Function
Power
amplifier
Function
VCO
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
MMIC
Linear mixer
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
Product
MMIC
Product
Varicap
diodes
Gen. purpose
wideband
ampl.
VCO varicap
diodes
Package
SOT343
SOT343
SOT343
SOT363
Type
BFG410W
BFG425W
BFG480W
BGA2022
Package
SOT23
SOT323
SOT323
SOT416
Type
PBR951
PRF957
PRF947
PRF949
Package
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7024
BGA7027
SOT89
Package
SOD523
SOD323
Type
PRF957
PBR951
BGA2031/1
BGA2771
BGA2776
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
BFU790F 硅 NPN 锗微波晶体管
硅 NPN 锗微波晶体管采用塑料、4 针双发射器 SOT343F 封装,可用于高
速、低噪声应用。
28
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 低噪声、高速线性度微波晶体管
`` 110-GHz fT 硅锗技术
`` 最大输出功率,1.8 GHz 时 1 dB 压缩输出功率为 20 dBm
Type
BB198
BB156
1.5 汽车
1.5.1 有源天线,例如 SDARS 和 GPS
按应用划分的产品
应用框图
antenna
2nd
stage
LNA
1st
stage
LNA
filter
3rd
stage
LNA
CHIPSET
001aan958
推荐产品
Function
1st stage
LNA
Function
2nd stage
LNA
Function
3 rd stage
LNA
Product
MMIC
Package
Low noise wideband
amplifier
Product
MMIC
SOT343R
SOT343F
Package
SOT343F
General purpose
wideband amplifier
Product
SOT363
Package
RF transistor
SiGe:C transistor
MMIC
SiGe:C MMIC
SOT343F
SOT891
Type
BGA2001
BGA2003
BFU730F
Type
BFU690F
BGM1013
BGM1011
BGA2715
BGA2748
Type
BFU690F
BFU725F/N1
BFU790F
BGU7003
产品亮点:
BGU7003 MMIC 宽带放大器
得益于恩智浦最新的 SiGe:C 工艺,这颗高频 RF MMIC 在延长电池使用寿
命的同时提供高质量的接收性能。它是 GaAs 产品的一种低成本的硅替代
品;与分离双极型晶体管相比,它具有更高的集成度并更容易设计。
特点
`` 低噪声、高线性度微波 MMIC
`` 在 1.575 GHz 时的最大稳定增益为 19 dB
`` 110-GHz fT 硅锗技术
`` 在低电流 (5-mA) 条件下的优化性能
`` 超薄、引脚 6 针 SOT891 封装
`` 集成式偏置和关断,方便集成
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
29
1.5.2 无线门禁系统,适用于有专用接收和发射天线的 RF 通用前端
应用框图
antenna
filter
receiver
LNA
filter
mixer
LOW
FREQUENCY
CHIP SET
buffer
VCO
antenna
filter
transmitter
PA
driver
VCO
LOW
FREQUENCY
CHIP SET
bra851
推荐产品
Function
Product
RF bipolar
transistor
LNA
MMIC
Wideband
transistor
Low noise
SOT343R
wideband ampl.
SiGe:C MMIC
Function
Product
RF bipolar
transistor
Driver
MMIC
Function
VCO
SOT891
Package
Wideband
SOT323
transistor
SOT23
Amplifier
SOT363
Gen. purpose SOT363
wideband ampl. SOT363
Product
Varicap
diodes
Package
SOT23
SOT323
SOT323
VCO varicap
diodes
Package
SOD323
SOD323
SOD523
SOD323
Type
PBR951
PRF957
PRF947
BGA2001
BGA2002^
BGA2003
BGU7003
Type
PRF957
PBR951
BGA2031/1
BGA2771
BGA2776
Type
BB148
BB149A
BB198
BB156
Function
Mixer
Function
Buffer
Function
Power
amplifier
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
MMIC
Linear mixer
Product
RF bipolar
transistor
Product
RF bipolar
transistor
MMIC
^ = 符合 AEC-Q101 (有一些限制)。
产品亮点:
用于 VCO 的可变电容二极管
变容二极管主要用作电压变容二极管电容器,而它们的二极管功能则是作为
第二选项。这些设备特别适于 ISM 波段应用中的压控振荡器 (VCO)。
30
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 卓越的线性
`` 卓越的匹配能力
`` 非常低的串联电阻
`` 高电容比
Wideband
transistor
Wideband
transistor
Amplifier
Gen. purpose
wideband
ampl.
Package
SOT343
SOT343
SOT343
SOT363
Type
BFG410W
BFG425W
BFG480W
BGA2022
Package
SOT23
SOT323
SOT323
SOT416
Type
PBR951
PRF957
PRF947
PRF949
Package
SOT323
SOT23
SOT363
SOT363
SOT363
SOT908
Type
PRF957
PBR951
BGA2031/1
BGA2771
BGA2776
BGA7124
1.5.3 胎压监测系统
按应用划分的产品
应用框图
antenna
filter
PA
driver
VCO
SENSOR
brb216
推荐产品
Function
PA
Function
Product
RF bipolar
transistor
Product
RF bipolar
transistor
Driver
MMIC
Function
VCO
Wideband
transistor
Wideband
transistor
Amplifier
Gen. purpose
wideband ampl.
Product
Varicap diodes VCO varicap diodes
Package
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT323
Type
BFR92A
BFR92AW
BFR94A^
BFR93AW
BFR94AW^
Package
SOT323
SOT23
SOT363
SOT363
SOT363
Type
PRF957
PBR951
BGA2031/1
BGA2771
BGA2776
Package
SOD523
SOD323
Type
BB198
BB156
^ = 符合 AEC-Q101 (有一些限制)。
产品亮点:
BFR94AW 硅 NPN 晶体管
设计用于信号频率高达 1 GHz 的 RF 放大器、混频器和振荡器,该硅 NPN
晶体管采用塑料 SOT323 (小型 — 微型) 封装形式。
特点
`` 高增益
`` 镀金工艺保证了卓越的可靠性
`` SOT323(小型 — 微型)封装
`` 符合 AEC-Q101 规定
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
31
1.5.4 车载收音机 (CREST IC:TEF6860HL、TEF6862HL)
应用框图
FM input
filter
& AGC
1st
mixer
IF
bandpass
filter
2nd
mixer
variable
BW filter
IF limiter
FM deamplifier modulator
f
AGC &
hum filter
oscillator
V
FM MPX
oscillator
AM LNA
DET
1st
mixer
RF input
filter
IF
bandpass
filter
2nd
mixer
IF
bandpass
filter
IF
AM deamplifier modulator
AM audio
bra501
推荐产品
Function
AM LNA
Product
RF transistor
Function
Product
FM input
filter & AGC
RF diode
JFET
Varicap
diode
PIN diode
Package
SOT23
Type
BF862
Package
SOT23
SOT23
SOD523
SOD323
Type
BB201^
BB207
BAP70-02
BAP70-03
Function
AGC &
hum filter
Product
Function
Product
Oscillator
RF diode
RF diode
Package
Type
PIN diode
SOT363
BAP70AM
Varicap
diode
Package
SOD323
SOD523
Type
BB156
BB208-02
^ = OIRT
注释 1:
这些推荐的分离产品均适用于 NICEPACS、CCC 和 DDICE:NICE:TEA6
840H、TEA6845H、TEA6846H、NICEPACS:TEA6848H、TEA6849H;CC
C:TEF6901H、TEF6903H;DDICE:TEA6721HL。所有这些推荐的分离设备
适用于除 DICE2:TEF6730HWCE 中的 AM LNA 以外的所有产品。
产品亮点:
BF862 结型场效应晶体管
我们的调谐设备系列包括了用于车载收音机接收应用和车载媒体平台的杰出
产品。我们的设备保证了卓越的接收性能,以及简便的设计过程。其性能在参
考设计中得到了验证。
专为车载收音机 AM 放大器设计的高性能结型场效应晶体管 BG862。
32
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
注释 2:
电话和便携式收音机(IC:TEA5767/68)使用变容二极管 BB202 作为 FM 振
荡器。
特点
`` 高转换频率和优化的输入电容,提供了卓越的灵敏度
`` 高转移导纳带来了高增益
`` 采用通用、易用的 SOT23 封装
1.6 工业、科学与医学 (ISM)
1.6.1 广播/ISM (10 - 1500 MHz 范围)
按应用划分的产品
应用框图
typ. 0.5 kW
DVB-T
Driver stages
TV exciter
DVB-T
typ. 5 kW DVB-T
output power
harmonic
filter
power
monitor
8× final
amplifiers
推荐广播产品
Function
Driver
Final
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
ηD
(%)
VDS
(V)
Package
Type
470
470
470
470
470
470
470
470
860
860
860
860
860
860
860
860
7
24
30
70
75
90
110
120
33
33
31
32
32
31
30
31
50
42
50
50
42
42
50
50
SOT467C
SOT467
SOT467
SOT539A
SOT979A
SOT1121
SOT539A
SOT539A
BLF642
BLF871(S)
BLF881(S)
BLF884P
BLF878
BLF879P
BLF888
BLF888A
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
VDS
(V)
0
0
0
0
10
1
1
1
1
1
1
10
470
10
1400
10
470
470
88
10
10
10
1000
1000
1500
1500
500
1400
1000
1000
1400
800
1500
500
860
500
1500
500
860
860
108
500
500
500
5
10
5
10
20
35
100
120
100
300
150
300
300
500
500
600
600
450
1000
500
1200
1200
50
50
32
32
50
32
42
50
32
32
32
50
50
50
50
50
50
42
50
50
50
50
推荐 ISM 产品
Function
Driver
Final
产品亮点:
BLF888A LDMOS 功率晶体管
恩智浦 50V 高电压 LDMOS 工艺提供最高功率与无可比拟的可靠
性。BLF888A (VSWR > 50:1) 为最新的数字广播提供最高功率水准。
Package
Type
SOT1179
SOT1179
SOT1179
SOT1179
SOT467C
SOT467C
SOT467
SOT467
SOT540A
SOT540A
SOT1120
SOT502
SOT539A
SOT1121A/B
SOT539
SOT539A
SOT539
SOT539A3
SOT539
SOT1240
SOT539A
SOT539A
BLP10H605
BLP10H610
BLP15M705
BLP15M710
BLF571
BLF642
BLF871
BLF881
BLF645
BLF647
BLF647P
BLF573(S)
BLF884P
BLF573P
BLF6G15L(S)-500H
BLF574
BLF888A(S)
BLF879P
BLF178P
BLF278XR
BLF578
BLF578XR
特点
`` 最佳宽带效率
`` 最高功率设备
`` 无与伦比的耐用性
`` 极低热阻设计,提供无可比拟的可靠性
`` 稳定的设备性能
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
33
1.6.2 无线抄表,适用于单天线应用的 RF 通用前端/ZigBee
应用框图
antenna
filter
LNA
filter
mixer
buffer
SPDT
switch
filter
E-METERING
CHIP SET
VCO
MPA
driver
VCO
bra850
推荐产品
Function
Product
SPDT Switch
RF diode
Bandswitch
diode
PIN diode
Function
Product
RF transistor
SiGe:C transistor
Package
SOD523
SOD323
various
various
Type
BA277
BA591
BAP51^
BAP1321^
Function
Package
Function
SOT343R
SOT343R
SOT891
Type
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BGA2001
BGA2003
BGU7003
Package
Type
SOT343
BFG425W
SOT363
SOT363
SOT363
BGA2031/1
BGA2771
BGA2776
SOT343F
LNA
MMIC
Function
Product
RF bipolar
transistor
Driver
MMIC
Low noise
wideband ampl.
SiGe:C MMIC
Wideband
transistor
Amplifier
Gen. purpose
wideband ampl.
Mixer
Buffer
Function
Medium power
amplifier
Function
VCO
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
MMIC
Linear mixer
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
Product
RF bipolar
transistor
Wideband
transistor
MMIC
Product
Varicap
diodes
Gen. purpose
wideband
ampl.
VCO varicap
diodes
^ = 也可提供超小无引脚封装 SOD882D。
产品亮点:
中等功率放大器 BGA7127 MMIC
BGA7127 MMIC 是一个单级驱动放大器,采用低成本超小型 SOT908 无引
脚封装。它能提供 27 dBm 的输出 1 dB 增益压缩点,及其它卓越性能,适
用于频率高达 2700 MHz 的各种窄波段应用电路。
34
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 400 MHz 到 2700 MHz 的频率操作范围
`` 2 GHz 时为 16 dB 小信号增益
`` 27 dBm 的 1 dB 增益压缩点
`` 集成有源偏置
`` 3.3 V / 5 V 单电源供电
`` 简单的静态电流调整功能
`` 1 μA 关断模式
Package
SOT343
SOT343
SOT343
SOT363
Type
BFG410W
BFG425W
BFG480W
BGA2022
Package
SOT23
SOT323
SOT323
SOT416
Type
PBR951
PRF957
PRF947
PRF949
Package
Type
SOT343
BFG21W
SOT908
SOT908
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7124
BGA7127
Package
SOD523
SOD323
Type
BB198
BB156
SOT89
1.6.3 RF 微波熔炉应用
应用框图
oscillator
MPA
按应用划分的产品
antenna
HPA
isolator
CONTROLLER
brb418
推荐产品
Function
Product
Package
SOT343R
RF transistor
Oscillator
SOT343F
Function
Product
Driver
HPA
Final
Function
Product
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Type
1
1
1
2400
2400
2400
2400
2400
2400
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
4
10
12
20
140
180
200
250
250
SOT1179
SOT1179
SOT975B
SOT1138
SOT1179
SOT539
SOT502
SOT539
SOT1179
BLP25M74
BLP25M710
BLF25M612
BLM2425M720
BLP2425M8140
BLF2425M6L(S)180P
BLF2425M7L(S)200
BLF2425M7L(S)250P
BLP2425M8250P
Package
SOT89
MPA
(medium
power
amplifier)
MMIC
Type
BFG410W
BFG424W
BFG425W
BFG424F
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
产品亮点:
针对 ISM 2.45 GHz 的新产品系列
恩智浦的第 6 代和第 7 代 LDMOS 技术加上先进的封装概念,让功率放
大器能在 2.45 GHz 时提供最佳性能。无可比拟的耐用性和低热阻以及
LDMOS 工艺的固有效率使得这些晶体管成为熔炉应用的理想之选。
特点
`` 卓越的耐用性
`` 稳定的设备性能
`` 低热阻设计,非凡的可靠性
`` 易于设计
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
35
1.6.4 RF 等离子照明
您在寻找更多有关 RF 等离子照明的信息吗?
请参阅第 2.5.2 章 RF 驱动的等离子照明部分:固态 RF 技术将推动光源的下一波革命。
应用框图
RF (plasma) bulb
oscillator
MPA
HPA
CONTROLLER
brb436
推荐产品
Function
Product
RF transistor
Oscillator
Function
Product
Package
SOT143
SOT143
SOT23
SOT323
SOT323
SOT323
SOT343
SOT343
SOT363
SOT416
Type
BFG520
BFG325/XR
BFR520
BFR92AW
BFR93AW
BFS520
BFG520W
BFG325W/XR
BFM520
BFR520T
Package
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
SOT89
MPA
(medium
power
amplifier)
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
MMIC
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
Function
Product
Driver
Final
Driver
HPA
Final
Driver
Final
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Type
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2400
2400
2400
2400
2400
500
500
500
500
500
500
1000
1000
1000
1000
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
20
300
500
500
1000
1000
10
100
120
300
4
12
140
180
200
250
250
SOT467C
SOT502A
SOT539A
SOT1240
SOT539A
SOT539A
SOT1179
SOT467C
SOT1138
SOT1138
SOT1179
SOT975B
SOT1179
SOT502
SOT502
SOT539
SOT1179
BLF571
BLF573(S)
BLF574
BLF278XR
BLF578
BLF578XR
BLP10H610
BLF871(S)
BLP10H6120
BLP10H6300P
BLP25M74
BLF25M612
BLP2425M8140
BLF2425M7L(S)180
BLF2425M7L(S)200
BLF2425M7L(S)250P
BLP2425M8250P
产品亮点:
LDMOS 让 RF 照明成为现实
恩智浦 50 V 高压 LDMOS 工艺可提供最高功率,同时保证无可比拟的可靠
性,是此类应用的必备之选。
BLF578:1000 W 连续波工作 — 最高功率 LDMOS 晶体管。
36
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
特点
`` 最高功率设备
`` 无可比拟的耐用性
`` 极低热阻设计,提供无可比拟的可靠性
`` 稳定的设备性能
`` 适用于灵活使用的宽带设备
1.6.5 医疗影像
您在寻找更多有关医疗应用的信息吗?
请参阅第 2.5.1 章 RF 功率驱动的医疗应用:从成像到癌症治疗,
灵活和通用技术供医生使用
按应用划分的产品
应用框图
Magnet
X GRADIENT
AMPLIFIER
Gradient coils
RF coils
Y GRADIENT
AMPLIFIER
WAVEFORM
GENERATOR
Z GRADIENT
AMPLIFIER
RF amplifier
RF
ELECTRONICS
ADC
COMPUTER
IMAGE
DISPLAY
brb434
推荐产品
Function
Product
Driver
Final
Driver
HPA
Final
Driver
Final
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Type
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2400
2400
2400
2400
2400
500
500
500
500
500
500
1000
1000
1000
1000
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
20
300
500
500
1000
1000
10
100
120
300
4
12
140
180
200
250
250
SOT467C
SOT502A
SOT539A
SOT1240
SOT539A
SOT539A
SOT1179
SOT467C
SOT1138
SOT1138
SOT1179
SOT975B
SOT1179
SOT502
SOT502
SOT539
SOT1179
BLF571
BLF573(S)
BLF574
BLF278XR
BLF578
BLF578XR
BLP10H610
BLF871(S)
BLP10H6120
BLP10H6300P
BLP25M74
BLF25M612
BLP2425M8140
BLF2425M7L(S)180
BLF2425M7L(S)200
BLF2425M7L(S)250P
BLP2425M8250P
产品亮点:
LDMOS 用于越来越多的医疗应用
恩智浦 50 V 高压 LDMOS 设备系列可提供最高功率输出,并且为 MRI 和
NMR 应用中的脉冲操作提供无可比拟的耐用性。高功率密度可提供非常紧
凑的放大器设计。
特点
`` 最佳宽带效率
`` 最高功率 (密度) 设备
`` 无与伦比的耐用性
`` 稳定的设备性能
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
37
1.7 航空航天和防务
1.7.1 微波产品供航空电子设备、L 和 S 波段雷达应用使用
应用框图
RF signals
video, timing, bias voltage,
control and data
I-f signals
RF small signal
RF POWER BOARD
RF power
PLL VCO
MPA
mixer
HPA
ISOLATOR
ANTENNA
DRIVE
VGA
local oscillator
duplexer
DISPLAY
AND
CONTROL
WAVEFORM
GENERATOR
local oscillator signal
PLL VCO
control and timing
video
mixer
DETECTOR
LNA
IF amplifier
brb410
推荐产品
Function
Product
Driver
Final
Driver
Final
HPA
Driver
Final
38
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Applications
Type
1030
1030
1030
1030
960
1030
960
1030
960
500
1200
500
1200
1200
1200
2700
3100
2700
2900
2700
3100
2700
2900
2900
2700
3100
2900
2700
1090
1090
1090
1090
1215
1090
1215
1090
1215
1400
1400
1400
1400
1400
1400
3100
3500
3500
3300
3100
3500
3100
3300
3300
2900
3500
3300
3100
2
10
200
200
250
300
500
600
1000
25
35
130
250
250
500
6
20
30
100
120
120
130
130
150
350
350
200
200
SOT538A
SOT467C
SOT502A
SOT502A
SOT502A
SOT957A
SOT634A
SOT539A
SOT539A3
SOT467C
SOT467C
SOT1135
SOT502A
SOT502
SOT539A
SOT975C
SOT608
SOT1135
SOT502A
SOT502
SOT502
SOT922-1
SOT922-1
SOT922-1
SOT539
SOT539
pallet
pallet
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
Avionics
L-band
L-band
L-band
L-band
L-band
L-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
S-band
BLA1011-2
BLA1011-10
BLA6G1011-200R
BLA6G1011LS-200RG
BLA0912-250R
BLA1011-300
BLA6H0912-500
BLA6H1011-600
BLA6H0912-1000
BLL6H0514-25
BLL1214-35
BLL6H0514L(S)-130
BLL6G1214L-250
BLL6H1214L(S)-250
BLL6H1214-500
BLS6G2731-6G
BLS6G3135(S)-20
BLS6G2735L(S)-30
BLS2933-100
BLS6G2731(S)-120
BLS6G3135(S)-120
BLS6G2731S-130
BLS6G2933S-130
BLS7G2933S-150
BLS7G2729L(S)-350P
BLS7G3135L(S)-350P
BLS6G2933P-200
BLS6G2731P-200
Function
Discrete attenuator
Product
RF diode
PIN diode
Package
Type
Various^
BAP64
Function
LNA (low noise
amplifier) & Mixer
Function
Product
RF transistor
SiGe:C transistor
Product
Package
Type
SOT343F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
Package
Type
SOT363
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BGM1014
BGM1013
BGM1012
MMIC
IF amplifier
MMIC
General purpose
wideband
amplifiers
Function
PLL/VCO
LO generator
Product
RF IC
Function
Single VGA (variable
gain amplifier)
Product
Function
Dual VGA (variable
gain amplifier)
Product
Function
Product
MPA
(medium power
amplifier)
MMIC
MMIC
MMIC
SiGe:C IC
Gain range
23 dB
31 dB
Package
Type
SOT616
TFF1003HN
TFF1007HN
TFF11xxxHN^
Package
Type
BGA7202
BGA7204
SOT617
Gain range
24 dB
28 dB
Package
PL (1 dB) @ 940 MHz
21 dBm
25 dBm
24 dBm
28 dBm
28 dBm
30 dBm
Package
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
按应用划分的产品
^ = SOD523、SOD323、SOT23 & SOT323
Type
BGA7350
BGA7351
SOT617
Type
BGA6589
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
^ = 17 种不同型号的 LO 范围:7-15 GHz,参见章节 3.4.4
产品亮点:
特点
恩智浦推出高质量 S 波段托盘
`` P1 dB > 200 W
`` 效率 > 40%
`` 行业标准封装
`` 50 Ω 输入 ∕ 输出,匹配全部带宽
`` 内含轻质散热片
BLS6G2933P-200 是市场上首款基于 LDMOS 的行业标准托盘。此托盘的
效率超过 40%,支持完整的偏置网络,可以直接替换当前解决方案。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
39
2. 重点应用、产品和技术
2.1 无线通信基础设施
2.1.1 提供增强系统性能的超高线性度 VGA
恩智浦可变增益放大器 BGA7202/4、BGA7350/1
采用恩智浦创新的 QUBiC4 工艺制造,这些 VGA 在更小的空间内提供更多芯片功能,可满足系统性能最
苛刻的要求。
主要特点
`` BGA720x:发射 VGA
- 频率波段:700 到 2200 或 2750 MHz
- 增益范围:23 或 31.5 dB
- OIP3:最小衰减时为 +36 dBm/110 mA (BGA7202)、+41
dBm/520 mA (BGA7204)
`` BGA735x:双接收 IF VGA
- 频率波段:50 到 250 MHz
- 增益范围:24 或 28 dB
- OIP3:最小衰减时为 +44 dBm/245 mA 或更高
- 增益平坦度:0.1 dB
- 差分相位误差:0.1 度
``低功耗时拥有最佳线性度 (OIP3)
``所有管脚均提供 ESD 保护 > 2 kV HBM 和 > 1.5 kV CDM
`` HVQFN32 无引脚封装 (5 x 5 毫米)
BGA7202 和 BGA7204 是 RF VGA,用于发射路径。BGA7202 提
供 +45 dBm 输出三阶交调点 (OIP3) 和 27 dB 衰减。此衰减通过
模拟接口控制。
BGA7204 可提供 +37 dBm OIP3 和 32 dB 衰减。此衰减通过
数字接口控制。此外,BGA7204 的增益曲线可通过 SPI 接口进行
编程。
BGA7350 和 BGA7351 是双独立受控接收 IF VGA,工作频率
为 50 到 250 MHz。集成式匹配能提升接收器链的性能,因为
VGA 可在模拟到数字转换器中直接使用过滤器,以确保稳定的
输入水平。
主要应用
``无线基础设施基站
``多载波系统
BGA7350 的增益范围为 24 dB,而 BGA7351 的增益范围为 28
dB。对于两个设备来说,最大增益设置可在 1 dB 增益压缩 (P1dB)
时提供 18 dBm 输出功率,并且拥有卓越的线性性能和高达 +20
dBm 的过载能力。对于增益控制来说,各放大器使用单独的数字
增益控制代码,两组 5 位代码通过外部提供。这样获得的增益平坦
度为 0.1 dB。
这些高性能可变增益放大器 (VGA) 支持多个的频率波段和最
新的空中接口。它们可提供最佳的线性度、非常低的功耗、对带
外信号干扰的高免疫能力、杂散性能和输出功率。它们非常适合
GSM、W-CDMA、WiMAX、LTE 基站基础设施和多载波系统。
其他特点
全部四个设备均符合 RoHS 规定,采用节省空间的 HVQFN32 无
引脚封装,尺寸仅为 5 x 5 毫米。它们是无条件稳定设备,所有管脚
均可提供 ESD 保护,符合 1 级湿度灵敏度要求。
40
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
顶级 QUBiC4 工艺
恩智浦的行业领先 QUBiC4 技术于 2002 年投入使用,与 GaAs
技术相比,此技术现场部署范围更广,可提供更加一致的参数性
能。此技术促进了从 GaAs 到硅技术的迁移,在更小的空间中提
供更多功能。高集成度可减少设计足迹,提供更具成本竞争力的
设计作品。此外,它还可提供稳定性,显著节省制造成本。
完整信号链
恩智浦是少数几家能提供完整信号链产品的公司之一 — 从模拟混
合信号组件(例如 ADC 和 DAC)到 RF 小信号设备以及高功率 RF
放大器。这种系统级方式可使工程师采购的产品作为整体系统设计的
一部分良好运行,同时方便设计师优化当今的无线基础设施性能。
重点应用、产品和技术
此外,由于恩智浦可对所有核心 IP 实现内部访问,因此能够在未来支
持更高层级的集成。integration in the future.
选择向导
Gain
Vsup
Isup
Frequency
(MHz)
Type
Package
Control interface
(V)
(mA)
BGA7202
SOT617
Analog
5
530
BGA7204
SOT617
Parallel, serial, digital
5
110
range
@ minimum attenuation
@ maximum attenuation
Gain
OIP3
NF
Gain
OIP3
NF
(dB)
(dB)
(dBm)
(dB)
(dB)
(dBm)
(dB)
700 to 1450
23
23
41
7
0
30
30
1450 to 2200
23
23
41
7
0
30
30
700 to 1450
31.5
18
38
6.5
-13.5
10
38
1450 to 2100
30.5
17
36
6.5
-13.5
10
38
2100 to 2750
29.5
16
34
7.5
-13.5
10
38
BGA7350
SOT617
Parallel, digital
5
245
50 to 250
24
18.5
44
6
-5.5
50
30
BGA7351
SOT618
Parallel, digital
5
250
50 to 250
28
22
45
6
-6
50
34
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
41
2.1.2 适用于领先无线基础设施的 Doherty 放大器技术
最好的 PA 设计实现了大量的能源节省
恩智浦最新的功率放大器设计可使无线基础设施以极高的能源效率运转 — 向“绿色基站”发展。为了尽可能获得目前
最高的效率,恩智浦结合了最新一代 LDMOS 技术 (第 7 低和第 8 代) 和 Doherty 概念。LDMOS 技术的高性能和
Doherty 技术的效率相匹配,从而形成高效率、高增益、便于线性化以及更具成本效益的功率放大器。
由 W.H. Doherty 在 1936 年研发的 Doherty 放大器曾长期处于无人问津的状态,因为主导的移动通讯系统调制技
术 (FM、GMSK 和 EDGE) 不需要高均峰比 (PAR) 信号。然而,高功率及效率构建的 Doherty 放大器已经成为当今
发射 3G、4G 或者多载波信号的基站服务提供者的首选。
恩智浦 Doherty 放大器保证高效率,同时保持一个与两个晶体管相结合非常类似的峰值功率。输入和输出段都是内
部匹配,使得在宽频带上都有高增益和良好增益平坦度以及相位线性度的放大器设计。
集成 Doherty
恩智浦甚至可以提供全球首个全集成 Doherty 设计。从外部看来,
这些设备看起来像普通晶体管。实际上,它们是完全集成的 Doherty
放大器,它们为基站应用提供更高的效率水准。得益于这个普通级
AB 晶体管的简便设计,它们也可提供显著的空间和成本节约。
42
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
主要特点和优势
``在一个封装内包含分配器、主路和峰值路放大器、延时线和合路器
- 在 10 W 平均功率时效率为 40%
- 生产时无需额外调整
``和单级 AB 晶体管一样简单的设计
``完美适用于空间限制的应用 (例如:遥控收音机头、天线阵列)
``目前适用于 TD-SCDMA (BLD6G21L(S)-50) 和 W-CDMA
(BLD22L(S)-50);请参见章节 3.7.1.4 了解详细信息
主要特点和优势
``目前最高效的 Doherty 放大器设计
``经生产验证的一致性设计
``恩智浦 LDMOS 提供无可比拟的耐用性
``目前适用于以下频率波段:
- 728 - 821 MHz
- 869 to 960 MHz
- 1805 to 1880 MHz (DCS)
- 1930 to 1990 MHz (PCS)
- 1880 to 2025 MHz (TD-SCDMA)
- 2110 to 2170 MHz (UMTS / LTE)
- 2300 to 2400 MHz (WiBRO / LTE)
- 2500 to 2700 MHz (WiMAX / LTE)
- 3300 to 3800 MHz (WiMAX)
重点应用、产品和技术
分离的 Doherty 放大器
除集成版本外,恩智浦还提供适用于非常高效、高功率分离 2 路和
3 路 Doherty 放大器。基于 BLF7G22LS-130 设备的 2 路设计,可
为 W-CDMA 应用提供具有 43% 效率和 15.7 dB 增益的 47.0 dBm
(50 W) 解决方案。
我们的所有产品演示都具有全面的文档和硬件支持。
请参见章节 3.7.1.7 了解完整的可用设计列表。
借助双载波 W-CDMA 信号,我们的新的 3 路 Doherty 演示板甚至
可以在 48 dBm (63 W) 平均输出功率时实现 48% 的效率和 15.0
dB 增益。目前的设计符合 WCDMA 标准,用于波段 1,并且为高收
益、低调试和批生产量身定制。
特色 Doherty 设计
Freq band
(MHz)
PPEAK
(dBm)
POUT-AVG
(dBm)
VDS
(V)
Gain
(dB)
Drain Eff.
(%)
Type
Main transistor
Peak transistor
728-768
58
50
32
20.5
47
SYM
BLF6G10LS-200RN
BLF6G10LS-200RN
920-960
57.3
49.3
30
16
50
ASYM
BLF8G10LS-160
BLF7G10LS-250
1476-1511
58.1
49.6
28
16
42
ASYM
BLF7G15LS-200
BLF7G15LS-300P
1805-1880
58.6
51
28
16
47.6
3-WAY
BLF7G20LS-200
2x BLF7G20LS-200
1930-1990
58.2
50
28
16
40
SYM
BLF7G20LS-250P
BLF7G20LS-250P
2110-2170
47
39
28
13
38
SYM
BLD6G22L(S)-50
BLD6G22L(S)-50
2110-2170
57.2
49.2
28
16
47
3-WAY
BLF7G22LS-160
2x BLF7G22L(S)-160
2300-2400
55
47.5
28
15.2
44
ASYM
BLF7G24LS-100
BLF7G24LS-140
2500-2700
50.3
42.3
28
14.5
39
SYM
1/2 BLF7G27LS-90P
1/2 BLF7G27LS-90P
3400-3600
51
43
28
11.5
32
SYM
BLF6G38-50
BLF6G38-50
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
43
2.1.3 应用于无线基础设施的新一代 LDMOS RF 功率产品:恩智浦第 8 代设备
恩智浦近期宣布了供基站使用的第 8 代 RF 功率设备产品组合。我们在开发第 8 代产品时聆听了世界领先基础设施
提供商的心声,了解了他们的要求,从而采用整体方法进行开发。这意味着我们对功率晶体管的每一处细节都进行了仔
细检查,并且重新考虑了整个“晶体管系统”,最终研发出了新一代产品,新产品的效能明显优于先前产品,再次为行
业设定了新标准。
第 8 代明确地解决了无线基础设施行业的主要趋势
``将信号带宽提升到 100 MHz
``更低的成本
``减少机箱的尺寸∕重量∕体积
``不断提高用电效率,降低冷却要求和运营支出
``输出功率不断增大到新的水平
``部署多标准和适应未来的解决方案
第 8 代产品解决了所有经常发生冲突的要求。
封装和压铸设计以及输入和输出匹配结构经过优化,可保证成功设计
宽带、低价、紧凑、多标准和高效的 Doherty 功率放大器。
第 8 代晶体管的第一波已经部署于 960 MHz 应用中,具有极佳的线
性能力、顶级耐用性和 55% 的效率,可供多载波 GSM PA 使用。产
品的第二波涵盖 2.1 GHz 的 WCDMA-LTE 应用。针对所有其他移动
通信频率波段的解决方案正在研发之中。
第 8 代晶体管的第一波
Function
Type
BLF8G10L-160
HPA
44
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Planned
release
700
1000
160
SOT502A
Q311
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
Q112
Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM & LTE
applications
SOT539A
Description
BLF8G10L-300P
700
1000
300
BLF8G10L-320
700
1000
320
SOT502A
Q112
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF8G10L-80
700
1000
80
SOT502A3
Q411
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF8G10LS-160
700
1000
160
SOT502B3
Q311
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF8G10LS-300P
700
1000
300
SOT539B
Q112
Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM & LTE
applications
BLF8G10LS-320
700
1000
320
SOT502B3
Q112
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF8G10LS-80
700
1000
80
SOT502B
Q411
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
2.2 宽带通信基础设施
2.2.1 连接千家万户,保护您的网络:适用于中国国家广电总局入网标准的恩智浦 CATV C 系列模块
恩智浦 CATV C 系列模块是专门为中国光纤同轴电缆混合网 (HFC) 基础设施量身定制的产品,它为有线电视网络提
供了完整的解决方案。它不仅能灵活地应用于中国的有线电视“村村通”工程,而且可以轻而易举地应用于目前大城
市网络从模拟电视到数字电视的升级改造。所有的 C 系列产品都适用于中国国家广电总局 (SARFT) 的相关入网标
产品
`` BGY588C、BGE788C 和 CGY888C 推挽放大器
`` BGD712C、CGD944C、CGD942C、CGD982Hci、CGD985Hci
和 CGD987HCi 功率倍增器
`` BGO807C、BGO807CE 光接收模块
优势
``符合中国国家广电总局 HFC 入网标准
``透明顶盖易于确认产品的真伪
``坚固的构造
``最高水准的内部 ESD 保护设计
BGY588C、BGE788C 和 BGD712C 设备覆盖了 550 MHz 到
750 MHz 的频率范围。为了将 C 系列产品推向高端产品市场,我
们推出了 CGD944C、CGD942C、CGY888C 和 BGO807C,操
作频率在 40 MHz和 870 MHz 之间,它们已在中国频道配置条
件下专门进行了测试。采用我们的砷化镓 (GaAs) HFET 管芯技
术,CGD942C 和 CGD944C 是高增益、高性能 870MHz 的功率倍
增模块。CGD982HCi、CGD985HCi 和 CGD987HCi 的操作频率在
40 MHz 到 1003 MHz 之间,专门针对 870 MHz 和 1 GHz 设计。功
率倍增模块专门针对中国国家广电总局标准优化。它们足以满足包括
高功率光节点在内的高端产品应用需求。
我们的 GaAs HFET MMIC 管芯技术提供设计最好的 ESD 保护能
力,无需 GaAs pHEMT 器件所需的外部 TVS 部件。
特点
``卓越的线性度、稳定性和可靠性
``高功率增益
``极低的噪声
``氮化硅钝化处理
``用于高端应用的 GaAs HFET 管芯技术
所有 CATV C 系列产品都别具匠心地采用了全透明顶盖,使大家能
够轻易地鉴别模块真伪。
这些新型号不仅扩充了我们原有的高品质 CATV 产品系列,同时使
我们得以支持更广阔的 HFC 应用领域。我们着眼于中国有线电视系
统的整体解决方案,为现代有线电视网络架构提供更高性能的 C 系
列产品。
C 系列应用信息
NXP C-family by application
Application
BGY588C
BGE788C
CGY888C
BGD712C
BGO807C
CGD942C
BGO807CE
CGD944C
CGD982HCi
CGD985HCi
CGD987HCi
Optical node
•
•
•
•
Ordinary optical receiver
•
•
•
•
Distribution amplifier
•
•
•
•
Line extender amplifier
•
•
•
•
Terminating amplifier
•
•
•
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
45
重点应用、产品和技术
准,并且它们覆盖了从 550 MHz 到 1 GHz 的 HFC 网络应用。
BGY588C、BGE788C 和 CGY888C
由于它最靠近用户,所以 HFC 网络结构的最后阶段被称为“终端
IN
port
放大器”或“用户放大器”。每个终端放大器都需要一个单一模块,
例如 550MHz 的 BGY588C,750MHz 的 BGE788C,870MHz 的
PAD
OUT
port
EQ
BGY588C
BGE788C
CGY888C
CGY888C 系统。这些模块在中国的有线电视“村村通”工程中已得到
极其广泛的应用。
bra820
BGD712C
BGD712C 是一个 750 MHz、18 dB 的功率倍增模块,设计用于
750MHz 光节点,包括一般或光接收器以及信号分配放大器。它还可
以和 750 MHz 推挽模块一起应用于延伸放大器,例如 BGY785A 或
IN
port
PAD
BGY785A
BGY787
BGY787。因此可在中国的有线电视“村村通”工程中得到广泛应用。
BGD712C
bra821
CGD944C 和 CGD942C
我们的全系列 GaAs 功率倍增模块 CGD942C 和 CGD944C 可提
供高输出功率,以及比其他模块更好的 CTB 和 CSO。这些模块专门
为含有配备多个输出端口的光节点的高端 HFC 网络而设计,它们能
使每个端口直接覆盖至少 125 个用户。这两种设备最适用于将 HFC
网络升级至 860MHz。
CGD94xC / CGD98xHCi
PAD
OUT
port 1
H
L
CGD94xC / CGD98xHCi
PAD
EQ
PAD
BGO807C
BGO807CE
CGD982HCi、CGD985HCi 和 CGD987HCi
我们最新的 GaAs 功率倍增模块 CGD982HCi、CGD985HCi 和
CGD987HCi 为中国 CATV HFC 网络量身定制,操作频率在 40
MHz 到 1003 MHz 之间,基于顶级 NTSC 传统画面,符合中国有线
电视网络的官方加载频道规定。可用于光纤深入应用的光节点,在应
用中输出功率需要保持在最高水平。
OUT
port
EQ
(N + 1)
OUT
port 2
H
L
CGD94xC / CGD98xHCi
PAD
RF switch
OUT
port 3
H
L
CGD94xC / CGD98xHCi
PAD
BGO807C
BGO807CE
OUT
port 4
H
L
bra822
BGO807C
BGO807C 是一种集成的光接收模块,可提供高输出水平并且包括一
个集成温度补偿电路。在光节点设计中,BGO807C 可提供高性价比
和高强度。在将 HFC 网络从模拟升级到数字时,我们的 BGO807C
是最佳选择。
BGD812
PAD
PAD
BGO807C
BGO807CE
EQ
BGY885A
H
L
OUT
port 1
H
L
OUT
port 2
BGD812
PAD
bra823
46
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
连接千家万户,保护您的网络
适用于中国国家广电总局入网标准的恩智浦 CATV C 系列模块
推挽放大器模块
BGY588C
Power gain (dB)
BGE788C
CGY888C
typ.
34.5
34.2
35.5
Slope cable equivalent (dB)
range
0.2 - 1.7
0.3 - 2.3
1.5 typ.
Composite triple beat (dB)
max.
-57
-49
-68 typ.
Composite 2nd order distortion (dB)
max.
-62
-52
-66 typ.
Noise (@ f max) (dB)
max.
8
8
4 typ.
Total current consumption (mA)
typ.
325
305
280
range
40 - 550
40 - 750
40 - 870
Frequency range (MHz)
重点应用、产品和技术
Parameters
功率倍增模块
Parameters
BGD712C
Power gain (dB)
CGD942C
CGD944C
CGD982HCi
CGD985HCi
CGD987HCi
typ.
18.5
23
25
23
24.5
27
Slope cable equivalent (dB)
range
0.5 - 1.5
1-2
1-2
0.5 - 2
0.5 - 2
0.7 - 2
Composite triple beat (dB)
max.
-62
-66 typ.
-66 typ.
-66
-66
-66
Composite 2 order distortion (dB)
max.
-63
-66 typ.
-66 typ.
-69
-69
-66
Noise (@ f max) (dB)
max.
7
5
5
5.5
5.5
5.5
Total current consumption (mA)
typ.
395
450
450
440
440
440
range
40 - 750
40 - 870
40 - 870
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
BGO807C
BGO807CE
min.
800
800
nd
Frequency range (MHz)
光接收模块
Parameters
Responsivity (Rmin)
Slope cable equivalent (dB)
range
0-2
0-2
Composite triple beat (dB)
max.
-71
-69
Composite 2nd order distortion (dB)
typ.
-54
-53
Noise (@ f max) (dB)
max.
8.5
8.5
Total current consumption (mA)
typ.
190
190
range
40 - 870
40 - 870
Frequency range (MHz)
Connector
- / SC0 / FC0
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
47
2.2.2 适用于可持续 CATV 网络的 1 GHz GaAs 高效模块
恩智浦高增益功率倍增模块 CGD104xHi 和推挽模块 CGY104x
这些高性能 GaAs 设备专为 1 GHz“可持续网络”设计,拥有扩展带宽和更高的数据率。它们可提供更高的网络容量,
为高端服务 (如 HDTV、VoIP 和数字模拟) 开辟了通道。
新的 CATV GaAs 平台布局
主要特点
``卓越的线性度、稳定性和可靠性
``用于功率倍增模块的高增益特性
``极低的噪声
``绿色环保产品
``适用于高端应用的 GaAs HFET 管芯技术
``坚固的构造
``高级别 ESD 保护
``集成的环形波防护
``适用于数字频道下载的优化设计
``温度补偿增益响应
``优化的热度控制
``卓越的热阻
主要优势
``容易升级到 1 GHz 容量网络
``低整体拥有成本
``高功率应力能力
``高度自动化装配
主要应用
``光纤同轴混合电缆 (HFC) 应用
``延长放大器
``干线放大器
``光纤延长节点 (N+0/1/2)
``电桥
48
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
恩智浦功率倍增模块 CGD104xH 和 CGD104xHi 适用于延长放大
器和干线放大器。它们支持光纤延长节点应用 (N+0/1/2),可提供当
今市场上最高的输出功率。GaAs HFET 工艺提供高增益、卓越的
CTB 和 CSO 指标,并具有更低的电流。
全新的恩智浦 CGY1047x 推挽模块系列是市场上首款将低噪声、最
佳失真系数和低“碳足迹”能力相结合的产品。它通过最低的能耗带
来最佳的性能,因此减少了 OPEX 和 CO2 的排放。
所有恩智浦 1 GHz 解决方案都采用经久耐用的设计,能提供卓越的
牢固性,拓展的温度适用范围、高电压冲击防护能力和极高的 ESD
水准。因而可降低拥有成本。
GaAs 管芯插在 HVQFN 封装内,并且被贴焊在散热条上,可使热量
传送到散热器处。控温电路确保模块在较大范围内使用也能保持稳
定的性能指标。全自动的模块生产,几乎不需要人工操作,使得模块的
生产重复性非常高。
即将推出的产品
另外一些目前正处于开发中的推挽模块将进一步扩展功率倍增模块
的电容,并以此来支持几乎所有现代 HFC 应用。推挽模块 CGY1041
将提供 21 dB 的增益,CGY1043 提供 23 dB 的增益,CGY1049 提
供 29 dB 的增益,以及 CGY1032 提供 32 dB 的增益。同时恩智浦
还在开发一个全新的、高度集成的功率倍增模块。CGD1046Hi 将
在单一的 IC 中提供 26 dB 的增益、60 dBmV 的输出功率和卓越的
ESD 保护,这些性能都是为了实现顶级的质量和更少失真的设备。
快速参考数据 CATV 1 GHz 功率倍增模块和推挽模块
CATV 1- GHz power doublers
CGD1040Hi
CGD1042H
21
CGD1042Hi
23
CGD1044H
23
Power gain (dB)
typ.
Slope cable equivalent (dB)
typ.
1.5
1.5
1.5
Composite triple beat (dB)
typ.
-69
-69
-69
CGD1044Hi
25
CGD1046Hi
25
27
1
1.5
0.5 - 2.0
-69
-69
-73
Composite 2 order distortion (dB)
typ.
-68
-68
-68
-68
-68
-68
Noise (@fmax) (dB)
max
6
6
6
6
6
5
Total current consumption (mA)
typ.
Frequency range (MHz)
range
nd
440
450
440
450
440
460
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
CGY1041
CGY1043
CGY1047
CGY1049
CGY1032
重点应用、产品和技术
Parameters
CATV 1-GHz push-pulls
Parameters
Power gain (dB)
typ.
22
24
28
30
33
Slope cable equivalent (dB)
typ.
2
2
2
1.6
1.8
Composite triple beat (dB)
typ.
-62
-62
-64
-62
-62
Composite 2nd order distortion (dB)
typ.
-64
-64
-66
-64
-64
Noise (@fmax) (dB)
max.
5
5
4.5
5
5
Total current consumption (mA)
typ.
250
250
250
250
265
Frequency range (MHz)
range
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
40 - 1003
CGD104xHi
PAD
H
L
OUT
port 1
H
L
OUT
port 2
H
L
OUT
port 3
H
L
OUT
port 4
CGD104xHi
PAD
PAD
(N + 1)
EQ
RF switch
CGD104xHi
PAD
CGD104xHi
PAD
bra822
使用 CGD1040Hi / CGD1042Hi / CGD1044Hi / CGD1046Hi 的带多输出端口的光节点
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
49
2.3 电视与卫星
2.3.1 适用于 TV/STB 调谐器的带可编程增益的 LNA
适用于 STB 的恩智浦 LNA,BGU703x 针对 5 V 电源电压,BGU704x 针对 3.3 V 电源电压
5 V 和 3.3 V 宽带、低噪声放大器专门设计用于高线性度、低噪声性能 TV、DVR/PVR、机顶盒调谐器应用,范围为 40
MHz 到 1 GHz。此产品系列的独特之处在于能够进行调谐器开关信号损失的可编程增益补偿,由于一个系统中使用
的调谐器越来越多,所以这个功能变得愈发重要,增益补偿能提升整体系统性能 7 到 10 dB。
主要特点
``配备内部偏置
``可编程增益和旁路模式
``在 40 MHz 到 1 GHz 之间能实现平坦增益
``噪声系数 = 4 dB
``高线性度:IP3O = 29 dBm
`` 75 Ω 输入和输出阻抗
``旁路模式下的断电功能 (当前功耗 < 5 mA)
``所有管脚均提供 ESD 保护 > 2 kV 人体模式 (HBM)
主要应用
``地面广播和有线电视 STB
``硅和传统电视调谐器
``个人和数字视频录像机 (PVR、DVR)
``家庭网络和内部信号分配
`` FM 收音机
``天线放大器
在使用多个或网络接口模块 (NIM) 调谐器的机顶盒中,RF 信号通
常需要进行分配或分割。这时常常用到低噪声放大器 (LNA),用
于补偿在使用 balun 进行信号分配时的信号损失。
恩智浦 BGU703x/BGU704x 是采用 SiGe:C 工艺制造的 LNA
MMIC。该系列中的 5 种产品在输入和输出端可匹配 75 Ω,
非常便于使用。BGU703x 适用于 5 V 电压,BGU704x 适用
于 3.3 V 电压。BGU7031 和 BGU7041 是拥有固定增益的
LNA。BGU7032 和 BGU7042 拥有附加的旁路模式。BGU7033
拥有两种增益水平 (GP = 10 dB 或 5 dB) 和旁路模式。
全部五种设备均采用高线性度和低噪声设计,频率范围为 40 MHz
到 1 GHz。它们可以用到传统的电视调谐器或硅调谐器 IC 中。与
GaAs 解决方案相比,它们的 ESD 保护能力更强,能节省 50% 的
成本。
50
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
集成式偏置和开关功能可将外部组件的数量从 17 降低到 2 或 3。
通过比较可知,分立式 LNA 设计通常需要 6 到 9 个外部组件,
并且如果实现旁路功能还需要增加额外的 4 个 PIN 二极管和至少
8 个无源元件。
BGU703x/BGU704x 系列中的每一个 MMIC 都封装在一个 6 引脚
SOT363 (SMD) 中。每个 MMIC 提供 40 MHz 到 1 GHz 之间的平
坦增益,因此在典型的频率范围内不会产生增益波动。4 dB 低噪
声系数可减少整体调谐器噪声,高线性度 (IP3O = 29 dBm) 可使
失真最小化。输入和输出阻抗适用于应用 (75 Ω),因此无需额外
匹配。
为了节省能源,IC 可以在旁路模式下关闭电源,整体电流消耗低
于 5 mA。
同样,为了保护 LNA 作为调谐器输入级而受到外部放电冲击,每
个管脚都具有 ESD 保护 > 2 kV 人体模式 (HBM)。
针对机顶盒的 LNA (75 Ω)
Package
Gain (1)
NF
PL (1dB)
OIP3
FL (2)
RLout
RLin
(mA)
(dB)
(dB)
(dBm)
(dBm)
(dB)
(dB)
(dB)
5
43
10
4.5
14
29
-0.2
12
18
5
43
5
6
9
29
-0.2
12
17
Bypass
5
4
-2
2.5
-
29
-0.2
8
8
GP 10 dB
5
43
10
4.5
14
29
-0.2
12
18
Bypass
5
4
-2
2.5
-
29
-0.2
8
8
GP 10 dB
5
43
10
4.5
14
29
-0.2
12
18
GP 10 dB
3.3
38
10
4
12
29
-0.2
12
21
Bypass
3.3
3
-2
2.5
-
29
-0.2
10
10
GP 10 dB
3.3
38
10
4
12
29
-0.2
12
21
Mode
VCC
ICC
(V)
GP 10 dB
GP 5 dB
(MHz)
BGU7033
BGU7032
SOT363
40 - 1000
SOT363
40 - 1000
BGU7031
SOT363
40 - 1000
BGU7042
SOT363
40 - 1000
BGU7041
SOT363
40 - 1000
重点应用、产品和技术
Type
@
Frequency
range
注释:
(1) 增益 = 可编程增益 (GP)
(2) 频率响应的平坦度 = FL
带环通的有源分配器的框图
RF input
BGU703x/BGU704x
VGA
surge
CONVENTIONAL
TUNER OR
SILICON TUNER
RF SW
BF1108 or BF1118
brb403
RF output
WB LNA
BGU7031/BGU7041 (optional)
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
51
2.3.2 适用于所有 LNB 架构的全套卫星产品系列
恩智浦卫星 LNB 设备 TFF101xHN、BFU710F/730F 和 BGA28xx
设计用于 LNA、混频器和 IF 放大器,这些耐用、小封装产品是恩智浦卫星 LNB 架构领先产品系列的新成员。它们是
采用恩智浦全新的 QUBiC4X SiGe:C 和 QUBiC4+ 工艺技术制造。
全集成式 Ku 波段下变频器 TFF101xHN
TFF101xHN 是应用于 Ku 波段 LNB 的全集成式下变频器系列。它
们能够提供最佳 RF 性能,包括相位噪声、增益以及最低电流消耗时
的噪声系数。
适应于 LNB 的 Ku 波段下变频器 TFF101xHN/N1
``典型应用:通用单头 LNB 和双头 LNB
``超低电流功耗:通过 PVT 为 54 mA
``只有 7 个外部组件
``无外带电感
``单一电源:5 V
``使用低成本 25 MHz 晶体
``高 PL1dBo = 3 dBm / 3OIPo = 13 dBm
``最佳 PN < 1.8 deg RMS
- 10 kHz 到 13 MHz 集成带宽
``多种增益类型可选
- TFF1014HN/N1 36 dB
- TFF1015HN/N1 39 dB
- TFF1017HN/N1 42 dB
- TFF1018HN/N1 45 dB
``不同频率下的平坦增益 (< 2 dBpp)
``输入和输出匹配 50 Ω
``小无引脚 DHVQFN16 封装 (2.5 x 3.5 x 0.85 毫米)
BFU710F/730F RF 晶体管
BFU710F 和 BFU730F 是宽带 RF 晶体管,可在 Ku 波段 DBS LNB
中用作 LNA 或混频器。在这两个应用中,它都能提供低功耗、良好的
噪声和线性度,与 GaAs pHEMT 解决方案相比具有最低的功耗,拥
有硅的成本优势。
BFU710F 作为 LNA 用于 Ku 波段 LNB
``典型应用:适用于单输出 LNB 的 LNA2
``整体 RF 性能与 GaAs pHemt LNA 相似
``功耗:3.5 mA
``单电源:3/5/6 V
``高 RF 增益:13.5 dB
``低噪声系数:1.6 dB
``线性度 (OIP3):12 dBm
52
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
BFU710F 作为混频器用于 Ku 波段 LNB
``典型应用:用于单输出 LNB 的有源混频器
``单电源:3/5/6 V
``低功耗:2.5 mA
`` LO 加载 < 0 dBm
`` SSB 噪声系数 < 8 dB (包括输入的 BPF)
`` SSB 转换增益 < 5 dB (包括输入的 BPF)
``线性度 (OIP3) > 0 dBm
`` LO-RF 隔离最低 20 dB
`` RF 匹配超过 10 dB
`` IF 匹配超过 8 dB
BFU730F 作为 LNA 用于 Ku 波段 LNB
``典型应用:适用于多个输出的 LNB 的 LNA2 和 LNA3
``整体 RF 性能与 GaAs pHemt LNA 相似
``功耗:11 mA
``单电源:3/5/6 V
``极高 RF 增益:11.5 dB
``低噪声系数:1.25 dB
``线性度 (OIP3) > 17 dBm
``回波损耗 > 10 dB
MMIC BGA28xx 作为 IF 放大器 (第一级和输出级)
为了与现有设计兼容,该系列使用市场标准封装:SOT363 和引脚一
致的 SOT363F 封装。该引脚定义与恩智浦现有的增益块系列一样,
并且模块提供相似的噪声系数。新产品特点包括更平坦的增益、积极
的增益斜率、与 Icc 相比改进了 P1dB,并且不需要外加输出电感。
``内部匹配至 50 Ω
``增益斜率 > 0.5 dB
``单电源电压:3.3 或 5 V
``反向隔离:> 30 dB,高达 2 GHz
``最好的线性度和电流消耗
``噪声系数:在 1GHz 时为 4 到 6 dB
``无条件稳定 (K > 1)
``高压缩点模式工作,无需外带电感
`` 6 针 SOT363 塑料 SMD 封装
成员。它们加入其他分离产品行列,包括振荡器、放大器和开关,来提
供对所有 LNB 架构的完整覆盖。
重点应用、产品和技术
这些产品 — 使用于 LNA 和混频器应用的集成式下变频器
TFF101xHN、宽带晶体管 BFU710F/730F、以及用于 IF 放大器的
BGA28xx 系列 MMIC — 是恩智浦卫星 LNB 领先产品系列的最新
由于 IC、晶体管和 MMIC 是采用恩智浦行业领先的 QUBiC4X
SiGe:C 和 QuBiC4+ 工艺制成,它们可提供更好的整体 RF 性能,与
GaAs 对应产品相比,更加坚固,拥有硅的低成本优势。恩智浦工艺技
术还可使产品具有更高的集成,以实现增强功能。恩智浦拥有自己的
生产工业基地 (晶圆制造、测试、封装),使得产品供给得以保障。
适用于多用户的卫星室外单元 LNB
horizontal
1st
antenna stage
LNA
2nd
stage
LNA
3rd
stage
LNA
mixer
H low
IF amplifier
low
oscillator
mixer
BIAS IC
V low
mixer
(4 x 2)
IF
SWITCH
IF amplifier
H high
IF
amplifier
IF out 1
IF amplifier
vertical
antenna
high
oscillator
IF
amplifier
V high
1st
stage
LNA
2nd
stage
LNA
3rd
stage
LNA
mixer
IF amplifier
IF out 2
brb022
注释:请同时参见章节 1.4.4 卫星室外单元。
全集成式混频器∕振荡器∕下变频器
LB/HB/H/V detection
pHemt bias
LO oscillator control
linear regulated 5 V
BIAS
V/T
LIN
HB
Hor
2nd
10.7 ~ 12.75 GHz
BPF
1st
Ver
• 0.95 ~ 1.9 GHz/
® 1.1 ~ 2.15 GHz
mixer
IF amps
BFU710F
25.000 MHz
¬ DC 13 (H)
or 18 (V)
¬ 0 or 22 kHz
PLL/VCO
TFF101xHN
LOOP
FILTER
001aan954
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
53
2.3.3 VSAT,通过卫星的双向通信
设计能满足 IESS-308 标准的 Ku / Ka 波段 VSAT 收发器用于恩智浦 Ku / Ka 波段 RF LO 发生器
TFF100xHN 系列是 Ku 波段 RF PLL,用于 Ku & Ka 波段 VSAT 发射器和收发器中的低相噪本振 (LO) 电路。通过采
用高性能 SiGe:C 工艺,这些设备可提供极低的相噪并符合 Intelsat 的 IESS-308 标准。
VSAT 网络通常用于窄波段数据传送,例如信用卡的销售点交易,
或者用于传输支持卫星互联网访问远程位置、VoIP 或视频的宽带
数据。
网络一般包括碟形天线、室外单元和室内单元。室外单元用于 RF 和
IF 之间的频率转换;通常包括微波上行/下行分离器、用于接收下行信
号的低噪声模块 (LNB) 和一个上变频器 (BUC)。
VSAT IC 可用于创建线性 BUC 的 LO 发生器(这意味着可通过与
LO 混频来实现 IF 或 RF 变频)。
为了确保精确的频率和时间倍增,下行信号可提供 10 MHz 的准确参
考频率。室内单元频率将乘以该上行 IF 信号,而 BUC 中的 LO 信号
则需要将频率锁定在其参考值。
特点
``相位噪声符合 IESS-308 要求 (Intelsat)
``差分输入和输出
``除数设置为 16、32、64、128 或者 256
``锁定检测输出
`` SiGe:C技术 (120-GHz fT 工艺)
`` HVQFN24 (SOT616-1) 封装
应用
`` VSAT 上变频器模块
`` VSAT 下变频
``本振信号生成
54
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
TFF100xHN IC 采用 24 针 HVQFN (SOT616-1) 封装。这些针脚
配置是为了获得最佳性能。IC 分了三个电压区域;而且,对每路输出
提供两个引脚 (OUT-P) 和 (OUT-N),用于匹配典型的用于 20-mil
RO4003 板 (1.1 mm) 上 Z = 50Ω 的微波带线宽布局。
接地引脚已经设计在基准输入和输出旁边;此外,为了尽可能避免布
局交叉,所有电源引脚都置于 IC 的同一侧。
Satellite
HUB
重点应用、产品和技术
VSATs
典型 VSAT 网络
mixer
synchronized QPSK data on L-band carrier in the range 0.95~1.45 GHz (extended range: 0.95~1.7 GHz)
from
indoor
unit
13.05 GHz settings
(12.8 GHz settings)
10 MHz
/64
(/48)
PFD
LF
PFD
solid
state
power
amp
amp
12.8~13.05
on-chip VCO
203.90625 (200) MHz
band
pass
filter
LF
band
pass
filter
156.25 kHz
(208.83 kHz)
/1305
(/960)
/64
TFF1003HN
cleanup PLL build around VCXO
narrow bandwidth
203.90625 (200) MHz > 13.05 (12.8) GHz
TFF1003 @ DIV = 64 PLL with on-chip VCO
brb200
适用于 BUC、带 TFF1003HN 的完整 LO 发生器
Type
Package
fIN(REF)
VCC
ICC
Typ
PLL phase noise
@ N=64 @ 100 kHz
Max
PLL
fo(RF)
Output buffer
Input
Po
RLout(RF)
Si
Typ
Max
Min
(MHz)
(V)
(mA)
(dBc/Hz)
(GHz)
(dBm)
(dB)
(dBm)
TFF1003HN
SOT616
50 - 815
3.3
100
-92
12.8 - 13.05
-5
-10
-10
TFF1007HN
SOT616
228.78 - 234.38
3.3
130
-104
14.62 - 15
-3
-10
-10
TFF1008HN
SOT616
220.91 - 225.2
3.3
130
-104
14.1 - 14.4
-3
-10
-10
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
55
2.3.4 适用于微波和毫米波无线电应用的低噪声 LO 发生器
恩智浦 LO 发生器(集成式 VCO/PLL)TFF11xxxHN
采用恩智浦突破性 QUBiC4X SiGe:C 工艺技术,这些高度集成且无需调节的 LO 发生器是低能耗和低杂散解决方
案,它们简化了设计并降低了整体拥有成本。
这些低噪声本振 (LO) 发生器,适用于范围在 7 到 5 GHz 的不同的
微波应用,在一个小封装内提供极高性能。它们不需要在生产线上进
行调节或者频率修改,因此简化了批量生产。高集成度节省了板级空
间并使设计更容易,同时还带来更低的总体成本和更快的开发速度。
由于这些 IC 是采用恩智浦工业领先的 QUBiC4X SiGe:C 工艺制
成,它们可提供更好的整体 RF 性能,与 GaAs 对应产品相比,更耐
用且功耗更低。恩智浦工艺技术还可使产品具有更高的集成,集成
更多的特点。恩智浦拥有自己的生产工业基地 (晶圆制造、测试、封
装),使得产品供给得以保障。
特点
`` TFF11xxxHN 系列:适用于 7 到 15 GHz 的全套产品系列的最低
噪声的 LO 发生器
``所有型号的最大能耗为 330 mW(典型)
``相位噪声符合 IESS-308 标准 (Intelsat)
``经验证的 QUBiC4X SiGe:C 技术(120-GHz fT 工艺)
``外部环路滤波器
``差分输入和输出
``锁定检测输出
``适用于环路滤波器的内部稳定电压
`` 24 针 HVQFN (SOT616-1) 封装
应用:TFF11xxxHN 产品系列:
``工业/医学测试和测量设备
``电子信息对抗 (EW)
``电子对抗 (ECM)
``点对点
``单点对多点
``卫星通信/VSAT
``雷达系统
56
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
TFF1003HN 是整个 LO 发生器产品系列的基础。它具有 12.8 到
13.05GHz 的VCO 覆盖波段,并且接受 50 到 816 MHz 的输入信
号。除数可设置为 16、32、64、128 或 256,输出功率为 -5 dBm,其
稳定度为 ±2 dB。LO 发生器产品系列由 18 种不同设备得以完善,这
些设备的中心操作频率范围为 7 到 15 GHz,并且它们的 RF 性能与
TFF1003HN 一致。
所有 LO 发生器都有较低的功耗 (典型值为 330 mW),并且它们全
部装在节省空间的 24 针 HVQFN 封装内。
请参见 3.4.4 章节,了解用于通用微波应用的低噪声 LO 发生器
的全套产品系列概述
2.4 便携式设备
2.4.1 适用于 GPS、GloNass 和 Galileo、符合 AEC-Q100 标准的 QUBiC4X SiGe:C LNA
恩智浦 GPS 低噪声放大器提供最佳弱信号接收能力,因为该放大器对强移动和 WLAN 发射信号进行动态抑制。此
主要应用
``智能手机
``功能手机
``平板电脑
``个人导航设备 (PND)
``数码相机 (DSC)
``数码摄像机 (DVC)
`` RF 前端模块 (用于电话中)
``完整的 GPS 芯片模块 (用于 DSC)
``汽车应用 (BGU7004/8):收费、紧急呼叫
``防盗 (笔记本、ATM)
自适应偏置
GPS 信号功率水平非常弱,低于噪声层 155 dBm。此外,在很多消
费类产品中(例如智能手机),由强发送器(例如 WLAN)产生的互
调和谐波会导致 GPS LNA 被压缩。通过自适应偏置,干扰发射器
输出功率的提高立竿见影,电流也会暂时增加。自适应偏置能动态
抑制干扰发射器,尽可能长地维持最佳 GPS 信号接收。
Power
GPS Signal
GPS band
Output power
Input power
Freq.
Jammer:
GSM 1850
1575 MHz
Gain vs. jammer power for NXP GPS LNA
adaptive biasing vs Competitor.
1
(Pin 1575 MHz = -45 dBm, jammer at 1850 MHz).
Gain [dB]
主要特点和优势
`` 0.9 dB 低噪声系数,16.5 或 18.5 dB 系统优化,实现最佳 GPS 信
号接收
``自适应偏置动态化抑制强移动和 WLAN 发射信号,进一步优化
GPS 接收
``只需要 2 个外部组件,1.45 x 1.0 毫米封装尺寸,实现最小化封装
和最低外部组件成本
``符合 AEC-Q100 标准(BGU7004、BGU7008),在恶劣条件下拥
有最高可靠性
重点应用、产品和技术
外,由于只需要两个外部组件,所以设计师能节省 50% 的 PCB 空间和 10% 的组件费用。
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
P_Jammer at input DUT [dBm]
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
57
最小化封装
Type
MMIC *
Package size
Package
mm
X
Y
Pins
Pitch Area
mm
mm
#
mm
SMD's
Appl.
SMD size
X
Y
SMD's
area
Appl. area
mm2
mm2
#
mm
mm
mm2
BGU7005/7
SOT886
1.45 x 1
1.7
1.25
6
0.5
2.13
2
1.5
0.8
2.4
4.53
Competitor
Wafer level package
1.26 x 0.86
1.5
1.1
6
0.4
1.65
6
1.5
0.8
7.2
8.85
Competitor
Wafer level package
0.86 x 0.86
1.1
1.1
4
0.4
1.21
4
1.5
0.8
4.8
6.01
Competitor
Thin small leadless package
2 x 1.3
2.25
1.55
6
0.5
3.49
4
1.5
0.8
4.8
8.29
Competitor
Thin small leadless package
1.4 x 1.26
1.65
1.5
6
0.48
2.48
4
1.5
0.8
4.8
7.28
Competitor
Thin small outline non-leaded
1.5 x 1.5
1.75
1.75
6
0.5
3.06
5
1.5
0.8
6
9.06
* 包括 PCB 禁止区 (常用的装配规则)
选择向导
Type
@ 1.575 GHz
Supply
voltage
Supply current
Insertion power gain
Noise
figure
Input power at 1 dB gain
compression
Input third-order intercept point
f1 = 1713 MHz, f2 = 1851 MHz
Vcc
Icc
|s21|2
NF
PL(1dB)
IP3i
(V)
(mA)
(dB)
(dB)
Package
Vcc =
1.8 V,
Min
Vcc =
1.8 V,
Typ
Vcc =
2.5 V,
Icc =
5 mA
Vcc =
2.85
V,
Min
Vcc =
2.85
V,
Typ
Min
Max
Min
Typ
Max
Min
2.2
2.85
3
-
15
16
18.3
20
0.8
-
-
-20
-
-
-
-
0
-
-
BGU7004^
SOT886
1.5
2.85
-
4.5
-
-
16.5*
-
0.9
-14
-11
-
-11
-8
5
9
-
5
12
BGU7005
SOT886
1.5
2.85
-
4.5
-
-
16.5*
-
0.9
-14
-11
-
-11
-8
5
9
-
5
12
BGU7007
SOT886
1.5
2.85
-
4.8
-
-
18.5**
-
0.9
-15
-12
-
-14
-11
1
4
-
2
5
BGU7008^
SOT886
1.5
2.85
-
4.8
-
-
18.5**
-
0.9
-15
-12
-
-14
-11
1
4
-
2
5
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
Typ
Vcc =
1.8 V,
Typ
Vcc =
2.85
V,
Typ
SOT891
58
Max
Vcc =
1.8 V,
Min
(dBm)
Vcc =
2.85
V,
Min
BGU7003
^ = 符合 AEC-Q101(有一些限制)
* = 16.5 dB 不带干扰发射器 / 17.5 dB 带干扰发射器
** = 18.5 dB 不带干扰发射器 / 19.5 dB 带干扰发射器
Typ
(dBm)
Vcc =
2.5 V,
Icc =
5 mA
2.5 工业、科学与医学 (ISM)
2.5.1 由 RF 功率驱动的医疗应用:从成像到癌症治疗,灵活和多样化的技术供医生使用
RF 技术正在进入越来越多的医疗应用领域,从众所周知的低频成像技术 (MRI、EPRI)、外部热处
理、电外科工具到微创内窥镜癌症治疗 (RF 切除)。一个明显的趋势是 RF 切除技术发挥的作用不
断增加。另外一个趋势是使用更高的 RF 频率 (几 GHz) 和更高功率 (> 100 W) 的工具,从而实
RF 辐射并非医疗领域的新技术。此技术目前用于 MRI (磁共振
成像) 和 EPRI (电子顺磁共振波谱成像) 成像中,这些技术使
用的频率约为 500 MHz。另外,让皮肤恢复活力或缓解肌肉疼
痛的知名外部热处理使用的频率在 480 kHz 左右 — 对于 RF 来
说要求不算苛刻。切除同时凝结血管的手术设备使用的 RF 频率
约为 5 MHz。后一种技术属于快速增长的治疗技术,这种技术
使用 RF 辐射,在身体局部储蓄能量 — 通常为“熔化” (移除)
不需要的组织。在身体内部,RF 能量能加热周边组织,直至其
变干和/或坏死。损坏的组织随后被周围的活组织吸收。RF 切
除的其他应用例子包括肺部、肾脏、胸部、骨和肝脏的癌症治
疗,移除曲张血管,治疗心率不齐,这些应用能从 RF 的高控制
性和反馈中受益。
RF 的另外一个优势是能通过小导管头天线将 RF 信号输送到所
需地方。和旧式直流技术不同的是,只有天线周围的组织被加
热。邻近的神经 (和心脏) 不会受到干扰。此技术已经发展成
各种专用导管,在微创手术中使用,同时配合超声波或 X 光成
像,以确定 RF 有源部分的精确位置。在治疗过程中,周围组织
的阻抗可以得到监控,并确定终点。通过合适的导管,医生还
能实现“自动限制”功能,减少干燥组织吸收的 RF 能量。与此
类似,RF 频率可用于调整导管的能量分布区域:含水组织中频
率越高,穿透深度越小 — RF 能量就越小。
随着 RF 频率和功率变得越来越高,RF 发生器的复杂程度和
设备技术要求也变得更严格。例如 10 MHz 以上高达 3.8 GHz
可选的功率放大器为 Si LDMOS (横向扩散金属氧化物半导
体)。这种技术在基站、雷达系统、广播发射器和其他工业、
科学和医学 (ISM) 应用中已经证明了其强大、高效和耐用的特
性。LDMOS 最高电压可达 50 V,单个设备功率高达 1,200
W,拥有超强的耐用性、高增益和高效率。为了驱动和控制 LDMOS 功率放大器的级别,我们在设备中使用电压控制振荡器、
锁相环和中等功率放大器。这些 RF 信号产品链的组成部分方便
获取,以可靠、大批量 SiGe:C (QUBiC) 半导体技术为基础。更
进一步来说,设计人员可以使用高速转换器来控制数字域的所
有信号链,实现完全和更便捷的实用 RF 外形和模组控制。
RF 应用
这些现场医疗应用和大多数 ISM 应用,通常在使用循环中形成
高度不相配 RF 负载。这种情况反过来说,如果没有防护或其
他措施,所有“注入式”RF 功率会反射回放大器的最后一级,
需要在晶体管中散逸掉,如果持续时间长的话很可能会损坏设
备。LDMOS 晶体管设计非常坚固,能经受住这些不匹配情况,
不会老化。
在不匹配或极短脉冲上升或下降的环境中,设备的耐用性,或
设备抵抗“恶劣”RF 环境的能力对确保可靠的设备性能必不可
少。RF 功率产品能长时间使用,拥有最佳的耐用性。这些技术
在开发阶段已经过最严苛的耐用性测试,尤其是 50V 技术。寄
生双极基级电阻和 LDMOS 设备的漏级延伸在其中扮演着重要
角色。这种耐用性和功率密度及高效率使得 LDMOS 成为 RF 功
率放大器 (频率高达 3.8 GHz) 的首选技术。
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
59
重点应用、产品和技术
现更好的三维清晰度、更好的控制和更短的治疗时间。
2.5.2RF 等离子照明:
固态 RF 技术将推动光源的下一波革命
RF 功率技术的最新进展 (例如增强的成本结构、耐用性及每设备最大 1200 W 的功率) 促进了突破性光源技术的形
成,称之为“RF 等离子照明”。所有 RF 等离子照明光源都使用内含氩气和金属卤化物混合物的小型、无电极石英灯
泡。这种灯泡直接由 RF 放射供电,RF 放射可点燃灯泡中的气体混合物,创造出明亮的等离子,光的颜色可通过内部构
成进行调整。
和标准高强度放电灯泡不同,这种技术让灯泡不需要任何电极。
无电极意味着使用寿命长,因为污染和线路老化会导致效率降低,最
终让灯泡报废。RF 光源使用时长高达 50,000 小时,可输出 50% 的
原有光强度。典型的高强度放电灯泡只拥有 20,000 小时的使用时
长。等离子灯的另外一个优点是效率:1 W RF 功率能转变成 130140 lm 的光。因此使用等离子可以制造出非常紧凑、明亮的灯泡,发
射出 10,000 到 20,000 lm 的白光,接近白天的光线强度。
RF 光源的关键一环是 RF 技术,该技术基于 Si LDMOS RF 功率晶
体管。LDMOS 技术能在 28 V 下工作,供 RF 功率技术在移动基站
或广播发射器以及放大器级的最后阶段使用,频率范围从极小到 3.8
GHz。最近另外一种 LDMOS 格式 50 V LDMOS 应用在广播、ISM、
防务和航空电子产品中。此技术采用高功率密度设计,功率高达
1,200 W/每设备,拥有出色的耐用性、高增益和高效率,工作频率可
达 1.5 GHz。
照明技术对比
下表对各种效率的发光技术进行了总结。表中列出了数种关键参数,
包括寿命、流明、功效、色彩还原指数、色温、启动时间、重新启动时
间 (正常关闭后再次启动的时间)。等离子光源是最亮、效率最高的光
源,拥有超长的使用寿命。值得注意的是每个灯泡的亮度:比 LED 更
亮。因此,多个 LED 产生的光输出才能抵上一个等离子光源。所以,
用于街道照明的 LED 灯具比采用等离子光源的灯具明显要大。
Color
Start-up Re-strike
Lifetime Luminous Efficacy
Color
flux
temperature
time
time
(lm/W) rendering
(hrs)
(klm)
(K)
(s)
(s)
1,700
10 to 17
100
3200
0.1
0.1
Incandescent 2,000
10,500
3,000
115
51 to 76 2940 to 6430
0.3
0.1
Fluorescent
25,000
130
60 to 100
30
6000
0.1
0.1
LED
Type
HID (highintensity
discharge)
20,000
25,000
65 to 115
40 to 94
4000 to 5400
60
480
RF plasma
50,000
25,000
100 to140
70 to 94
4000 to 5500
30
25
表 1:发光源比较。注释:这些数字仅适用于量化比较。来源:www.wikipedia.org
和相关参考。
60
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
RF 应用
RF 等离子光源可在各种 RF 频率下工作,但初始应用仅围绕几百赫兹
的范围展开。28 和 50 V LDMOS 技术可在这些频率下使用,产生高
达 70% 到 80% 以上的效率,热量损耗低,因此可设计出结构紧凑的
等离子灯具。
RF 等离子光源是 RF 能量应用于工业、科学和医学 (ISM) 领域的明
证。现有的技术使用 RF 在激光腔中进行气体放电。这些“气体放
电”应用和大多数 ISM 应用可在使用循环中形成高度不相配的 RF
负载。在气体放电中,气体腔在加电时充当“开路”。这种情况反过来
说,如果没有防护或其他措施,所有“注入式”RF 功率会反射回放大
器的最后一级,需要在晶体管中散逸掉,如果持续时间长的话很可能
会损坏设备。经过放电之后,负荷阻抗恢复到“匹配”状态,晶体管上
出现可接受的负荷。很明显,这些不匹配条件每出现一次,等离子就
被“打开”一次,对晶体管施加张力。LDMOS 晶体管设计非常坚固,
能经受住这些不匹配情况,不会老化。
这种耐用性和功率密度及高效率使得 LDMOS 成为 RF 照明和其他
ISM 领域要求苛刻的应用的首选技术。
2.5.3 适用于任何 RF 功能的 QUBiC4 Si 和 SiGe:C 晶体管
恩智浦第 6 代 (Si) 和第 7 代 (SiGe:C) RF 晶体管提供最佳的 RF 噪声系数、12 GHz 下的增益功能和最低的电流。
这种性能可在低功率下实现更好的信号接收,使 RF 接收器在噪声环境下更好地工作。恩智浦第 6 代 (Si) 和第 7
代 (SiGe:C) RF 晶体管可作为低噪声放大器 (BFUx10F、BFUx30F 和 BFU725/N1)、高线性度和高输出放大器
(BFUx60F 和 BFUx90F)、缓冲放大器、混频器和振荡器用于大多数 RF 应用中。
演示板和应用注释
``使用 BFU730F 的单级 Ku 波段 LNA
``使用 BFU730F 的单级 2.3-2.7 GHz LNA
``使用 BFU730F 的单级 5-6 GHz WLAN LNA
``使用 BFU730F 的 1 级 SDARS LNA
``使用 BFU730F 的 2 级 SDARS LNA
重点应用、产品和技术
主要特点和优势
`` 40/110 GHz 转换频率适用于高达 18 GHz 及以上的应用
`` 12 GHz 下 1.45 dB 低噪声系数和 13.5 dB 高增益,
1.8 GHz 时 34dBm 高线性度 (OIP3),适用于各种应用
`` 12 GHz 下仅消耗 3 mA 即可产生 13.5 dB 增益,
``塑料表面贴装 SOT343F 封装,性能高,易于制造
主要应用
``用于 DBS LNB 的第 2 代和第 3 代 LNA 级和混频器级
`` Ka/Ku 波段 DRO
``卫星广播 (SDARS) LNA
`` C 波段/X 波段高输出缓冲放大器
`` AMR
`` WLAN/WiFi
`` ZigBee
``蓝牙
`` FM 收音机
`` GPS
`` LTE、移动、UMTS
``移动 TV
`` RKE
``高线性度应用
``低电流、配备电池的系统
``用于微波通信系统的低噪声放大器
``中等输出功率应用
``微波驱动器∕缓冲应用
有关第 6 代和第 7 代 RF 宽带晶体管的完整产品组合概述,
请参阅章节 3.3.1
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
61
2.5.4 雄厚的数十年微波和雷达创新基础
恩智浦拥有 50 年半导体技术和组件设计的行业经验。30 多年来,我们一直是微波应用领域高性能 RF 技术的领导
者。凭借一流的 Si 设备和处理技术,公司在微波放大器使用的 RF 小信号和功率晶体管领域建立了强势地位。
我们是首家提供横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) S 波段晶体
管 (2700 到 3500 MHz) 的半导体公司。为了进一步加强未来的市
场地位,我们目前正在开发基于氮化镓 (GaN) 材料的全新高功率和
高带宽技术。
恩智浦另外一项使能技术是 BICMOS 工艺 QUBiC,它具有多个变
体,频率为 fT 到 200 GHz,每种频率都专门针对特定的小信号 RF
应用。
产品组合包括:
- 低噪声放大器 (LNA)
- 可变增益放大器 (VGA)
- 混频器
- 本机振荡器 (LO)
- LO 发生器
恩智浦现在也致力于构建突破,并且研发了高度集成的微波和毫米
波产品。其中一个例子就是具有集成 PLL 和 VCO 的 LO 发生器系
列,频率范围为 7 GHz 到 15 GHz。另一个例子是在 200 W、S 波段
(3.1-3.5 GHz) 下的集成 RF 功率模块。
特点
``适用于 7 到 15 GHz 范围的最低噪声的 LO 发生器
``所有类型的最大功耗典型值为 330 mW
``相位噪声符合 IESS-308 标准 (Intelsat)
``经验证的 QUBiC4X SiGe:C 技术 (120-GHz fT 工艺)
``外部回路滤波器
``差分输入和输出
``锁定检测输出
``适用于环路滤波器的内部稳定电压
RF 小信号产品亮点:
采用恩智浦突破性 QUBiC4X SiGe:C 工艺技术,这些高度集成且无
需调节的 LO 发生器 TFF1xxxHN 是低能耗和低杂散解决方案,它们
简化了设计并降低了整体拥有成本。
RF 功率产品亮点
BLS6G2933P-200 是恩智浦生产的首款基于 LDMOS 的行业标准
托盘。该托盘可提供 40% 以上效率,包括适用于 S 波段应用的完整
偏置网络。
62
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
微波应用和操作波段
System
Frequency
VHF and UHF
<1 GHz
L-band
1200 - 1400 MHz
S-band
2700 - 3500 MHz
X-band
8000 - 12000 MHz
Commercial Avionics
DME (Distance Measuring Equipment)
978 - 1215 MHz
Transponders
Mode A / Mode S / Mode C / TCAS
1030 - 1090 MHz
Military Avionics
IFF transponders (Identification, Friend or Foe)
1030 - 1090 MHz
TACAN (Tactical Air Navigation)
960 - 1215 MHz
JTIDS / MIDS
(Joint Tactical Information Distribution System)
960 - 1215 MHz
Marine radar
9300 - 9500 MHz
重点应用、产品和技术
特点:
``降低元件数目并大大简化了雷达系统设计
`` P1 dB 输出功率为 200 W
``效率 > 40%
``行业标准封装
`` 50 Ω 输入/输出,匹配全部带宽
``内含轻质散热片
``与双极相比,LDMOS 的优势
- 更高的增益和更好的效率
- 更大的耐用性 — 无风险过载高达 5 dB
- 改进的脉冲倾斜和插入相位
- 稳定的性能 – 无需调试
- 增强的散热特性,无热逸溃
- 无毒封装,符合 ROHS
如需完整产品列表,请参见相应的小信号和功率微波页面。
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
63
2.5.5 效果最好的数码广播
BLF881/BLF888 晶体管促成当今最高功率和最高效的数码广播发射器应用。
BLF881
晶体管基于恩智浦 50 V LDMOS 技术,具有 120 W RF 输出功率,
适用于广播发射器和工业应用。BLF881 是一种无输入输出内匹配的
设备,可用于 HF 到 1 GHz 的范围。该设备具有的超强耐用性和宽带
性使其成为数码发射器应用领域的理想之选 — 单独使用或者与高功
率晶体管 BLF888A 结合用作驱动器。
BLF881 也提供不带螺钉固定版本 — BLF881S 能实现更紧凑的
PCB 设计。
BLF888A
BLF888A 使用 50V 电源操作,是一种 600 W LDMOS RF 功率晶体
管,可用于广播发射器和工业应用。作为一款匹配设备,BLF888A 专
门数字信号广播而优化,可在 470 MHz 到 860 MHz 的全 UHF 波
段带上提供 120 W DVB-T 输出功率,以及 20 dB 功率增益和 31%
的漏极效率。该晶体管优秀的耐用性 (承受超过 40:1 的 VSWR)
使其理想适用于先进的数字发射器应用的最终阶段,可以完美搭
配 BLF881,充当驱动器。此设备也提供不带螺钉固定封装,编号为
BLF888AS,能实现表面贴装,发挥低热阻封装的最大优势。
主要特点和优势
``卓越的效率和可靠性
``市场上功率最高的产品
``所有设备都具有最好的耐用性
``最佳宽带性能
``易于实现功率控制
``最好的设计支持
``低热阻设计,非凡的可靠性
``高级法兰材料,实现最佳热特性和可靠性
``设计针对宽带应用 (470 到 860 MHz)
主要应用
``模拟和数字电视发射机
typ. 0.5 kW
DVB-T
Driver stages
8× final
TV exciter
DVB-T
harmonic
filter power
monitor
typ. 5 kW DVB-T
output power
amplifiers
Function
Driver
Final
64
Type
fmin (MHz)
fmax (MHz)
CW - P1dB
(W)
VDS (V)
brb339
DVB-T
PL (W)
DVB-T
η D (%)
DVB-T
Gp (dB)
Package
SOT467C
BLF642
1
1400
35
32
7
33
20
BLF881(S)
1
1000
140
50
30
31
21
SOT467C
BLF884P
470
860
350
50
70
32
20
SOT539A
BLF888A(S)
470
860
600
50
120
31
21
SOT539
BLF879P
470
860
450
42
90
31
20
SOT539A
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
2.5.6 适用于 400 到 2700 MHz 应用的宽带中等功率放大器
适用于宽带应用的恩智浦中等功率 MMIC BGA7xxx
采用恩智浦经验证的 QUBiC4 Si BiCMOS 工艺,这些 MMIC 为所有 400-2700 MHz应用带来了增强型散热性能和
特点
``所有管脚均提供 ESD 保护
``单电源供电 (3.3 或 5 V)
``集成有源偏置
``快速关断
``静态电流调整功能
``两种封装选项,最小无引脚封装 (3 x 3 毫米) 以及引脚 SOT-89
基站
这些 MMIC 的高功率等级使得它们成为移动通讯基础设施应用的最
佳选择。它们为所有基站频率提供最高的增益。其静态电流特点实现
了 AB 类操作的高效率和线性度。偏置电路在各种温度和供电下都提
供稳定的性能。集成的关断功能是一种能源节省功能,可用于快速关
断。MMIC 适用于任何介于 VHF 和 2.7 GHz 之间的波段。无可比拟的
散热性能 (30°C/W) 提高了整体质量和可靠性。
应用
``无线基础设施 (基站、中继器)
``电子抄表
``宽带 CPE (MoCA)
``卫星共用天线电视系统 (SMATV)
``工业应用
`` W-LAN/ISM/RFID
电子抄表
这些 MMIC 还可在 900-2400 MHz ISM 波段用于电子抄表。高集成
度和单电源供电意味着,MMIC 可与少数其他元器件结合来创建完善
的解决方案。MMIC 可在电池供电下工作(带节省能源的关断模式),
并且可以 A 类和 AB 类模式之间实现调谐。此外,它们还可用电力网,
因此它们支持接电源或者不接电源的天然气无线抄表应用。硅基工艺
的结构具有高可靠性和优质品质,并且可提高 ESD 保护性能。
这些 MMIC 采用恩智浦突破性 QUBiC4 工艺制造,在保证更低成本和
额外特点(例如散热性能和 ESD 保护)的同时,提供与对应 GaAs 类
似水准的 RF 性能。QUBiC4 工艺使得支持和集成其他性能成为可能,
包括有源偏置、静态电流调整、VGA 接口以及节省能源的关断模式。为
了提高设计灵活性,所有的 MMIC 都支持单电源 (3.3/5 V) 供电。此
外,为了节省空间,它们均采用最小的封装大小 (3 x 3 毫米) 并且选用
无引脚。
Supply
Type
Package
f
Vcc
Shutdown control
Icc
VI(D)L(SHDN)
VI(D)H(SHDN)
II(D)L(SHDN)
RF performance
RF performance
Typ @ f = 940 MHz
Typ @ f = 1960 MHz
Typ
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Typ
Gp
PL(1dB)
OIP3
NF
Gp
PL(1dB)
OIP3
NF
(MHz)
(V)
(mA)
(mA)
(V)
(V)
(V)
(V)
(µA)
dB
dBm
dBm
dB
dB
dBm
dBm
dB
BGA7124
SOT908
leadless
400 - 2700
5
130
200
0
0.7
2.5
Vbias
4
22
25
38
5
16
24
38
5
BGA7024
SOT89
leaded
400 - 2700
5
110
-
-
-
-
-
-
22
24
38
3
16
25
38
4
BGA7127
SOT908
leadless
400 - 2700
5
180
325
0
0.7
2.5
Vbias
4
20
28
44
3
13
28
43
5
BGA7027
SOT89
leaded
400 - 2700
5
170
-
-
-
-
-
-
19
28
41
3
12
28
43
4
BGA7130*
SOT908
leadless
400 - 2700
5
-
-
0
0.7
2.5
Vbias
4
18
30
45
4
12
30
45
4
完成开发之前,BGA7130 和 BGA7133 的规格均为目标规格。
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
65
重点应用、产品和技术
增值特点 — 比 GaAs 版本的成本更低。
2.6 技术
2.6.1 采用 GaN 技术使无线基础设施效率提高并降低成本
恩智浦 RF Power 的 GaN 技术
最新的氮化钾 (GaN) 技术是合作开发努力的结晶。它将使下一代无线通讯中的大功率放大器具有非常高的效率。
特点
``功率密度可比 Si LDMOS 高五倍
``工作在 50 V
``高增益
``高效率
``高可靠性
``低寄生参数
主要优势
``高频率与高功率相结合
``宽带操作:使单个功率放大器在多个频段工作
``使下一代、高功率、开关模式功率放大器 (SMPA) 架构更好实现
``更低的系统成本和操作费用
``最适用于塔顶基站
这种技术可以让运营商在系统和频率之间转换,因此它们能立即
满足基站覆盖区域的要求。GaN 晶体管使得功率放大器更加高
效,因而降低了电信运营商的运营成本。与以 Si 和 GaAs 为基础
的设备相比,GaN 晶体管可以在更高的结温下操作,因此 GaN
非常适用于冷却能力不好的环境,比如塔顶基站。此外,借助高
功率密度,GaN 有扩张至其他领域的潜力,包括目前仍然应用
真空管固态功率放大器为标准的高功率广播应用。恩智浦第一个
GaN 宽带功率放大器将在 2012 年面世,开关模式功率放大器
(SMPA) 会在其后很快面世。
Performance (targets)
Saturated output power at 50 V
100 W
Frequency
2.2 GHz
Maximum PAE
68%
Linear power gain
19 dB
2C-WCDMA linear efficiency with DPD
40% at –52 dBc IM3 at 8 dB OPBO
应用
``移动电话基站
`` WiMAX
``广播
``雷达
恩智浦与 United Monolithic 半导体以及固体物理学 Fraunhofer
研究所合作,正在开发能够推动下一代 RF 功率放大器性能的氮
化钾 (GaN) 工艺技术。全新的 GaN 工艺,结合高频率和高功
率,使恩智浦继续发展开发良好的 LDMOS 技术的同时,也能够
在支持未来应用中处于领导位置。GaN 技术为基础设施设备商提
供多种好处。在发射器中使用 GaN 技术意味着制造系统中成本
的显著降低,并伴随系统性能和灵活性提高。当今的大多数基站
功率放大器都限于特定应用。全新的以 GaN 为基础的技术令操
作者在多个系统和频率中使用一个“万能发射器”。恩智浦 GaN
技术带来的这种通用功率放大器架构能简化发射器生产和物流。
66
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
Assembly of GaN power bar in standard ceramic package
2.6.2 寻找 SiGe:C 的引领者?您已经找到我们!
恩智浦 QUBiC4 工艺技术
恩智浦创新的高性能 SiGe:C QUBiC4 工艺使得客户能够将更多的功能融入设备中,并使用更少空间、带来有竞争力
的成本、卓越的可靠性和显著的生产优势。通过使用最好的低噪声性能、线性度、功耗、抗带外信号干扰、杂散性能和
输出功率而实现的领先产品,我们最先进的 QUBiC4 技术和大量的 IP 可用性加速了产品从 GaAs 元件向硅元件的过
渡。自 2002 年以来,恩智浦 QUBiC 已是一个适用于批量生产并不断进行性能更新的成熟工艺。恩智浦两个 8 英寸晶
重点应用、产品和技术
圆厂提供了可满足汽车级产品要求的 QUBiC4 工艺,它可提供灵活、低成本生产和高产出以及非常低的业界 ppm。
QUBiC4 分三类,每一类在特定应用领域都有着它的显著优势:
QUBiC4+
QUBiC4Xi
QUBiC4+ BiCMOS 工艺为 0.25 μm CMOS,采用 5 层金属层,用
QUBiC4Xi BiCMOS 工艺进一步提升了 QUBiC4X 工艺,同时具
于集成密集数字逻辑智能功能,带有一整套有源和无源设备组件,适
有其他特点 — 一套适用于高频率混合信号设计的组件;包括一个
用于高频混合信号应用设计,其中包含可实现高品质电感性能的厚金
拥有1.4 V 击穿电压和超低噪声数值 (在 10 GHz 时 NF<0.7) 的
属顶层。此工艺设备套件包含 3.8 V 击穿电压 (BVce0) 和低噪声系
180GHz FT NPN、0.25 μm CMOS、多个电阻、一个 5.7 fF/μm2 氧
数 (在 2 GHz 时 NF<1.1) 的 37 GHz fT NPN、7GHz 的 fT VPNP、
化电容和 5 fF/μm2MI 电容。QUBiC4Xi 代表最新型的 SiGe:C 工
带 5.9 V 击穿电压的 28 GHz 高电压 NPN、Q-factor>30 的差分或
艺,提高了 fT (>200 GHz),带来了更低的噪声指数 (在 10 GHz 时
单端可变电容、Q-factor>20 的可定标电感器、800 MHz FT 横向
NF<0.5 7 dB)。它适用于超过 30 GHz 的应用,例如 LO 发生器。
PNP、0.25 μm CMOS、137、220 & 12 到 2000 ohm/sq. 的多晶和
有源电阻、一个 270 ohm/sq. SiCr 薄膜电阻、一个 5.7 fF/μm2 氧
化电容和一个 5 fF/μm2 MIM 电容、1 到 6 fF/μm2 氧化电容和其他
不同的设备,还包括 L-PNP、隔离 NMOS、3.3 V 的 CMOS 和 RFCMOS 晶体管电容。QUBiC4+ 工艺基于硅元素,适用于最大 5GHz
(fT = 37GHz,1.2 GHz 时 NF<1.1 dB) 的应用,以及最大 33 dBm
的中等功率放大器。
QUBiC4X
QUBiC4X BiCMOS 工艺是一个基于 SiGe:C 的 QUBiC 工艺延伸,用
于高频率混合信号设计,它可提供用于 QUBiC 高频率混合信号设计
的整套设备,其中包括一个带 2.5 V 击穿电压和非常低的噪声数值
(在 10 GHz 时 NF < 1.0) 的 140 GHz FT NPN、0.25 μm CMOS、多
种电阻、一个 5.7 fF/μm2 氧化电容和一个 5 fF/μm2MIM 电容。
QUBiC4X 适用于操作频率最大为 30 GHz 的应用 (在10 GHz时,fT
= 137 GHz,NF<0.8 dB) 和超低噪声应用,例如 LNA 和混频器。
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
67
SiGe:C
QUBiC4Xi
f / fmax = 180/200 GHz
T
SiGe:C
QUBiC4X
fT / fmax = 137/180 GHz
+VPNP
+TFR
QUBiC4+
+DG
+HVNPN
BiCMOS
f /f max = 37/90 GHz
-4ML
QUBiC4+
``基线,0.25μm CMOS、单层多晶、5 层金属
``数字门密度 26k gates/mm2
`` fT/fMAX= 37/90 GHz
`` +TFR – 薄型薄膜电阻
`` +DG – 双栅氧化 MOS
`` +HVNPN – 高电压 NPN
`` +VPNP – 纵向 PNP(高 Vearly)
`` -4ML – 高密度 5fF/μm2 MIM 电容
``范围广泛的有源和高品质无源设备组件
``优化至高达 5 GHz 的应用
QUBiC4X
`` SiGe:C 工艺
`` fT/fMAX = 137/180 GHz
``优化至高达 30 GHz 的应用
``变压器
QUBiC4Xi
`` SiGe:C 工艺
``提高了 fT/fmax ,最大 180/200 GHz
``优化适用于高于 30 GHz 超低噪声微波应用
Features
QUBiC4+
Release for production
CMOS/Bipolar
QUBiC4X
QUBiC4X
2004
2006
2008
CMOS 0.25um, Bipolar 0.4um,
Double poly, Deep trench, Si
CMOS 0.25um, Bipolar LV 0.4um,
Double poly, Deep trench, SiGe:C
CMOS 0.25um, Bipolar LV 0.3um,
Double poly, Deep trench, SiGe:C
LV NPN f T/Fmax (GHz)
37/90 (Si)
137/180 (SiGe:C)
180/200 (SiGe:C)
HV NPN f T/Fmax (GHz)
28/70 (Si)
60/120 (SiGe:C)
tbd (SiGe:C)
NPN BVce0: HV/LV **
5.9 / 3.8 V
3.2 / 2.0 V
2.5 / 1.4 V
7 / >9
planned
planned
2.5 / 3.3 V
2.5 V
2.5 V
V-PNP f T / BVcb0 (GHz / V)
CMOS Voltage /
Dual Gate
Noise figure NPN (dB)
RFCMOS f T (GHz)
2 GHz: 1.1
10 GHz: 0.8
10 GHz: 0.5
NMOS 58, PMOS 19
NMOS 58, PMOS 19
NMOS 58, PMOS 19
Isolation (60 dB @ 10 GHz)
STI and DTI
STI and DTI
STI and DTI
Interconnection
(AlCu with CMP W Plugs)
5 LM, 3 µm top Metal
5 LM, 3 µm top Metal
2 µm M4
5 LM, 3 µm top Metal
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Varicaps (single-ended &
differential)
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
Inductors (1.5nH @ 2 GHz)
- scalable
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Other devices
LPNP, Isolated NMOS
Isolated-NMOS tbd
LPNP, Isolated-NMOS tbd
Mask count
31 / 32 (MIM) / 33 (DG)
35 (MIM)
35 (MIM)
Capacitors
Resistors (Ω/sq)
68
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
2.6.3 完整的恩智浦 RF 功率晶体管产品系列:采用塑料封装的产品 (OMP)
恩智浦最近在开发过膜塑料 (OMP) 封装 RF 功率晶体管产品线和 MMIC 产品,峰值功率范围为
3 W 到 500 W。这些塑料封装的主要优势是成本低廉,对性能影响很小或没有影响。这一系列塑
料设备可让 RF 功率产品形成完整、丰富的产品线,之前的恩智浦陶瓷封装产品适用于所有频率
`` OMP 封装最终晶体管 (SOT502 尺寸),功率范围 140 W 到 200
W,频率波段范围 730 MHz 到 2.2 GHz。
`` OMP 封装最终晶体管 (SOT502 尺寸),功率范围 3 W 到 500
W,ISM 应用频率波段范围从非常小到 2.45 GHz。
研发中的产品包括
``用于 HSOP 封装的单级宽带驱动器,功率从 3 W 到 10 W
``单级 OMP 驱动器,功率从 25 W 到 45 W,替代目前的陶瓷版,
以用于对成本敏感的应用
``双极 MMIC,功率从 30 W 到 60 W,可作为高增益驱动器使用或
配合低功率双极 Doherty 放大器使用。
``全集成即插即用型单封装 Doherty PA (50 到 100 W)
Function
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Planned
release
BLP05H6100P
1
500
100
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP05H6500P
1
500
500
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP05H650P
1
500
50
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP09H620
700
960
20
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6120
700
1000
120
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Type
Description
BLP10H6120P
700
1000
120
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6300P
700
1000
300
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
1
1000
3, 5, 10
SOT1179
Q311
Gen6 high-voltage OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
1200
1500
100
SOT1138
Q112
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6xx
BLP15M6100P
BLP15M630
1200
1500
30
SOT1138
Q112
BLP15M660P
1200
1500
60
SOT1138
Q411
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP15M7150P
1200
1500
150
SOT1138
Q112
Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
1
1500
3, 5, 10
SOT1179
Q411
Gen7 OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
BLP15M7xx
HPA
某些产品目前只提供样品,其他产品组合将于 2011 年大批量供货。
BLP25M710
1
2500
10
SOT1179
Q211
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
BLP25M74
1
2500
4
SOT1179
Q311
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
BLP7G10S-140P
700
1000
140
SOT1138
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-140PG
700
1000
140
SOT1204
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-25P
700
1000
25
SOT1138
Q411
BLP7G10S-25PG
700
1000
25
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G10S-45P
700
1000
45
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-45PG
700
1000
45
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G20S-45P
1800
2000
45
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G20S-45PG
1800
2000
45
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G21S-140P
1800
2050
140
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for TD-SCDMA applications
BLP7G21S-140PG
1800
2050
140
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
BLP7G22-10
1800
2200
10
SOT1179
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA & GSM applications
BLP7G22S-140
2000
2200
140
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications
BLP7G22S-140G
2000
2200
140
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
BLP7G22S-45P
2000
2200
45
SOT1138
Q112
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications
BLP7G22S-45PG
2000
2200
45
SOT1204
Q112
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
NXP Semiconductors RF Manual 15th edition
69
重点应用、产品和技术
和应用,最高可达 2.45 GHz。
3. 按功能划分的产品
恩智浦 RF 产品目录:
http://www.nxp.com/rf
3.1 新产品
DEV = 开发中
CQS = 可提供客户工程样片
RFS = 批量供货
Expected
status May
2011
Planned
release
Chapter
NEW: Wideband transistors
BFU610F
Gen6 wideband transistor
BFU630F
Gen6 wideband transistor
BFU660F
Gen6 wideband transistor
BFU690F
Gen6 wideband transistor
BFU710F
Gen7 wideband transistor
BFU730F
Gen7 wideband transistor
BFU760F
Gen7 wideband transistor
BFU790F
Gen7 wideband transistor
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
NEW: AEC-Q101 qualified wideband MMICs and transistors
BGA2002
Low noise wideband amplifier MMIC
BFR94A
RF wideband transistor
BFR94AW
RF wideband transistor
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
3.4.1
3.3.1
3.3.1
NEW: SiGe:C LNAs (for e.g. GPS)
BGU7005
SiGe:C MMIC, incl matching output for GPS LNA, 16.5 dB
BGU7007
GPS LNA, 18.5 / 19.5 dB gain
BGU7004
GPS LNA, 16.5 / 17.5 dB gain, AEC-Q100
BGU7008
GPS LNA, 18.5 / 19.5 dB gain, AEC-Q100
BGU7003W
General-purpose unmatched LNA for FM radio
RFS
RFS
RFS
RFS
CQS
Released
Released
Released
Released
Q2 2011
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
NEW: LNAs for set-up boxes
BGU7042
LNA for STB tuning
BGU7041
LNA for STB tuning
RFS
RFS
Released
Released
3.4.1
3.4.1
NEW: General purpose wideband amplifiers (50 Ω gain blocks)
BGA2802
IF gain block 25 dB
BGA2803
IF gain block 23.4 dB
BGA2870
IF gain block 31 dB
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
3.4.1
3.4.1
3.4.1
NEW: Medium power amplifier MMICs
BGA7124
Medium power amplifier, 24 dBm P1dB, leadless SOT908
BGA7024
Medium power amplifier, 24 dBm P1dB, leaded SOT89
BGA7127
Medium power amplifier, 27 dBm P1dB, leadless SOT908
BGA7027
Medium power amplifier, 27 dBm P1dB, leaded SOT89
BGA7130
Medium power amplifier, 30 dBm P1dB, leadless SOT908
RFS
RFS
RFS
RFS
DEV
Released
Released
Released
Released
Q4 2011
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
NEW: VGAs for wireless infrastructures
BGA7350
Dual IF VGA, control range 24 dB
BGA7351
Dual IF VGA , control range 28 dB
BGA7202
Tx RF VGA, 0.7 - 2.2 GHz
BGA7204
Tx RF VGA, 0.7 - 2.8 GHz
RFS
CQS
CQS
CQS
Released
Q3 2011
Q3 2011
Q3 2011
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
NEW: LNAs for wireless infrastructures
BGU7051
LNA 900 MHz
BGU7052
LNA 1.9 GHz
BGU7053
LNA 2.5 GHz
CQS
CQS
CQS
Q2 2011
Q2 2011
Q2 2011
3.4.1
3.4.1
3.4.1
New: LO generators for wireless infrastructures
BGX7300
Rx LO generator, 400 MHz to 3 GHz
DEV
Q4 2011
3.4.2
New: IQ modulators for wireless infrastructures
BGX7100
IQ modulator, OIP3 30 dB, NF 165 dBm/Hz, P < 1 W, 350 MHz
DEV
Q4 2011
3.4.2
New: Dual mixers for wireless infrastructures
BGX7220
Dual mixer , NF 8 dB, IIP3 30 dBm, P < 1 W, 700 MHz to 1.2 GHz
BGX7221
Dual mixer , NF 8 dB, IIP3 30 dBm, P < 1 W, 1.7G Hz to 2.7 GHz
DEV
DEV
Q4 2011
Q4 2011
3.4.2
3.4.2
Type
70
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Application / Description
Planned
release
Chapter
NEW: Low noise LO generators for VSAT applications
TFF1007HN
Low noise LO generator for VSAT applications
TFF1008HN
Low noise LO generator for VSAT applications
RFS
RFS
Released
Released
3.4.4
3.4.4
NEW: RF satellite ICs
TFF1014HN
TFF1015HN
TFF1017HN
TFF1018HN
RFS
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
Released
3.4.3
3.4.3
3.4.3
3.4.3
NEW: RF CATV modules
CGY1041
1 GHz, 21 dB gain push-pull, GaAs HFET SOT115
CGY1043
1 GHz, 23 dB gain push-pull, GaAs HFET SOT115
CGY1049
1 GHz, 29 dB gain push-pull, GaAs HFET SOT115
CGY1032
1 GHz, 32 dB gain push-pull, GaAs HFET SOT115
CGD1046Hi
1 GHz, 26 dB gain power doubler, GaAs HFET SOT115
BGO807CE
870 MHz, forward path optical receiver, SOT115
CGD982HCi
1 GHz, 22 dB gain GaAs high output power doubler
CGD985HCi
1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
CGD987HCi
1 GHz, 27 dB gain GaAs high output power doubler
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
3.6.2
3.6.2
3.6.2
3.6.2
3.6.3
3.6.4
3.6.3
3.6.3
3.6.3
NEW: RF high-speed data converters
ADC1613D series
Dual 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1613S series
Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1610S series
Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1415S series
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1413D series
Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1413S series
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1412D series
Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1410S series
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1215S series
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1213D series
Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1213S series
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1212D series
Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1210S series
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1207S080
Single 12-bit ADC 80 Msps
ADC1206S series
Single 12-bit ADC up to 40/55/70 Msps
ADC1115S125
Single 11-bit ADC up to 125 Msps
ADC1113D125
Dual 11-bit ADC up to 125 Msps
ADC1113S125
Single 11-bit ADC up to 125 Msps
ADC1112D125
Dual 11-bit ADC up to 125 Msps
ADC1015S series
Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1010S series
Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
ADC1006S series
Single 10-bit ADC up to 55/70 Msps
ADC1005S060
Single 10-bit ADC 60 Msps
ADC1004S series
Single 10-bit ADC 30/40/50 Msps
ADC1003S series
Single 10-bit ADC 30/40/50 Msps
ADC1002S020
Single 10-bit ADC 20 Msps
ADC0808S series
Single 8-bit ADC up to 125/250 Msps
ADC0804S series
Single 8-bit ADC up to 30/40/50 Msps
ADC0801S040
Single 8-bit ADC 40 Msps
DAC1408D series
Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1405D series
Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1403D160
Dual 14-bit DAC 160 Msps
DAC1401D125
Dual 14-bit DAC 125 Msps
DAC1208D series
Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1205D series
Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1203D160
Dual 12-bit DAC 160 Msps
DAC1201D125
Dual 12-bit DAC 125 Msps
DAC1008D series
Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1005D series
Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1003D160
Dual 10-bit DAC 160 Msps
DAC1001D125
Dual 10-bit DAC 125 Msps
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
RFS
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
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Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
Released
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
Q311
Q311
Q311
Q311
Q411
Q311
Q311
Q311
Q112
Q311
Q112
Q411
Q311
Q311
3.7.1.4
3.7.1.5
3.7.1.1
3.7.1.4
3.7.1.4
3.7.1.4
3.7.1.5
3.7.1.5
3.7.1.6
3.7.1.1
3.7.1.1
3.7.1.4
3.7.1.1
3.7.1.4
Application / Description
Satellite LNB downconverter IC
Satellite LNB downconverter IC
Satellite LNB downconverter IC
Satellite LNB downconverter IC
NEW: RF power transistors
BLF6G22LS-40P
Gen6 ceramic push-pull driver/final LDMOS transistor for WCDMA & LTE applications
BLF6G27LS-40P
Gen6 ceramic push-pull driver/final LDMOS transistor for LTE applications
BLF7G10LS-250
Gen7 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF7G21LS-160P
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for TD-SCDMA applications
BLF7G22LS-100P
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for WCDMA applications
BLF7G22LS-160
Gen7 ceramic LDMOS transistor for WCDMA applications
BLF7G24LS-160P
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for LTE applications
BLF7G27LS-200P
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for LTE applications
BLF7G38LS-90P
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for WiMAX applications
BLF8G10LS-160
Gen8 ceramic LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLF8G10LS-300P
Gen8 ceramic push-pull LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLM7G22S-60PG
Gen7 LDMOS MMIC for WCDMA applications (gull-wing)
BLP7G10S-140PG
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G22-10
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA & GSM applications
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
新产品
Expected
status May
2011
Type
71
Application / Description
Expected
status May
2011
Planned
release
Chapter
ceramic push-pull LDMOS transistor for FM broadcast applications
ceramic push-pull LDMOS transistor for VHF/UHF broadcast applications
ceramic push-pull LDMOS transistor for VHF/UHF broadcast applications
ceramic LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
ceramic push-pull LDMOS transistor for VHF/UHF broadcast applications
extremely rugged ceramic push-pull transistor for broadcast/ISM applications
extremely rugged ceramic push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for broadcast applications
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for broadcast applications
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applcations
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 high-voltage OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
Gen6 ceramic LDMOS transistor for ISM applications
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for digital broadcast applications
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
Gen7 OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
Gen6 ceramic LDMOS driver transistor for 2.45 GHz ISM applications
Gen7 LDMOS MMIC for 2.45 GHz ISM applications
Gen8 OMP LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications
Gen7 ceramic LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications
Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications
Gen8 OMP push-pull LDMOS transistor for 2.45 GHz ISM applications
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
CQS
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
Q211
Q112
Q411
Q211
Q411
Q311
Q311
Q111
Q311
now
Q112
Q411
Q112
Q112
Q411
Q411
Q311
Q311
Q211
Q112
Q112
Q411
Q112
Q411
Q311
Q311
Q311
Q411
Q112
Q311
Q311
Q311
Q312
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.2
3.7.2.2
3.7.2.2
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
3.7.2.3
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
DEV
RFS
DEV
DEV
3.7.3.1
3.7.3.1
3.7.3.2
3.7.3.3
3.7.3.3
3.7.3.3
3.7.3.3
3.7.3.3
3.7.3.3
Type
NEW: RF power broadcast and ISM transistors
BLF178P
BLF572P
BLF573P
BLF642
BLF647P
BLF278XR
BLF578XR
BLF879P
BLF884P
BLF888A
BLP05H6100P
BLP05H6500P
BLP05H650P
BLP09H620
BLP10H6120
BLP10H6300P
BLP10H6xx
BLF6G13LS-250P
BLF6G15LS-500H
BLP15M6100P
BLP15M630
BLP15M660P
BLP15M7150P
BLP15M7xx
BLP25M74
BLP25M710
BLF25M612
BLM2425M720
BLP2425M8140
BLF2425M6LS180P
BLF2425M7LS200
BLF2425M7LS250P
BLP2425M8250P
NEW: RF microwave transistors
BLA6H0912-1000
1000 W ceramic Avionics LDMOS transistor
BLA6G1011LS-200RG
Gull-wing ceramic Avionics LDMOS transistor
BLL6G1214L-250
Gen6 ceramic LDMOS transistor for L-band applications
BLS6G2731P-200
S-band pallet using 2x Gen6 ceramic LDMOS transistors
BLS6G2735LS-30
Gen6 ceramic LDMOS driver transistor for S-band radar applications
BLS7G2729LS-350P
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications
BLS7G2933S-150
Gen7 ceramic LDMOS transistor for S-bad radar applcations
BLS6G2933P-200
S-band pallet using 2x Gen6 ceramic LDMOS transistors
BLS7G3135LS-350P
Gen6 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications
72
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Q311
Q211
Q311
Q311
Q211
Q211
released
Q211
Q211
3.2 RF 二极管
3.2.1 变容二极管
变容二极管选择向导:www.nxp.com/varicaps
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的变容二极管。
为什么选择恩智浦可变电容二极管:
``适用于电视和收音机调谐的参考设计
``直接匹配工艺
``公差较小
``交货周期短
``品种齐全的系列产品,涵盖宽频率范围,提供多种封装种类 (包括无引脚)
``可确保大批量供应
@ f = 1 MHz
Type
Package
Number
of
diodes
BB145B
BB156
BB198
BB199
BB201
BB202^^
BB202LX^^
BB207^
BB208-02^
BB208-03^
SOD523
SOD323
SOD523
SOD523
SOT23
SOD523
SOD882D
SOT23
SOD523
SOD323
1
1
1
1
2
1
1
2
1
1
Configuration
SG
SG
SG
SG
CC
SG
SG
CC
SG
SG
Cd
min
Cd
typ
Cd
max
@ VR
=
Cd
min
Cd
typ
Cd
max
@ VR
=
(pF)
(pF)
(pF)
6.4
14.4
25
36.5
89
28.2
28.2
76
19.9
19.9
16
95
81
-
7.2
17.6
28.5
42.5
102
33.5
33.5
86
23.2
23.2
(V)
(pF)
(pF)
(pF)
1
1
1
0.5
1
0.2
0.2
1
1
1
2.55
4.2
4.8
11.8
25.5
7.2
7.2
25.5
4.5
4.5
4.8
27.6
27.6
-
2.95
5.4
6.8
13.8
29.7
11.2
11.2
29.7
5.4
5.4
^ = 包括用于 FM 车载收音机的特殊设计 (CREST-IC:TEF6860)。
^^ = 包括用于移动电话调谐器 IC 的特殊设计。
rs
typ
rs
max
@f=
(V)
(Ω)
(Ω)
(MHz)
4
7.5
2
7.5
2.3
2.3
7.5
7.5
7.5
0.4
0.25
0.25
0.35
0.35
0.2
0.35
0.35
0.6
0.7
0.8
0.5
0.6
0.4
0.5
0.5
470
470
100
100
100
100
100
100
100
100
Cd1/
Cd2
max
@ V1
=
@ V2
=
(V)
Cd1/
Cd2
min
(V)
4
7.5
4
2
7.5
2.3
2.3
7.5
7.5
7.5
2.2
2.7
2.8
3.1
2.5
2.5
2.6
3.7
3.7
3.9
3.8
3.3
5.2
5.2
1
1
0.5
1
0.2
0.2
1
1
1
连接类型:CC:
SG:
共阴极
单个
TV / VCR / DVD / HDD 可变电容二极管 – UHF 波段调谐频
@ f = 1 MHz
Type
Matched
BB149
BB149A
BB179
BB179B
BB179BLX
BB179LX
BB184
BB189
Unmatched
BB135
Package
SOD323
SOD323
SOD523
SOD523
SOD882D
SOD882D
SOD523
SOD523
SOD323
Cd
min
Cd
typ
Cd
max
@ VR
=
(pF)
(pF)
(pF)
(V)
1.9
1.951
1.951
1.9
1.9
1.95
1.87
1.89
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
2
2.04
2.25
2.225
2.225
2.25
2.25
2.22
2.13
2.18
1.7
-
2.1
rs
typ
rs
max
@f=
@
Cd =
(V)
(Ω)
(Ω)
(MHz)
(pF)
1
1
1
1
1
1
1
2
28
28
28
28
28
28
10
25
0.6
0.6
0.6
0.65
0.65
0.65
0.65
0.75
0.75
0.75
0.75
0.7
470
470
470
470
470
470
470
470
9
9
9
9
9
30
9
9
0.5
28
-
0.75
470
9
@ V1
=
@ V2
=
(V)
10
10.9
10.9
10
10.9
12
Cd1/Cd2
min
Cd1/Cd2
typ
Cd1/Cd2
max
28
28
28
28
28
28
10
25
8.2
8.45
8.45
8.45
8.45
6
6.3
9
9
9
9
9
9
7
7.3
28
8.9
-
@ V1
=
@ V2
=
(V)
(V)
2
2
2
2
2
2
2
1.8
0.5
1
1
1
1
1
1
2
28
28
28
28
28
28
10
25
10
10
10
10
10
5
5
10
-
-
-
-
∆Cd/
Cd
@
Ns
=
粗体 = 重点推荐产品
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
73
新产品
VCO 和 FM 电台调谐变容二级管
TV / VCR / DVD / HDD 可变电容二极管 – VHF 波段调谐频
@ f = 1 MHz
Type
Cd
min
Cd
typ
Cd
max
@ VR
=
(pF)
(pF)
(pF)
SOD323
SOD323
SOD323
SOD523
SOD882D
SOD523
SOD882D
SOD523
SOD882D
2.4
2.48
2.361
2.361
2.36
2.48
2.48
2.57
2.57
2.6
2.7
2.6
2.6
2.6
2.7
2.7
2.75
2.75
SOD323
SOD523
SOD882D
SOT23
0.7
0.7
0.7
4.3
-
Package
Matched
BB148
BB152
BB153
BB178
BB178LX
BB182
BB182LX
BB187
BB187LX
Unmatched
BB131
BB181
BB181LX
BBY40
rs
typ
rs
max
@f=
@ Cd
=
(V)
(Ω)
(Ω)
(MHz)
(pF)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
28
28
28
28
28
28
28
25
25
1
0.65
0.65
0.7
1
1
-
0.9
1.2
0.8
0.8
1.2
0.75
0.75
100
100
100
100
470
100
100
470
470
12
30
30
30
30
30
30
-
0.5
0.5
0.5
3
28
28
28
25
2
-
3
3
0.7
470
470
470
200
9
9
9
25
Cd1/
Cd2
typ
Cd1/
Cd2
max
@ V1
=
@ V2
=
(V)
Cd1/
Cd2
min
(V)
2.75
2.89
2.754
2.754
2.75
2.89
2.89
2.92
2.92
28
28
28
28
28
28
28
25
25
14.5
20.6
13.5
13.5
13.5
20.6
11
11
15
22
15
15
15
22
22
-
-
1.055
1.055
1.055
6
28
28
28
25
12
12
5
14
-
16
16
6.5
@ V1
=
@ V2
=
(V)
(V)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0.5
1
1
1
1
1
1
2
2
28
28
28
28
28
28
28
25
25
10
10
10
10
5
10
10
10
10
-
-
-
-
∆Cd/
Cd
@ Ns
=
3.2.2 PIN 二极管
Cd
(fF)
Pin 二极管选择向导:www.nxp.com/pindiodes
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 Pin 二极管。
brb407
700
600
BAP65LX
Freq = 100 MHz, Cd @ VR = 0 V
rD @ 0.5 mA
rD @ 10 mA
BAP65LX
500
400
BAP50LX
BAP63LX
BAP63LX
BAP1321LX
BAP51LX
BAP51LX BAP1321LX
BAP142LX
BAP142LX
300
200
BAP64LX
BAP70-02
100
为什么选择恩智浦 PIN 二极管:
} 广泛的产品系列
} 无与伦比的性能
}
交货周期短
} 低串联电感
} 低插入损耗
} 低电容
0
10−1
1
10
BAP50LX
BAP64LX
BAP70-02
102
rD (Ω)
brb408
25
Freq = 1800 MHz, Isolation @ VR = 0 V
Insertion Loss @ 0.5 mA
Insertion Loss @ 10 mA
Isolation
(dB)
20
BAP70-20
BAP50LX
BAP64LX
BAP51LX
BAP142LX
BAP1321LX
BAP63LX
15
10
BAP65LX
5
0
10−2
BAP50LX
BAP70-02
BAP64LX
BAP51LX
BAP142LX
BAP1321LX
BAP63LX
BAP65LX
10−1
1
Insertion Loss (dB)
10
Look for more graphs showing the Pin diode line-up at other
frequencies on our web site: www.nxp.com/pindiodes
PIN二极管:典型的 rD @ 1 mA ≤ 2,开关二极管
@ f = 100 MHz
Type
BAP65LX
BAP65-02
BAP65-03
BAP65-05
BAP65-05W
BAP63LX
BAP63-02
BAP63-03
BAP63-05W
Package
SOD882D
SOD523
SOD323
SOT23
SOT323
SOD882D
SOD523
SOD323
SOT323
Number of
diodes
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
1
1
1
2
2
1
1
1
2
SG
SG
SG
CC
CC
SG
SG
SG
CC
30
30
30
30
30
50
50
50
50
100
100
100
100
100
100
100
100
100
粗体 = 重点推荐产品
74
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
@ IF = 0.5 mA
@ IF = 1 mA
@ f = 1 MHz
@ IF = 10 mA
@ VR
=0V
@ VR = 1 V
@ VR = 20 V
rD
typ
(Ω)
rD
max
(Ω)
rD
typ
(Ω)
rD
max
(Ω)
rD
typ
(Ω)
rD
max
(Ω)
Cd
typ
(pF)
Cd
typ
(pF)
Cd
max
(pF)
Cd
typ
(pF)
Cd
max
(pF)
2.3
2.5
2.5
2.5
3.3
3.5
3.5
3.5
0.94
1
1
1
1
1.87
1.95
1.95
1.95
3
3
3
3
0.49
0.56
0.56
0.56
0.56
1.19
1.17
1.17
1.17
0.9
0.9
0.9
0.9
0.9
1.8
1.8
1.8
1.8
0.61
0.65
0.65
0.7
0.7
0.34
0.36
0.4
0.4
0.48
0.55
0.55
0.575
0.575
0.29
0.32
0.35
0.35
0.85
0.9
0.9
0.9
0.9
-
0.37
0.375
0.375
0.425
0.425
0.24
0.25
0.27
0.3
0.3
0.32
0.32
0.35
PIN 二极管:典型的 rD @ 1 mA = 2.2 - 2.4,开关二极管
@ f = 100 MHz
Type
BAP55LX
BAP1321-02
BAP1321-03
BAP1321-04
BAP1321LX
BAP142LX
Package
Number of
diodes
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
SOD882D
SOD523
SOD323
SOT23
SOD882D
SOD882D
1
1
1
2
1
1
SG
SG
SG
SR
SG
SG
50
60
60
60
60
50
100
100
100
100
100
100
@ IF = 0.5 mA
rD
typ
(Ω)
3.3
3.4
3.4
3.4
3.3
3.3
rD
max
(Ω)
4.5
5
5
5
5
5
@ IF = 1 mA
rD
typ
(Ω)
2.2
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
rD
max
(Ω)
3.3
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
@ IF = 10 mA
rD
typ
(Ω)
0.8
1.2
1.2
1.2
1.2
1
rD
max
(Ω)
1.2
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
@ f = 1 MHz
@ VR
@ VR = 20 V
@ VR = 1 V
=0V
Cd
Cd
Cd
Cd
Cd
typ
typ
max
typ
max
(pF)
(pF)
(pF)
(pF)
(pF)
0.28
0.23
0.18
0.28
0.4
0.35
0.45
0.25
0.32
0.4
0.35
0.45
0.25
0.32
0.42
0.375
0.45
0.275 0.325
0.32
0.27
0.38
0.21
0.28
0.25
0.22
0.16
0.26
PIN 二极管:典型的 rD @ 1 mA = 3.2 - 3.6,开关二极管
@ f = 100 MHz
Type
BAP51LX
BAP51-02
BAP51-03
BAP51-04W
BAP51-05W
BAP51-06W
Package
Number
of diodes
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
SOD882D
SOD523
SOD323
SOT323
SOT323
SOT323
1
1
1
2
2
2
SG
SG
SG
SR
CC
CA
60
60
50
50
50
50
100
50
50
50
50
50
@ IF = 0.5 mA
rD
typ
(Ω)
4.9
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
rD
max
(Ω)
9
9
9
9
9
-
@ IF = 1 mA
rD
typ
(Ω)
3.2
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
rD
max
(Ω)
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
-
@ f = 1 MHz
@ IF = 10 mA
rD
typ
(Ω)
1.4
1.5
1.5
1.5
1.5
2
rD
max
(Ω)
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
-
@ VR
=0V
Cd
typ
(pF)
0.3
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
@ VR = 1 V
Cd
typ
(pF)
0.22
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
Cd
max
(pF)
0.4
0.55
0.55
0.55
0.55
-
@ VR = 20 V
Cd
typ
(pF)
0.17
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Cd
max
(pF)
0.3
0.35
0.35
0.35
0.35
-
PIN 二极管:典型的 rD @ 1 mA = 10,衰减器∕开关二极管
Type
BAP64Q
BAP64-02
BAP64-03
BAP64-04
BAP64-04W
BAP64-05
BAP64-05W
BAP64-06
BAP64-06W
Package
SOT753
SOD523
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
Number
of diodes
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
4
1
1
2
2
2
2
2
2
SR
SG
SG
SR
SR
CC
CC
CA
CA
100
175
175
175
100
175
100
175
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
rD
typ
(Ω)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
rD
max
(Ω)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
@ IF = 1 mA
rD
typ
(Ω)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
rD
max
(Ω)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
@ f = 1 MHz
@ VR =
0V
Cd
rD
max
typ
(Ω)
(pF)
3,8
0.52
3.8
0.48
3.8
0.48
3.8
0.52
3.8
0.52
3.8
0.52
3.8
0.52
3.8
0.52
3.8
0.52
@ IF = 10 mA
rD
typ
(Ω)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
@ VR = 1 V
@ VR = 20 V
Cd
typ
(pF)
0.37
0.35
0.35
0.37
0.37
0.37
0.37
0.37
0.37
Cd
typ
(pF)
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
0.23
Cd
max
(pF)
-
新产品
@ f = 100 MHz
@ IF = 0.5 mA
Cd
max
(pF)
0.35
0.35
0.35
0.35
0.35
0.35
0.35
0.35
0.35
PIN 二极管:典型的 rD @ 1 mA = 14 - 16,衰减器二极管
@ f = 100 MHz
Type
Package
Number
of diodes
BAP50-02
SOD523
1
BAP50-03
SOD323
1
BAP50-04
SOT23
2
BAP50-04W
SOT323
2
BAP50-05
SOT23
2
BAP50-05W
SOT323
2
SOD882D
1
BAP50LX
SOD882D
1
BAP64LX^
^ = 衰减器/开关二极管
*= @ VR = 20 V
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
SG
SG
SR
SR
CC
CC
SG
SG
50
50
50
50
50
50
50
60
50
50
50
50
50
50
50
100
@ IF = 0.5 mA
rD
typ
(Ω)
25
25
25
25
25
25
26
31
rD
max
(Ω)
40
40
40
40
40
40
40
50
@ IF = 1 mA
rD
typ
(Ω)
14
14
14
14
14
14
14
16
rD
max
(Ω)
25
25
25
25
25
25
25
26
@ f = 1 MHz
@ VR =
@ IF = 10 mA
0V
Cd
rD
rD
max
typ
typ
(Ω)
(Ω)
(pF)
3
5
0.4
3
5
0.4
3
5
0.45
3
5
0.45
3
5
0.45
3
5
0.45
3
5
0.4
2.6
4.4
0.48
@ VR = 1 V
Cd
typ
(pF)
0.3
0.3
0.35
0.35
0.3
0.35
0.28
0.34
Cd
max
(pF)
0.55
0.55
0.6
0.6
0.5
0.6
0.55
-
@ VR = 5 V
Cd
typ
(pF)
0.22
0.2
0.3
0.3
0.35
0.3
0.19
0.17*
Cd
max
(pF)
0.35
0.35
0.5
0.5
0.6
0.5
0.35
0.3*
PIN 二极管:典型的 rD @ 1 mA = 40,衰减器二极管
@ f = 100 MHz
Type
Package
Number
of diodes
Conf
VR max
(V)
IF max
(mA)
BAP70Q
BAP70-02
BAP70-03
BAP70-04W
BAP70-05
BAP70AM
SOT753
SOD523
SOD323
SOT323
SOT23
SOT363
4
1
1
2
2
4
SR
SG
SG
SR
CC
SR
50
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
100
粗体 = 重点推荐产品
SG = 单个
SR = 系列
@ IF = 0.5
mA
rD
typ
(Ω)
77
77
77
77
77
77
rD
max
(Ω)
100
100
100
100
100
100
@ IF = 1 mA
rD
typ
(Ω)
40
40
40
40
40
40
rD
max
(Ω)
50
50
50
50
50
50
@ f = 1 MHz
@ IF = 10 mA
rD
typ
(Ω)
5.4
5.4
5.4
5.4
5.4
5.4
rD
max
(Ω)
7
7
7
7
7
7
@ VR
=0V
Cd
typ
(pF)
0.6
0.57
0.57
0.6
0.6
0.57
@ VR = 1 V
@ VR = 20 V
Cd
typ
(pF)
0.43
0.4
0.4
0.43
0.43
0.4
Cd
max
(pF)
0.25
0.2
0.2
0.25
0.25
0.2
Cd
max
(pF)
-
Cd
typ
(pF)
0.3
0.25
0.25
0.3
0.3
0.25
CC = 共阴极
CA = 共阳极
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
75
3.2.3 频段开关二极管
为什么选择恩智浦频段开关二极管:
``可确保大批量供货
``交货周期短
``低串联电感
``低插入损耗
``低电容
``高反向隔离
Type
Package
VR max
(V)
IF max
(mA)
rD max
(Ω)
@ IF =
(mA)
@f=
(MHz)
Cd max
(pF)
@ VR =
(V)
@f=
(MHz)
BA277
BA591
BA891
BAT18
SOD523
SOD323
SOD523
SOT23
35
35
35
35
100
100
100
100
0.7
0.7
0.7
0.7
2
3
3
5
100
100
100
200
1.2
0.9
0.9
1
6
3
3
20
1
1
1
1
3.2.4 肖特基二极管
肖特基二极管选择向导:www.nxp.com/rfschottkydiodes
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的肖特基二极管。
为什么选择恩智浦肖特基二极管:
``低二极管电容
``低正向电压
``提供单管封装与分立三管封装
``小封装
应用
} 数字应用:
- 超高速切换
- 钳位电路
} RF 应用:
- 二极管环形混频器
- RF 检波器
- RF 倍压器
低电容肖特基二极管
Type
BAT17
PMBD353
PMBD354^
1PS76SB17
1PS66SB17
1PS79SB17
1PS88SB82
1PS70SB82
1PS70SB84
1PS70SB85
1PS70SB86
1PS66SB82
1PS10SB82
Package
Configuration
SOT23
SOT23
SOT23
SOD323
SOT666
SOD523
SOT363
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT666
SOD882
single
dual series
dual series
single
triple isolated
single
triple isolated
single
dual series
dual c.c
dual c.a.
triple isolated
single
粗体 = 重点推荐产品
76
^ 二极管拥有匹配电容
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
VR max.
(V)
4
4
4
4
4
4
15
15
15
15
15
15
15
IF max.
(mA)
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
VF max.
(mV)
450 @ IF = 1 mA
450 @ IF = 1 mA
450 @ IF = 1 mA
450 @ IF = 1 mA
450 @ IF = 1 mA
450 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
340 @ IF = 1 mA
CD max.
(pF)
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
1 @ VR = 0 V
3.3 RF 双极晶体管
3.3.1 宽带晶体管
RF 宽带晶体管的选择向导:www.nxp.com/rftransistors
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 RF 宽带晶体管。
为什么选择恩智浦 RF 宽带晶体管:
``广泛的产品系列 (第 1 代到第 7 代)
``交货周期短
``最小封装
``可大量供货
宽带晶体管
fT-IC 曲线表示恩智浦的六代 RF 宽带晶体管的转换频率 (fT ) 随集电极
电流 (IC) 变化的特点曲线。一条曲线代表具有相同的集电极电流 (IC)
与相似转换频率晶体管 (IC) 的一组晶体管。曲线序号与表中产品相对
应,详细说明了其 RF 特点。
新产品
按频率划分的宽带晶体管
bra510
100
(33)
(37)
fT
(GHz)
7th generation
(39)
(35)
(27)
(26)
(29)
(25)
(36)
10
(31)
(20)
(30)
(38)
(40)
4th generation
(23)
(22)
(21)
(19)
(34)
(15)
(14)
(16)
(18)
3rd generation
(11)
(7)
(9)
(8)
(12)
(10)
2nd generation
(4)
(1)
1
0.1
0.5
0.2
1
(3)
2
5
1st generation
10
20
Pin
4
1
3
3
2
2
Figure 1
6th generation
5th generation
(32)
(41)
1
2
3
4
4
1
2
3
4
1
Figure 2
1
2
3
4
50
100
200
500
IC (mA)
1000
Description
Type (see Fig.1)
collector
base
emitter
emitter
Type/X (see Fig.1)
collector
emitter
base
emitter
Type/XR (see Fig.2)
collector
emitter
base
emitter
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
77
宽带晶体管 (RF 小信号)
GUM (typ)
(dB)
400
400
400
2000
2100
2000
2000
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
7
7
7
-
@ VCE = (V)
Polarity
250
250
250
500
250
250
500
@ IC = (mA)
P tot (max)
(mW)
8
8
10
10
8
10
9.5
SOT143
SOT143
SOT343
SOT223
SOT223H
SOT223
SOT223
@ f = (MHz)
IC (max)
(mA)
BFG10
BFG10/X
BFG10W/X
BLT50
BLT70
BLT80
BLT81
VCEO (max)
(V)
Type
Package
适用于便携式设备的 RF 功率晶体管 (VHF)
1900
1900
1900
-
1
1
1
-
3.6
3.6
3.6
-
@ IC = (mA)
@ VCE = (V)
1
1
-
-
1000
0.5
1
1.8
0.5
1
2
0.5
1
2
-70 -10
100 10
15 10
2
70 10
- 3.75
50 10 3.3
30
6
3.5
15 10
3
15 10
2
14 10 2.5
0.5
1
1.8
0.5
1
1.8
2.5
-15 -10 2.5
2.4
-30 -5 2.4
1000
1000
1000
1000
500
500
800
2000
1000
800
1000
1000
500
500
500
500
0.5
1
1
5
-50
50
30
5
5
2
1
0.5
-5
-5
-10
-10
1
1
1
10
-10
10
6
10
10
5
1
1
-10
-10
-5
-5
3
2.1
3
3
3
2000
1000
2000
1000
1000
5
5
5
-5
-10
10
10
10
-10
-5
800
800
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
100
50
80
80
70
15
15
30
30
45
70
15
30
30
30
30
30
1000
1000
1000
1000
500
1000
1000
1000
1000
1000
1000
15
15
5
5
45
5
5
5
5
5
5
8
8
8
8
10
8
8
8
8
8
8
2.5
2.5
2.3
2.3
3
2.7
3
3
3
2.1
2.1
2000
2000
2000
2000
1000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
5
5
5
5
45
15
5
5
5
5
5
8
8
8
8
10
8
8
8
8
8
8
SOT23
SOT323
SOT23
1
1.6
2.3
15
15
5
25 300 NPN
50 300 NPN
6.5 30 NPN
BFG25A/X
BFG25AW
BFG25AW/X
BFG31
BFG35
BFG92A/X
BFG97
BFQ149
BFQ18A
BFQ19
BFR106
BFR92A
BFR92AW
BFS17A
BFS25A
BFT25A
BFT92
BFT92W
BFT93
BFT93W
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
2nd
18
18
18
10
11
7
10
10
11
10
10
7
7
4
18
18
7
7
9
9
SOT143B
5
SOT343N 5
SOT343N 5
SOT223
5
SOT223
4
SOT143B
5
SOT223
5.5
SOT89
5
SOT89
4
SOT89
5.5
SOT23
5
SOT23
5
SOT323
5
SOT23
2.8
SOT323
5
SOT23
5
SOT23
5
SOT323
4
SOT23
5
SOT323
4
5
5
5
-15
18
15
15
-15
18
15
15
15
15
15
5
5
-15
-15
-12
-12
6.5
6.5
6.5
-100
150
25
100
-100
150
100
100
25
25
25
6.5
6.5
-25
-35
-35
-50
32
500
500
1000
1000
400
1000
1000
1000
1000
500
300
300
300
32
32
300
300
300
300
NPN
NPN
NPN 16 1000 0.5
PNP 16 500 -70
NPN 15 500 100
NPN 16 1000 15
NPN 16 500 70
PNP 12 500 -50
NPN
NPN 11.5 500 50
NPN
NPN 14 1000 15
NPN 14 1000 15
NPN
NPN
NPN
PNP 18 500 -14
PNP 17 500 -15
PNP 16.5 500 -30
PNP 15.5 500 -30
18
16
1
8
-10 12
10 11
10 11
10 12
-10
10 7.5
- 11.5
10
8
10
8
- 13.5
13
15
-10
-10 11
-5
-5 10
1000
2000
2000
800
800
2000
800
800
800
2000
2000
800
1000
1000
1000
BFG135
BFG198
BFG590
BFG590/X
BFG591
BFG67
BFG67/X
BFG93A
BFG93A/X
BFG94
BFQ591
BFQ67W
BFR93A
BFR94A^
BFR93AR
BFR93AW
BFR94AW^
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
3rd
16
15
22
22
22
14
14
8
8
8
22
14
8
8
8
8
8
SOT223
SOT223
SOT143B
SOT143B
SOT223
SOT143B
SOT143B
SOT143B
SOT143B
SOT223
SOT89
SOT323
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
SOT323
15
10
15
15
15
10
10
12
12
12
15
10
12
12
12
12
12
150
100
200
200
200
50
50
35
35
60
200
50
35
35
35
35
35
1000
1000
400
400
2000
380
380
300
300
700
2250
300
300
300
300
300
300
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
10
8
4
4
12
8
8
8
8
12
8
8
8
8
8
8
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
^ = 符合 AEC-Q101 (有一些限制)
78
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
7
8
5
5
7
8
8
6
6
6
7
8
6
6
6
5
5
Polarity
3
3
1
Type
1st
1st
1st
16
18
13
13
13
17
17
16
16
11
13
13
13
13
13
13
500
500
900
900
900
1000
1000
1000
1000
900
1000
1000
1000
1000
1000
1000
100
50
80
80
70
15
15
30
30
70
15
30
30
30
30
30
12
15
7.5
7.5
7.5
10
10
10
10
13.5
5.5
8
7
7
7
8
8
10
8
4
4
12
8
8
8
8
10
12
8
8
8
8
8
8
1.7
1.7
1.7
1.7
2.7
1.3
1.9
1.9
1.9
1.5
1.5
NF (typ) (dB)
-
BFS17
BFS17W
BFT25
NF (typ) (dB)
-
IC (max) (mA)
5
5
1
VCEO (max) (V)
2
2
1
f T (typ) (GHz)
500
500
500
Package
4.5
4.5
3.8
Curve
@ VCE = (V)
@ f = (MHz)
800
@ IC = (mA)
GUM (typ) (dB)
12
@ f = (MHz)
@ VCE = (V)
1
@ VCE = (V)
@ IC = (mA)
1
@ IC = (mA)
@ f = (MHz)
500
@ f = (MHz)
GUM (typ) (dB)
18
Generation
P tot (max) (mW)
1-3 代 RF 宽带晶体管
IP3 (typ) (dBm)
@ IC = (mA)
@ VCE = (V)
@ IC = (mA)
@ VCE = (V)
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
5
5
5
5
5
20
20
20
20
20
40
40
40
40
40
40
40
5
20
15
5
5
20
20
40
5
20
40
15
30
15
15
30
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
3
3
8
6
6
6
6
8
6
6
8
6
6
6
6
6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.1
1.1
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.1
1.2
1.9
1.7
1.2
1.2
1.1
1.1
1.3
1.2
1.1
1.3
1.4
1.3
1.5
1.5
1.3
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
1000
900
900
900
900
900
900
900
900
1000
1000
1000
1000
1000
5
5
5
5
5
20
20
20
5
5
10
10
10
10
10
10
10
1
5
40
15
5
1.25
5
5
10
1.25
5
10
5
5
5
5
5
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
3
3
8
8
6
6
6
6
8
6
6
8
6
6
6
6
6
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.85
1.85
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
1.9
1.9
2.7
1.9
1.9
1.9
1.9
2.1
1.9
1.9
2.1
2
2
2.1
2.1
1.8
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
10
5
5
15
5
1.25
5
5
10
1.25
5
10
5
5
5
5
5
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
3
3
8
6
6
6
6
8
6
6
8
6
6
6
6
6
4
4
4
4
4
17
17
17
17
17
21
21
21
21
21
21
21
4
5
17
17
21
4
17
21
-
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
6
6
6
6
8
6
6
8
-
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
-
NPN 18
NPN 18
NPN 18.3
NPN 18.3
1800
1800
1800
1800
5
5
15
15
3
3
3
3
-
-
-
-
1
1
1.1
1.1
2000
2000
2000
2000
1
1
3
3
3
3
3
3
1.8
1.8
8.7
8.7
3
3
3
3
1800 5
1800 5
1800 15
1800 15
PL(1dB) (typ) (dBmW)
900
900
900
900
900
900
1
1
2
2
2
8
2
2
2
2
2
2
1.6
1.2
1.2
1.2
1.2
1.8
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1
1
2
2
2
8
2
2
2
2
2
2
5
1
5
2
12 2
12 2
12 2
20 3.6
900
1
6
1
2000 10 15 10
2000 25 22 25
2000 25 22 25
2000 25 22 25
2000 1 28 80
1
2
2
2
2
2
5800
2400
1500
1500
12000
5800
5800
2400
2400
8
25
60
90
8
25
25
60
90
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0.75
0.58
0.6
0.7
0.9
0.47
0.56
0.5
0.56
2400
1500
1500
1500
5800
2400
2400
1500
1500
1
5
20
50
2
5
5
20
50
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1.4 5800 1
0.73 2400 5
0.75 2400 20
0.9 2400 50
1.7 12000 2
0.7 5800 5
1
5800 5
0.6 2400 20
0.7 2400 50
2
2
2
2
2
2
2
2
2
8
-
- 14 8
- 23 25
- 30 60
- 35 90
- 14.5 8
5800 25 19 25
- 20.5 25
- 23 60
- 24 90
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
-
IP3 (typ) (dBm)
1
0.9
0.8
0.8
0.8
1.2
@ IC = (mA)
3.6
2
2
2
2
2
2
@ f = (MHz)
1
3
10
25
25
25
80
@ VCE = (V)
@ VCE = (V)
1900
2000
2000
2000
2000
2000
2000
NF (typ) (dB)
10
22
21
23
22
20
16
NF (typ) (dB)
@ IC = (mA)
NPN 21
NPN 28
NPN 28.5
NPN 25.6
NPN 16.5
NPN 18
NPN 20.3
NPN 25
NPN 20.4
@ f = (MHz)
50
130
200
300
30
136
130
200
250
@ VCE = (V)
5
10
5
30
5
70
5 100
2.8 10
2.8 40
2.8 30
2.8 70
2.8 100
@ IC = (mA)
40
40
40
40
70
70
70
70
70
@ f = (MHz)
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
@ VCE = (V)
600
16
54
135
135
135
360
@ IC = (mA)
4.5 500
4.5 3.6
4.5 12
4.5 30
4.5 30
4.5 30
4.5 250
@ f = (MHz)
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
17
22
25
25
25
21
GUM (typ) (dB)
34
35
36
37
38
33
39
40
41
Polarity
6th
6th
6th
6th
7th
7th
7th
7th
7th
P tot (max) (mW)
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
SOT343R
SOT343R
SOT343R
SOT343F
SOT343R
SOT343R
SOT343R
IC (max) (mA)
32
25
26
27
27
27
29
VCEO (max) (V)
Curve
5th
5th
5th
5th
5th
5th
5th
f T (typ) (GHz)
Generation
BFG21W
BFG403W
BFG410W
BFG424F
BFG424W
BFG425W
BFG480W
Package
Type
5-7 代 RF 宽带晶体管
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
79
新产品
@ IC = (mA)
3
3
3
3
@ f = (MHz)
5
5
15
15
@ VCE = (V)
PL(1dB) (typ) (dBmW)
8.5
8.5
19.4
19.4
@ VCE = (V)
60
60
210
210
@ IC = (mA)
10
10
35
35
@ f = (MHz)
6
6
6
6
14
14
14
14
13
13
12
12
12
13
13
13
11
11
11
11
11
10
10
10
9
10
9
8
10
10
9
9
7
10
9
8
9.5
8
10
10
9.2
NF (typ) (dB)
SOT143R
SOT343R
SOT143R
SOT343R
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
8
6
6
6
6
8
6
6
8
-
@ VCE = (V)
30
30
31
31
5
5
5
5
5
20
20
20
20
20
40
40
40
40
40
40
40
5
5
20
20
40
5
20
40
-
@ IC = (mA)
4.5
4.5
4.5
4.5
10
10
10
10
10
26
26
26
26
26
34
34
34
34
34
34
34
10
10
26
26
34
10
26
34
-
@ f = (MHz)
BFG310/XR
BFG310W/XR
BFG325/XR
BFG325W/XR
5
5
5
5
5
20
20
20
20
20
40
40
40
40
40
40
40
5
5
20
20
40
5
20
40
-
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NF (typ) (dB)
150
150
500
500
500
300
300
300
500
500
400
400
400
500
500
500
650
500
1000
1,200
300
150
150
300
150
500
150
300
500
360
365
250
150
270
@ VCE = (V)
18
18
18
18
18
70
70
70
70
70
120
120
120
120
120
120
120
18
70
120
50
18
18
70
70
120
18
70
120
50
100
50
50
100
@ IC = (mA)
P tot (max) (mW)
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
8
8
15
10
15
15
15
15
15
15
15
15
10
10
10
10
10
@ f = (MHz)
IC (max) (mA)
SOT143B 9
SOT143B 9
SOT343N 9
SOT343N 9
SOT343R 9
SOT143B 9
SOT143B 9
SOT143R 9
SOT343N 9
SOT343N 9
SOT143B 9
SOT143B 9
SOT143R 9
SOT343N 9
SOT343N 9
SOT343R 9
SOT223
9
SOT363A 9
SOT363A 9
SOT89
9
SOT23
8
SOT23
9
SOT416
9
SOT23
9
SOT416
9
SOT23
9
SOT323
9
SOT323
9
SOT323
9
SOT23
8
SOT23
8
SOT323
8.5
SOT416
9
SOT323
8.5
GUM (typ) (dB)
VCEO (max) (V)
19
19
19
19
19
20
20
20
20
20
21
21
21
21
21
21
21
19
20
21
14
19
19
20
20
21
19
20
21
20
21
20
20
21
Polarity
Curve
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
4th
f T (typ) (GHz)
Generation
BFG505
BFG505/X
BFG505W
BFG505W/X
BFG505W/XR
BFG520
BFG520/X
BFG520/XR
BFG520W
BFG520W/X
BFG540
BFG540/X
BFG540/XR
BFG540W
BFG540W/X
BFG540W/XR
BFG541
BFM505
BFM520
BFQ540
BFQ67
BFR505
BFR505T
BFR520
BFR520T
BFR540
BFS505
BFS520
BFS540
PBR941
PBR951
PRF947
PRF949
PRF957
Package
Type
4-4.5 代 RF 宽带晶体管
3.4 RF IC
3.4.1 RF MMIC 放大器和混频器
RF MMIC 放大器和混频选择向导:www.nxp.com/mmics
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 zRF MMIC。
为什么选择恩智浦的 MMIC 放大器和混频器
``减少了 RF 元件数量
``简化电路设计
``减小电路板尺寸
``缩短产品上市时间
``广泛的产品系列
``可大量供货
``交货周期短
通用宽带放大器 (50 Ω)
@
Type
Package
BGA2711
BGA2748
BGA2771
BGA2776
BGA2709
BGA2712
BGM1011
BGM1012
BGM1013
BGM1014
BGA2714
BGA2715
BGA2716
BGA2717
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
Vs
(V)
5
3
3
5
5
5
5
3
5
5
3
5
5
5
注释:(1)上部分 — 1 GHz 时增益的 3 dB 点
Fu(1)
Is
@-3 dB
(mA) (GHz)
12.6
3.6(2)
5.7
1.9
33.3
2.4
24.4
2.8
23.5
3.6
12.3
3.2
25.5
3.6
14.6(2)
27.5
2.1
2.5
21.0 (2)
4.58
2.7
3.3
4.3(2)
3.2
15.9(2)
8.0
3.2
优化参数
(2)
NF
(dB)
4.8
1.9(2)
4.5
4.9
4.0
3.9
4.7
4.8
4.6
4.2
2.2
2.6
5.3
2.3(2)
Psat
(dBm)
2.8
-2.3
13.2(2)
10.5
12.5
4.8
13.8
9.7
14.0
12.9
-3.4
-4.0
11.6
1.4
@ 1 GHz
Gain(2)
(dB)
13.1
21.8
21.4
23.2(2)
22.7
21.3
30 (2)
20.1
35.5(2)
32.3
20.4
21.7
22.9
23.9
P1dB
OIP3
(dBm) (dBm)
-0.7
8.3
-9.2
-1.9
12.1
21.9
7.2
18.6
8.3
22
0.2
11
12.2
23
5.6
18
12.0
22.7
11.2
20.5
-7.9
2.1
-8.0
2.3
8.9
22.2
-2.6
10.0
100
MHz
13.0
14.8
20.3
22.4
22.2
20.8
25.0
19.5
35.2
30.0
20.8
13.3
22.1
18.6
Gain(3) (dB) @
2.2
2.6
GHz
GHz
14.1
13.8
17.6
15.0
20.4
17.9
23.2
21.8
23.0
22.1
21.9
21.2
37.0
32.0
20.4
19.9
31.8
29.7
34.1
30.5
20.8
19.4
23.3
22.1
22.8
22.1
25.1
24.0
3.0
GHz
12.7
11.9
15.5
19.3
21.1
19.3
28.0
18.7
26.1
26.4
16.8
20.1
20.8
22.1
Vs
(V)
6
4
4
6
6
6
6
4
6
6
4
6
6
6
Limits
Is
(mA)
20
15
50
34
35
25
35
50
35
30
10
8
25
15
P tot
(mW)
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
增益 = |S21|2
(3)
新型通用宽带放大器 (50 Ω)
@
Type
Package
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BGA2802
BGA2803
BGA2870
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
Vs
(V)
3.3
3.3
3.3
3.3
5
5
5
3.3
3
2.5
Fu
Is
@-3 dB
(mA) (GHz)
9.7
>3
12.4
3
16.4
>3
19.6
2.3
7.7
>3
22.7
2.6
15.4
>3
13
2.8
5.8
2.8
16
1.7
NF
(dB)
3.4
3.6
3.4
2.8
3.9
3.7
3.6
4.1
3.6
3.7
@ 1 GHz
Gain
(dB)
20.2
22.1
25.4
31.2
23.3
31.9
23.4
25.8
23.5
31
OIP3
(dBm)
11.5
13.6
18.2
16.1
8.7
20.9
17.7
16
5
12
250
(MHz)
20
22.3
26.2
32
22.9
31.2
23
25
23.6
31
Gain (dB) @
950
1550
(MHz) (MHz)
20.2
20.6
22.1
23
25.4
25.5
31.2
30.6
23.2
23.9
31.8
32.6
23.3
24
25
25
23.4
23.2
31#
2150
(MHz)
20.6
23.8
25.8
28.7
24
31.4
24.3
25.5
23
-
# = 750 MHz 时增益
当在输出阶段使用新型 BGA28xx IF 增益模块时无需输出电感器。
通用低噪声宽带放大器
@
Type
Package
BGA2001
BGA2002^
BGA2003
BGA2011
BGA2012
注释:(1)MSG
SOT343R
SOT343R
SOT343R
SOT363
SOT363
可调整偏置
(2)
Vs
(V)
2.5
2.5
2.5
3
3
|S21|2
(3)
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
^ = 符合 AEC-Q101 (有一些限制)
80
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Is
(mA)
4
4
10 (2)
15
7
NF
(dB)
1.3
1.3
1.8
1.5
-
@ 900 MHz
Gain
IIP3
(dB) (dBm)
-7.4
22(1)
-7.4
22(1)
24 (1)
-6.5
10
19(3)
-
@1800 MHz
NF
Gain
IIP3
(dB)
(dB) (dBm)
1.3
19.5(1)
-4.5
1.3
19.5(1)
-4.5
1.8
16(1)
-4.8
10
1.7
16(3)
100
(MHz)
20
20
26
24
22
Gain(3) (dB) @
1
2.6
(GHz) (GHz)
17.1
11.6
17.1
11.6
18.6
11.1
14.8
8
18.2
11.6
3.0
(GHz)
10.7
10.7
10.1
6.5
10.5
Vs
(V)
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
Limits
Is
(mA)
30
30
30
30
15
Ptot
(mW)
135
135
135
135
70
SiGe:C LNA (针对 GPS 等)
@ 1.575 GHz
Supply
voltage
Type
Package
Supply current
Insertion
power gain
Vcc
Icc
|s21|2
NF
PI(1 dB)
IP3i
(V)
(mA)
(dB)
(dB)
(dBm)
(dBm)
Min
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Noise
figure
Max
Input power at 1 dB gain
compression
Vcc =
1.8 V,
Min
Typ
Vcc =
1.8 V,
Typ
Vcc =
2.5 V,
Icc =
5 mA
Input third-order intercept point
f1 = 1713 MHz, f2 = 1851 MHz
Vcc =
1.8 V,
Min
Vcc =
Vcc =
2.85 V, 2.85 V,
Typ
Min
Vcc =
1.8 V,
Typ
BGU7003
SOT891
2.2 2.85
3
15
16
18.3
20
0.8
-20
SOT886
2.2 2.85
3
15
16
18.3
20
0.8
-20
BGU7003W
SOT886
1.5 2.85
4.5
16.5*
0.9
-14
-11
-11
-8
5
BGU7004^
SOT886
1.5 2.85
4.5
16.5*
0.9
-14
-11
-11
-8
5
BGU7005
SOT886
1.5 2.85
4.8
18**
0.9
-14
-11
-11
-8
5
BGU7007
SOT886
1.5 2.85
4.8
18**
0.9
-14
-11
-11
-8
5
BGU7008^
^ 符合 AEC-Q101 (有一些限制) * = 16.5 dB 不带干扰发射器 / 17.5 dB 带干扰发射器 ** = 18.5 dB 不带干扰发射器 / 19.5 dB 带干扰发射器
9
9
9
9
Vcc =
2.5 V,
Icc =
5 mA
Vcc =
2.85 V,
Min
Vcc =
2.85
V,
Typ
0
0
-
5
5
5
5
12
12
12
12
Type
@
Frequency
range
Package
Mode
(MHz)
BGU7033
SOT363
40 - 1000
BGU7032
SOT363
40 - 1000
BGU7031
BGU7041
SOT363
SOT363
40 - 1000
40 - 1000
BGU7042
SOT363
40 - 1000
注意: (1) 增益 = 可编程增益 (Gp)
(2)
GP 10 dB
GP 5 dB
Bypass
GP 10 dB
Bypass
GP 10 dB
GP 10 dB
GP 10 dB
Bypass
Gain (1)
NF
PL(1dB)
OIP3
FL (2)
RLout
RLin
(mA)
(dB)
(dB)
(dBm)
(dBm)
(dB)
(dB)
(dB)
43
43
4
43
4
43
38
38
3
10
5
-2
10
-2
10
10
10
-2
4.5
6
2.5
4.5
2.5
4.5
4
4
2.5
14
9
10
13
10
13
12
12
-
29
29
29
29
29
29
29
29
29
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
12
12
8
12
8
12
12
12
10
18
17
8
18
8
18
21
21
10
VCC
ICC
(V)
5
5
5
5
5
5
3.3
3.3
3.3
新产品
用于机顶盒的 LNA (75 Ω)
频率响应的平坦度 = FL
用于无线基础设施的 LNA (50 Ω)
Type
BGU7051
BGU7052
BGU7053
Package
Vsupply (typ)
@ IC =
@f=
(V)
3.3
3.3
3.3
(mA)
65
65
65
(MHz)
900
1900
2500
SOT650
SOT650
SOT650
Gass (typ) NF (typ) PL(1dB) (typ) OIP3 (typ)
(dB)
20.9
20.1
20
(dB)
0.7
0.9
1
IRL
ORL
(dB)
22
20
20
(dB)
15.8
15
15
(dBm)
17.8
18
18
(dBm)
34
35.5
35
@1800 MHz
Gain(2) OIP3
PL(1dB)
Gain(2)
2.5
Vs (1)
Limits
Is
Ptot
(dBm)
15
17
20
GHz
12
15
15
(V)
6
6
6
(mA)
120
120
120
(mW)
480
480
480
通用中等功率放大器 (50 Ω)
@
Type
BGA6289
BGA6489
BGA6589
Package
Vs (1)
Is
NF
SOT89
SOT89
SOT89
(V)
4.1
5.1
4.8
(mA)
84
78
81
(dB)
3.5
3.1
3.0
注意: (1) 不带偏压电阻的设备电压。
(2)
@ 900 MHz
Gain(2) OIP3
(dB)
15
20
22
(dBm)
31
33
33
PL 1 dB
NF
(dBm)
17
20
21
(dB)
3.7
3.3
3.3
(dB)
13
16
17
(dBm)
28
30
32
增益 = |S21|2
针对所有 400 – 2700 MHz 应用的通用中等功率放大器 (50 Ω)
supply
Type
BGA7124
BGA7024
BGA7127
BGA7027
BGA7130*
Package
SOT908
SOT89
SOT908
SOT89
SOT908
leadless
leaded
leadless
leaded
leadless
f
(MHz)
400 - 2700
400 - 2700
400 - 2700
400 - 2700
400 - 2700
Vcc
Icc
Typ
(V)
5
5
5
5
5
Typ Max
(mA) (mA)
130
200
110
180
325
170
-
shutdown control
VI(D)L(SHDN)
Min
(V)
0
0
0
Max
(V)
0.7
0.7
0.7
VI(D)H(SHDN)
Min
(V)
2.5
2.5
2.5
Max
(V)
Vbias
Vbias
Vbias
RF performance
RF performance
II(D)L(SHDN)
Typ @ f = 940 MHz
Typ @ f = 1960 MHz
Typ
(µA)
4
4
4
Gp PL(1dB) OIP3 NF
(dB) (dBm) (dBm) (dB)
22
25
38
5
22
24
38
3
20
28
44
3
19
28
41
3
18
30
45
4
Gp PL(1dB) OIP3 NF
(dB) (dBm) (dBm) (dB)
16
24
38
5
16
25
38
4
13
28
43
5
12
28
43
4
12
30
45
4
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
81
用于无线基础设施的 VGA
Vsup
Isup
frequency
(V)
(mA)
5
710
Parallel, serial
5
160
(MHz)
700 … 1450
1450 … 2200
700 … 2750
1450 … 2100
2100 … 2750
Parallel, digital
5
240
Package
Control interface
BGA7202
SOT617
Analog
BGA7204
SOT617
BGA7350
BGA7351
SOT617
Type
Gain @ minimum attenuation @ maximum attenuation
range
Gain
OIP3
NF
Gain
OIP3
NF
(dB)
(dB)
(dBm)
(dB)
(dB)
(dBm)
(dB)
23
23
41
7
0
30
30
23
23
41
7
0
30
30
31.5
24
37
6.5
-7.5
19
38
30.5
17
36
6.5
-13.5
10
38
29.5
16
34
7.5
-13.5
10
38
24
18.5
44
6
-5.5
50
30
28
22
45
6
-6
50
34
50 … 250
BGA7350 和 BGA7351 是单芯片上双独立受控的接收 IF VGA
两级可变增益线性放大器
@
Type
BGA2031/1
注意:
SOT363
增益 = GP,功率增益。
(1)
Vs
(V)
3
Package
(2)
Frequency
Gain(1)
Range
(dB)
800-2500
24
Is
(mA)
51
@ 900 MHz
DG(2)
P1dB
(dB)
(dBm)
62
11
ACPR
(dBc)
49
@1900 MHz
DG(2)
P1dB
(dB)
(dBm)
56
13
ACPR
(dBc)
49
@1900 MHz
NF Gain(1) OIP3
(dB)
(dB) (dBm)
9
6
10
Vs
(V)
4
Gain(1)
(dB)
23
Vs
(V)
3.3
Limits
Is
(mA)
77
P tot
(mW)
200
DG = 增益控制范围
宽带线性混频器
@
Type
BGA2022
注意:
Vs
(V)
3
Package
SOT363
增益 = GP,功率增益。
(1)
(2)
Is
(mA)
6
RF Input
Frequency
Range
800 - 2500
IF Output
Frequency
Range
50 - 500
NF
(dB)
9
@ 880 MHz
Gain(1) OIP3
(dB) (dBm)
5
4
Limits
Is
(mA)
10
Ptot
(mW)
40
DG = 增益控制范围
3.4.2 无线基础设施 IC
用于无线基础设施的低噪声 LO 发生器
fIN(REF)
Type
VCC
ICC
Noise 1 MHz offset
@5.3 GHz
Package
BGX7300*
SOT617
Output buffer
(Po)
Typ
Typ
Typ
Typ
(MHz)
(V)
(mA)
(dBc/Hz)
(dBm)
10-160
3.3
140
-131
0
-10
用于无线基础设施的 IQ 调制器
Type
Output
Voltage gain
Bandwidth of
IQ modulator
VCC
ICC
NFL (Output noise floor)
OIP3
GV
(MHz)
(V)
(mA)
(dBm/Hz)
(dBm)
(dB)
650
5
180
-159
27
1.5
Second order
spur rejection
(2RF-2LO)
VCC
ICC
NFssb (small
signal
noise figure)
IIP3
Conversion gain
(dBc)
(V)
(mA)
(GHz)
(dB)
(dBm)
(dB)
60
5
380
0.7 - 1.2
10
26
7.5
60
5
380
1.7 - 2.7
10
26
8.5
Package
BGX7100*
SOT616
用于无线基础设施的双混频器
Type
Package
BGX7220*
SOT617
SOT617
BGX7221*
Frequency
range
* = 请查看 3.1 新产品状态,因为此型号还没有进行批量生产。
3.4.3 卫星 LNB RF IC
Type
TFF1014HN
TFF1015HN
TFF1017HN
TFF1018HN
Package
SOT763-1
SOT763-1
SOT763-1
SOT763-1
Input freq
range
I
Gconv
NF
OIP3
LO Freq
Integrated Phase noise
density (degrees RMS)
(V)
(mA)
(dB)
(dB)
(dB)
(GHz)
10.7 - 12.75
5
52
36
7
13
9.75 / 10.6
1.5
10.7 - 12.75
5
52
39
7
13
9.75 / 10.6
1.5
10.7 - 12.75
5
52
42
7
13
9.75 / 10.6
1.5
10.7 - 12.75
5
52
45
7
13
9.75 / 10.6
1.5
红色粗体 = 重点推荐的新产品
82
Vcc
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
3.4.4 用于 VSAT 和一般微波应用的低噪声 LO 发生器
为什么选择恩智浦的低噪声 LO 发生器
``最低整体拥有成本
``无需调整
``简易的电路设计
``改进了 LO 稳定性
用于 VSAT 应用的低噪声 LO 发生器
VCC
fIN(REF)
Type
ICC
PLL phase noise @ N=64,
@100 kHz
Package
SOT616
SOT616
SOT616
TFF1003HN
TFF1007HN
TFF1008HN
PLL
Output buffer
fo(RF)
Po
RLout(RF)
Input
Si
Typ
Typ
Max
Typ
Max
Min
(MHz)
(V)
(mA)
(dBc/Hz)
(GHz)
(dBm)
(dB)
(dBm)
50 - 815
3.3
100
-92
12.8 - 13.05
-5
-10
-10
230.46 - 234.38
3.3
100
-104
14.62 - 15
-3
-10
-10
220.91 - 225.2
3.3
130
-104
14.1 - 14.4
-3
-10
-10
用于一般微波应用的低噪声 LO 发生器
Package
fIN(REF)
VCC
ICC
Typ
(V)
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
Typ
(mA)
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
PLL phase noise @
N=64
@ 100 kHz @ 10 MHz
(dBc/Hz) (dBc/Hz)
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
-95
-131
Min
(GHz)
6.84
7.16
7.49
7.84
8.21
8.59
8.99
9.00
9.41
9.85
10.31
10.79
11.29
11.81
12.36
12.9
13.54
14.17
14.83
PLL
fo(RF)
Typ
(GHz)
7
7.33
7.67
8.02
8.4
8.79
9.2
9.4
9.63
10.07
10.54
11.03
11.55
12.09
12.65
13.2
13.85
14.5
15.18
(MHz)
TFF11070HN* SOT616
27 - 448
TFF11073HN* SOT616
28 - 468
TFF11077HN* SOT616
29 - 490
TFF11080HN* SOT616
31 - 513
32 - 537
TFF11084HN SOT616
TFF11088HN
SOT616
34 - 562
35 - 588
TFF11092HN SOT616
SOT616
36-600
TFF11094HN
SOT616
37 - 616
TFF11096HN
TFF11101HN*
SOT616 38 - 644
SOT616
40 - 674
TFF11105HN
TFF11110HN*
SOT616
42 - 706
SOT616
44 - 738
TFF11115HN
TFF11121HN*
SOT616
46 - 773
TFF11126HN*
SOT616 48 - 809
TFF11132HN*
SOT616
51 - 846
TFF11139HN*
SOT616
53 - 886
SOT616
55 - 927
TFF11145HN
SOT616
58 - 970
TFF11152HN
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
* = to be released on request, please consult your local NXP representative or authorized distributor
Max
(GHz)
7.16
7.49
7.84
8.21
8.59
8.99
9.41
9.6
9.85
10.31
10.79
11.29
11.81
12.36
12.94
13.5
14.17
14.83
15.52
Output buffer
Po
RLout(RF)
Typ
Max
(dBm)
(dB)
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
-5
-10
Input
Si
Min
(dBm)
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
Frequency
band
C
C
C
C. X
X
X
X
X
X
X
Ku
Ku
Ku
Ku
Ku
Ku
Ka
Ka
Ka
新产品
Type
3.5 RF MOS 晶体管
3.5.1 JFET
JFET 选择向导:www.nxp.com/rffets
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确结型场效应晶体管。
为什么选择恩智浦的 JFET。
``可确保大批量供货
``交货周期短
``广泛的产品系列
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
83
用于切换的 N-沟道结型场效应晶体管
Type
BSR56
BSR57
BSR58
PMBFJ108
PMBFJ109
PMBFJ110
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
J108
J109
J110
J111
J112
J113
PMBF4391
PMBF4392
PMBF4393
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT54
SOT54
SOT54
SOT54
SOT54
SOT54
SOT23
SOT23
SOT23
VDS
IG
(V)
max
40
40
40
25
25
25
40
40
40
25
25
25
40
40
40
40
40
40
(mA)
max
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
I DSS
(mA)
min
max
50
20
100
8
80
80
40
10
20
5
2
80
40
10
20
5
2
50
150
25
75
5
30
-Vgsoff
(V)
min
max
4
10
2
6
0.8
4
3
10
2
6
0.5
4
3
10
1
5
0.5
3
3
10
2
6
0.5
4
3
10
1
5
0.5
3
4
10
2
5
0.5
3
CHARACTERISTICS
RDSON
C rs
(Ω)
(pF)
max
min
max
25
5
40
5
60
5
8
15
12
15
18
15
30
typ.3
50
typ.3
100
typ.3
8
15
12
15
18
15
30
typ.3
50
typ.3
100
typ.3
30
3.5
60
3.5
100
3.5
I DSS
(mA)
min
max
20
135
7
70
2
35
1.5
20
20
135
7
70
2
35
1.5
20
-Vgsoff
(V)
min
max
5
10
3
6
1
4
0.8
2.25
5
10
3
6
1
4
0.8
2.25
CHARACTERISTICS
RDSON
C rs
(Ω)
(pF)
max
min
max
85
typ.4
125
typ.4
250
typ.4
300
typ.4
85
typ.4
125
typ.4
250
typ.4
300
typ.4
t on
(ns)
typ
4
4
4
13
13
13
4
4
4
13
13
13
-
t off
(ns)
max
15
15
15
typ
6
6
6
35
35
35
6
6
6
35
35
35
-
max
25
50
100
20
35
50
用于切换的 P-沟道结型场效应晶体管
Type
PMBFJ174
PMBFJ175
PMBFJ176
PMBFJ177
J174
J175
J176
J177
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT54
SOT54
SOT54
SOT54
VDS
IG
(V)
max
30
30
30
30
30
30
30
30
(mA)
max
50
50
50
50
50
50
50
50
t on
(ns)
typ
7
15
35
45
7
15
35
45
用于一般 RF 应用的 N-沟道结型场效应晶体管
Type
Package
VDS
IG
(V)
max
(mA)
max
I DSS
(mA)
min
max
CHARACTERISTICS
Vgsoff
|Yfs|
(V)
(mS)
min
max
min
max
DC, LF and HF amplifiers
BF245A
SOT54
30
10
2
6.5
<8
BF245B
SOT54
30
10
6
15
<8
BF245C
SOT54
30
10
12
25
<8
BF545A
SOT23
30
10
2
6.5
0.4
7.5
BF545B
SOT23
30
10
6
15
0.4
7.5
BF545C
SOT23
30
10
12
25
0.4
7.5
BF556A
SOT23
30
10
3
7
0.5
7.5
BF556B
SOT23
30
10
6
13
0.5
7.5
BF556C
SOT23
30
10
11
18
0.5
7.5
Pre-amplifiers for AM tuners in car radios
BF861A
SOT23
25
10
2
6.5
0.2
1.0
BF861B
SOT23
25
10
6
15
0.5
1.5
BF861C
SOT23
25
10
12
25
0.8
2
SOT23
20
10
10
25
0.3
2
BF862
RF stages FM portables, car radios, main radios & mixer stages
SOT23
20
10
0.7
3
typ. 0.8
BF510 (1)
SOT23
20
10
2.5
7
typ. 1.5
BF511(1)
(1)
SOT23
20
10
6
12
typ. 2.2
BF512
SOT23
20
10
10
18
typ. 3
BF513 (1)
Low-level general purpose amplifiers
BFR30
SOT23
25
5
4
10
<5
BFR31
SOT23
25
5
1
5
< 2.5
General purpose amplifiers
BFT46
SOT23
25
5
0.2
1.5
< 1.2
AM input stages UHF/VHF amplifiers
PMBFJ308
SOT23
25
50
12
60
1
6.5
PMBFJ309
SOT23
25
50
12
30
1
4
SOT23
25
50
24
60
2
6.5
PMBFJ310
SOT363
25
50
24
60
2
6.5
PMBFJ620
粗体 = 重点推荐产品
(1)
不对称
84
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
C rs
(pF)
min
max
3
3
3
3
3
3
4.5
4.5
4.5
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
-
Typ.=1.1
Typ.=1.1
Typ.=1.1
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
-
12
16
20
35
20
25
30
-
2.1
2.1
2.1
typ=1.9
2.7
2.7
2.7
-
0.4
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.5
1.5
1.5
-
>1
1.5
-
> 10
> 10
> 10
10
1.3
1.3
1.3
1.3
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4
6
7
1
1.5
4
4.5
t off
(ns)
max
-
typ
15
30
35
45
15
30
35
45
max
-
3.5.2 MOSFET
RF 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSEFT) 选择向导:www.nxp.com/rffets,
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 RF MOSFET。
为什么选择恩智浦的 MOSFET
``适用于电视调谐的参考设计
``交货周期短
``广泛的产品系列
``最小封装
``适用于调谐器应用的 2 合 1 FET
``可确保大批量供应
``适用于电视调谐的最佳性能的 MOSFET
用于切换的 N-沟道单一 MOSFET
Type
Package
BSS83
SOT143
Silicon RF Switches
SOT23
BF1107
SOT143B
BF11085)
SOT143R
BF1108R5)
SOT343
BF1108W
SOT343R
BF1108WR
SOT143B
BF1118
SOT143R
BF1118R
SOT343
BF1118W
SOT343R
BF1118WR
(V)
max
10
ID
(mA)
max
50
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10
10
10
10
10
10
10
10
10
I DSS
(mA)
min
max
-
V(p)GS
(V)
min
max
2(1)
0.1(2)
-
100 (3)
100 (3)
100 (3)
100
100
100
100
100
100
CHARACTERISTICS
C rs
t on
(pF)
(ns)
min
max
typ
max
typ.0.6
1
RDSON
(Ω)
max
45
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
7(4)
20
20
20
20
20
22
22
22
22
-
-
-
t off
(ns)
typ
-
max
5
|S21(on)|2
(dB)
max
-
-
-
2.5
3
3
3
3
3
3
3
3
-
|S21(off)|2
(dB)
min
-
MODE
30
30
30
30
30
30
30
30
30
depl.
depl.
depl.
depl
depl
depl
depl
depl
depl
enh.
新产品
VDS
粗体 = 重点推荐产品
N-沟道,双栅 MOSFET
Type
Package
With external bias
BF908
SOT143
BF908R
SOT143R
BF908WR
SOT343R
BF991
SOT143
BF992
SOT143
BF994S
SOT143
BF996S
SOT143
BF998
SOT143
BF998R
SOT143R
BF998WR
SOT343R
Fully internal bias
BF1105
SOT143
BF1105R
SOT143R
BF1105WR
SOT343R
BF1109
SOT143
BF1109R
SOT143R
BF1109WR
SOT343R
Partly internal bias
BF904A
SOT143
BF904AR
SOT143R
BF904AWR
SOT343R
BF909A
SOT143
BF909AR
SOT143R
BF909AWR
SOT343R
CHARACTERISTICS
|Yfs|
C is
C os
(mS)
(pF)
(pF)
min
max
typ
typ
VDS
ID
(V)
max
(mA)
max
12
12
12
20
20
20
20
12
12
12
40
40
40
20
40
30
30
30
30
30
3
3
3
4
4
4
2
2
2
27
27
27
25
20
20
18
18
18
-
-2
-2
-2
-2.5
-1.3
-2.5
-2.5
-2.0
-2.0
-2.5
36
36
36
10
20
15
15
21
21
22
50
50
50
-
3.1
3.1
3.1
2.1
4
2.5
2.3
2.1
2.1
2.1
7
7
7
11
11
11
30
30
30
30
30
30
8
8
8
8
8
8
16
16
16
16
16
16
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
25
25
25
24
24
24
-
7
7
7
7
7
7
30
30
30
40
40
40
8
8
8
12
12
12
13
13
13
20
20
20
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
1(6)
1(6)
1(6)
1(6)
1(6)
1(6)
22
22
22
36
36
36
30
30
30
50
50
50
I DSX
(mA)
min max
V(th)gs
(V)
min
max
F @ 800 MHz
(dB)
typ
VHF
UHF
1.7
1.7
1.7
1.1
2
1
0.8
1.05
1.05
1.05
1.5
1.5
1.5
1
1.2(7)
1(7)
1.8
1
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
2.2(9)
2.2(9)
2.2(9)
2.2(9)
2.2(9)
2.2(9)
1.2(8)
1.2(8)
1.2(8)
1.3 (8)
1.3 (8)
1.3 (8)
1.7
1.7
1.7
1.5
1.5
1.5
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
2.2
2.2
2.2
3.6
3.6
3.6
1.3
1.3
1.3
2.3
2.3
2.3
2
2
2
2
2
2
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
(2)
(7)
(3)
(8)
(4)
(9)
(5)
(1)
(6)
Asymmetrical VGS (th)
VGS(th) @ 200 MHz
ID C OSS
VSG C ig
Depletion FET
plus diode in one package
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
85
N-沟道,双栅 MOSFET
Type
Package
Partly internal bias
BF1100
SOT143
BF1100R
SOT143R
BF1100WR
SOT343R
BF1101
SOT143
BF1101R
SOT143R
BF1101WR
SOT343R
SOT363
BF1102(R)(10)
BF1201
SOT143
BF1201R
SOT143R
BF1201WR
SOT343R
BF1202
SOT143
BF1202R
SOT143R
BF1202WR
SOT343R
SOT363
BF1203 (11)
SOT363
BF1204(10)
BF1205C (11)(12)(13) SOT363
BF1205(11)(12)(13)
SOT363
BF1206(11)
SOT363
BF1206F(11)
SOT666
BF1207(11)(13)(14)
SOT363
BF1208 (11)(12)(13)
SOT666
BF1208D(11)(12)(13) SOT666
BF1210 (11)(12)
SOT363
BF1211
BF1211R
BF1211WR
BF1212
BF1212R
BF1212WR
BF1214(10)
SOT143
SOT143R
SOT343
SOT143
SOT143R
SOT343
SOT363
BF1218 (11/12/13)
SOT363
VDS
ID
(V)
max
(mA)
max
min
max
V(th)gs
(V)
min
max
14
14
14
7
7
7
7
10
10
10
10
10
10
10
10
10
6
6
10
7
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
30
30
30
30
30
30
40
301)
301)
301)
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
8
8
8
8
8
8
12
11
11
11
8
8
8
11
8
8
14
9
8
8
14
9
3
3
13
9
14
9
14
10
14
9
11
11
11
8
8
8
13
14
10
13
13
13
16
16
16
20
19
19
19
16
16
16
19
16
16
24
17
16
16
23
17
6.5
6.5
23
19
24
17
24
20
24
17
19
19
19
16
16
16
23
24
20
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
I DSX
(mA)
粗体 = 重点推荐产品
(1)
不对称
(2)
VGS(th) (3)
I D
(4)
VSG (5)
耗尽型 FET 及二极管合并于一个封装内 (7)
@200 MHz (8)
C OSS 1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1(6)
1(6)
1(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2(6)
1.2
1.2(6)
1
1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1
1
1
1
1
1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1
1
CHARACTERISTICS
|Yfs|
C is
(mS)
(pF)
min
max
typ
24
24
24
25
25
25
36
23
23
23
25
25
25
23
25
25
26
28
26
26
33
29
17
17
25
26
26
28
26
25
26
28
25
25
25
28
28
28
25
26
25
33
33
33
35
35
35
40
40
40
35
40
40
41
43
40
40
48
44
32
32
40
41
41
43
41
40
41
43
40
40
40
43
43
43
35
41
40
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.8 (9)
2.6
2.6
2.6
1.7
1.7
1.7
2.6
1.7
1.7
2.2
2
1.8
2.0
2.4
1.7
2.4
1.7
2.2
1.8
2.2
2
2.1
2.1
2.2
2
2.1
2.1
2.1
1.7
1.7
1.7
2.2
2.1
2.1
C os
(pF)
typ
F @ 800 MHz
(dB)
typ
VHF
UHF
1.4
1.4
1.4
1.2(8)
1.2(8)
1.2(8)
1.6(8)
0.9
0.9
0.9
0.85
0.85
0.85
0.9
0.85
0.85
0.9
0.85
0.75
0.85
1.1
0.85
1.1
0.85
0.9
0.8
0.9
0.85
0.8
0.85
0.9
0.85
0.9
0.9
0.9
0.9
0.9
0.9
0.9
0.8
0.85
2
2
2
1.7
1.7
1.7
2
1.9
1.9
1.9
1.1
1.1
1.1
1.9
1.1
1.1
1.4
1.4
1.2
1.4
1.6
1.4
1.1
1.0
1.4
1.4
1.4
1.4
1.1
1.4
1.4
1.4
1.3
1.3
1.3
1.1
1.1
1.1
1.4
1.1
1.4
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
-
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
C ig
两个相同的双栅 MOSFET 合并于一个封装内
(11)
两个低噪声增益放大器合并于一个封装内
(12)
晶体管 A:全内偏置型,晶体管 B:部分内偏置型
(13)
内部切换功能
(14)
晶体管 A:部分内偏置型,晶体管 B:全内偏置型
(9)
(10)
用于机顶盒的 N-沟道,双栅 MOSFET
CHARACTERISTICS
Package
Type
BF1215 (1)(2)(3)
SOT363
BF1216(1)
SOT363
BF1217
SOT343
VDS
ID
(V)
max
6
6
6
6
6
(mA)
max
30
30
30
30
30
(1)
V(th)gs
IDSX
(mA)
max
19.5
23
19.5
23
23
(V)
min
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
max
1
1
1
1
1
|Yfs|
Cis
COS
(mS)
typ
27
27
27
27
27
(pF)
typ
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
(pF)
typ
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
两个低噪声增益放大器合并于一个封装内
(2)
晶体管A:全内偏置型,晶体管B:部分内偏置型
(3)
内部切换功能
粗体 = 重点推荐产品
86
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
F @ 800
MHz
(dB)
typ
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
X-Mod @ 40 dB
gain reduction
(dB)
typ
107
107
107
107
107
3.6 RF 模块
CATV 模块选择向导:www.nxp.com/catv
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 CATV 模块。
为什么选择恩智浦的 RF 模块。
``卓越的线性度、稳定性和可靠性
``坚固的构造
``极低的噪声
``高功率增益
``低整体拥有成本
C 型号 (中国)
`` CATV 推挽模块,第 3.6.2 章节:BGY588C、BGE788C、
CGY888C
`` CATV 功率倍增模块,第 3.6.3 章节:BGD712C、CGD982HCi、
CGD985HCi、CGD987HCi
`` CATV 光接收模块,第 3.6.4 章节:BGO807C、BGO807CE
用于中国 (C-型号) 和 1 GHz GaAs HFET 产品线的 CATV 型号
我们的新型 CATV 混合系列包括两个系列的产品。C 型号是专门为了
配合两个主要政府项目而专门为中国市场设计的。GaAs HFET 包括
完整的 1 GHZ 系列,在全世界用于高端应用。
1GHz GaAs HFET 高端混合系列产品
`` CATV 推挽模块,第 3.6.2 章节:CGY1032、CGY1041、CGY1043、
CGY1047、CGY1049
`` CATV 功率倍增模块,第 3.6.3 章节:CGD1040Hi、CGD1042Hi、
CGD1044Hi、CGD1046Hi、CGD1042H、CGD1044H
新产品
这两个系列在数月后将被扩展并普及到这两个特定市场的所有
领域。
3.6.1 CATV 推挽模块
Type
BGY588C
BGY585A
BGY587
BGY587B
BGY588N
BGY685A
BGY687
BGY785A
BGE788C
BGY787
BGE787B
BGY883
BGE885
BGX885N
BGY885A
BGY887
CGY888C
BGY835C
BGY887B
BGY888
Frequency
range (MHz)
40 - 550
40 - 600
40-750
40 - 870
Gain
(dB)
Slope
(dB)
FL
(dB)
RLIN/RLOUT
(dB)
CTB
(dB)
33.5 - 35.5
17.7 - 18.7
21.5 - 22.5
26.2 - 27.8
34 - 35
17.7 - 18.7
21 - 22
18 - 19
33.2 - 35.2
21 - 22
28.5 - 29.5
14.5 - 15.5
16.5 - 17.5
16.5 - 17.5
18 - 19
21 - 22
34.5 - 36.5
33.5 - 34.5
28.5 - 29.5
33.5 - 34.5
0.2 - 1.7
0.5 - 2
0.2 - 1.5
0.5 - 2.5
0.5 - 1.5
0.5 - 2.2
0.8 - 2.2
0-2
0.3 - 2.3
0 - 1.5
0.2 - 2.2
0-2
0.2 - 1.2
0.2 - 1.4
0-2
0.2 - 2
1.5
0.5 - 2.5
0.5 - 2.5
0.5 - 2.5
0.5
0.2
0.2
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.6
0.2
0.45
0.3
0.5
0.3
0.2
0.2
0.25
0.5
0.5
0.2
16 / 16
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
16 / 16
20 / 20
20 / 20
20 / 20
14 / 14
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
-57
-59
-57
-57
-57
-55
-54
-54.5
-49
-54.5
-48
-61
X mod
(dB)
-62
-58
-60
-59
-60
-54
-57.5
-54
-52
-61
-65
-64.5
-65
-60
-60
-63.5
-65
-64.5
-72
-60
-63
CSO
(dB)
@ Ch
@ Vo
(dBmV)
NF @ fmax
(dB)
Itot
(mA)
-62
-59
-54
-57
-62
-56
-52
-62
-52
-57.5
-56
-61
77
77
77
77
77
85
85
110
110
110
110
49
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
44
-67
-67.5
-63
-55
-60
-64
49
49
112
49
49
49
44
44
44
44
44
44
8
8
7
6.5
6
8.5
6.5
6
8
5
6.5
8.5
8
8
6
5
4
7
6.5
5.5
345
220
220
340
325
240
240
225
325
220
340
235
240
240
225
220
280
340
340
325
3.6.2 CATV 推挽模块 1 GHz
Type
Frequency
range
CGY1041
CGY1043
CGY1047
40 - 1003
CGY1049
CGY1032
BGY1085A
粗体 = 重点推荐产品
红色粗体 = 重点推荐的新产品
Gain
(dB)
21 - 22.5
23 - 24.5
27 - 28.5
29 - 31
32 - 34
18 - 19
Slope
(dB)
1.2 - 2.7
1.2 - 2.7
1.5 - 2.5
0.85 - 2.35
1.05 - 2.55
0-2
FL
0.9
0.9
0.8
0.85
0.85
0.3
RL IN /RL OUT CTB XMOD CSO
20 / 18
20 / 18
20 / 18
20 / 18
20 / 18
20 / 20
-62
-62
-64
-62
-62
-53
-58
-58
-60
-58
-58
-54
-64
-64
-66
-64
-64
-56
@ Ch
79 NTSC channels + 75 digital channels
79 NTSC channels + 75 digital channels
79 NTSC channels + 75 digital channels
79 NTSC channels + 75 digital channels
79 NTSC channels + 75 digital channels
150
@ Vo NF @ fmax I tot
(dBmV)
(mA)
44
4.3
265
44
4.2
265
44
4.5
250
44
4.5
265
44
4.4
265
40
7.5
240
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
87
3.6.3 CATV 功率倍增模块
Gain
(dB)
Slope
(dB)
FL
(dB)
RLIN/RLOUT
(dB)
CTB
(dB)
X mod
(dB)
CSO
(dB)
@ Ch
@ Vo
(dBmV)
NF @ fmax
(dB)
Itot
(mA)
18 - 19
18 - 19
18 - 19
18.2 - 18.8
18.2 - 18.8
19.5 - 20.5
20 - 20.6
16.5 - 17.5
18 - 19
18.2 - 18.8
19.5 - 20.5
19.7 - 20.3
21.2 - 21.8
22 - 24
24 - 26
19.5 - 22
22 - 23.5
23.5 - 25.5
26.5 - 28
22 - 24
24 - 26
22 - 24
23.5 - 25.5
26 - 28
0.2 - 2.2
0.2 - 2
0.2 - 2
0.5 - 1.5
0.5 - 1.5
0-2
0.5 - 1.5
0.2 - 1.6
0.2 - 2
0.4 - 1.4
0.2 - 2
0.5 - 1.5
0.5 - 1.5
1-2
1-2
0.5 - 2
0.5 - 2
0.5 - 2
0.7 - 2.2
1.5
1
0.5 - 2
0.5 - 2
0.7 - 2
0.3
0.2
0.25
0.35
0.35
0.2
0.35
0.5
0.2
0.5
0.2
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
0.5
0.5
1
1
1
20 / 20
20 / 20
20 / 20
23 / 23
17 / 17
20 / 20
23 / 23
20 / 20
20 / 20
25 / 23
20 / 20
25 / 24
22 / 25
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 21
20 / 21
20 / 20
20 / 20
20 / 20
-65
-59
-58
-62
-62
-58
-61
-68
-64
-62
-63
-63
-62
-62
-63
-58
-63
-63
-61
-62
77
110
110
112
112
110
112
44
44
44
44
44
44
44
-56.5
-57
-54
-56
-55
-66
-66
-70
-70
-70
-75
-75
-75
-66
-66
-66
-61
-62
-62
-61
-58
-66
-66
-66
-65
-64
-68
-67
-67
-68
-68
-68
-64.5
-58
-60.5
-57
-56
-66
-66
-76
-75
-75
-70
-76
-76
-69
-69
-66
129
132
129
132
132
98
98
79
79
79
79
79
79
98
98
98
44
44
44
44
44
48
48
58.4
58.4
58.4
56.4
59
59
48
48
48
8
6.5
8.5
7
7
6.5
7
8
6.5
7.5
6.5
7.5
7.5
3.5
3.5
5.5
5.5
5
5
5
5
5.5
5
5
415
425
435
395
410
425
395
450
395
395
395
395
360
450
450
440
440
440
450
450
450
440
440
440
Frequency
range (MHz)
Type
BGD502
BGD702
BGD702N
BGD712
BGD712C
BGD704
BGD714
BGD885
BGD802
BGD812
BGD804
BGD814
BGD816L
CGD942C
CGD944C
CGD1040HI
CGD1042HI
CGD1044HI
CGD1046HI
CGD1042H
CGD1044H
CGD982HCI
CGD985HCI
CGD987HCI
40 - 550
40 - 750
40 - 870
40 - 1003
3.6.4 CATV 光接收模块
Frequency
range (MHz)
Type
BGO807
BGO807C
BGO807CE
BGO827
40 - 870
S
(V/W)
Slope
(dB)
FL
(dB)
RLOUT
(dB)
IMD3
(dB)
IMD2
(dB)
@ fmeasured
(MHz)
@ Pi(opt)
(mW)
NF @ fmax
(dB)
Itot
(mA)
Remark
800
800
800
800
0-2
0-2
0-2
0-2
1
1
1
1
11
11
11
11
-71
-71
-69
-73
-55
-54
-53
-57
854.5
854.5
854.5
854.5
1
1
1
1
8.5
8.5
8.5
8.5
205
205
205
205
FC and SC available
FC and SC available
FC and SC available
FC and SC available
3.6.5 CATV 反向混合产品
Type
BGY68
BGY66B
BGY67
BGY67A
BGR269
Frequency
range (MHz)
5 - 75
5 - 120
5 - 200
Gain
(dB)
Slope
(dB)
FL
(dB)
RLIN/RLOUT
(dB)
CTB
(dB)
X mod
(dB)
29.2 - 30.8
24.5 - 25.5
21.5 - 22.5
23.5 - 24.5
34.5 - 35.5
-0.2 - 0.5
-0.2 - 0.5
-0.2 - 0.5
-0.2 - 0.5
-0.2 - 0.6
0.2
0.2
0.2
0.2
0.5
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
20 / 20
-68
-66
-67
-67
-57
-60
-54
-60
-59
-50
红色粗体 = 重点推荐的新产品
粗体 = 重点推荐产品
注释:本表仅供参考。
关于完整的数据,请参见最新的数据表。
关于供货,请与恩智浦销售部联系。
说明
``频率范围:以 MHz 为单位的最小频率和最大频率,在该频率下的数据特征 (@ Ch∕@ Vo)。
`` FL 是频率响应的平坦度。
`` fmax 下的 CTB、Xmod、CSO、IMD2 和 IMD3 的沟道数和输出电压的说明。
`` S 是光接收模块的最小响应度
88
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
CSO
(dB)
-66
@ Ch
@ Vo
(dBmV)
NF @ fmax
(dB)
Itot
(mA)
4
14
22
22
28
50
48
50
50
50
3.5
5
5.5
5.5
5.5
135
135
215
215
160
3.7 RF功率晶体管
最新:RF功率晶体管选择向导:www.nxp.com/rfpower
方便使用的参数化过滤帮助您为您的设计选择正确的 RF 功率晶
体管。
3.7.1 基站晶体管
http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/basestations/index.html#preview
设备命名规则,基站 RF 功率晶体管
22 L S
-45 P R B N G
gullwing-shaped leads
specialty
option: current sense lead
enhanced ruggedness
push-pull device
P1dB power
option: earless package
option: low thermal resistivity
operating frequency (in 100MHz; maximum)
G: standard LDMOS
LDMOS technology generation
F: LDMOS transistor in ceramic package
C: LDMOS transistor in air cavity plastic (ACP) package
D: fully integrated Doherty amplifier
M: MMIC
P: Plastic
L: high frequency power transistor
B: semiconductor die made of Si
新产品
B L F 6 G
为什么选择恩智浦基站 RF 功率晶体管
L F 6 G 22 L(第
S 6
-45和
P 7
R代
B N
G
`B`领先的技术
LDMOS)
gullwing-shaped leads
``最高效率
specialty
option: current sense lead
``最佳耐用性
enhanced ruggedness
push-pull device
``先进的 Doherty P1dB
放大器设计
power
option: earless package
``业界首个 3.8option:
GHz
lowDoherty
thermal resistivity
operating frequency (in 100MHz; maximum)
``业界首个
3 路 LDMOS
900 MHz Doherty
G: standard
LDMOS technology generation
``业界首个
单一封装 Doherty
F: LDMOS 50V、
transistor600W、
in ceramic package
C: LDMOS transistor in air cavity plastic (ACP) package
D: fully integrated Doherty amplifier
M: MMIC module
L: high frequency power transistor
B: semiconductor die made of Si
恩智浦提供用于基站的完整系列 RF 功率晶体管产品,工作频率从 800 MHz 至 3.8 GHz,涵盖了所有移动通信技术 (MC-GSM/
EDGE、TDMA、(TD-S) CDMA、W-CDMA/UMTS) 以及 WiMAX 基础设施。
3.7.1.1
Function
0.7 — 1.0 GHz 晶体管产品
Type
BLF6G21-10G
Driver
MMIC driver BLM6G10-30(G)
BLF6G10L-40BRN
Driver/final
BLF6G10(S)-45
BLP7G10S-140P(G)
BLF6G10(LS)-160RN
BLF8G10LS-160
BLF6G10-200RN
Final
BLF6G10LS-200RN
BLF7G10LS-250
BLF6G10L(S)-260PRN
BLF8G10LS-300P
3.7.1.2
Function
Driver
Final
WCDMA performance
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
1
920
700
700
700
700
700
700
688
920
700
700
2200
960
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
960
1000
1000
10
30
40
45
140
160
160
200
200
250
260
300
28
28
28
28
28
32
28
28
28
28
28
28
2
2
2.5
1
32
32
40
40
40
60
40
110
11.5
11.8
12
16.5
8
7
7
7
7
7
8.1
7
31
11.5
15
8
32
27
29
28.5
28.5
30
26.5
47
19.3
29
23
23
19
22.5
22
20
20
19
22
16
1.4 — 1.7 GHz 晶体管产品
Type
BLF6G21-10G
BLF6G15L-40BRN
BLF7G15LS-200
BLF6G15L-250PBRN
BLF7G15LS-300P
Test signal
Package
1-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
2-C WCDMA
IS95
SOT538A
SOT822-1
SOT1112A
SOT608B
SOT1204
SOT502
SOT502B
SOT502A
SOT502B
SOT502B
SOT539B
SOT539B
WCDMA performance
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
Test signal
Package
1
1450
1450
1450
1450
2200
1550
1550
1550
1550
10
40
200
250
300
28
28
28
28
28
0.7
2.5
50
60
85
11.5
12.0
6.0
6.2
5.5
15
13
29
33
31
18.5
22
19.5
18.5
18
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
SOT538A
SOT1112A
SOT502B
SOT1110A
SOT539B
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
89
3.7.1.3
Function
Driver
Final
3.7.1.4
Function
Driver
Final
3.7.1.5
Function
Driver
Final
3.7.1.6
Function
Driver
Final
90
1.8 — 2.0 GHz 晶体管产品
Type
BLF6G21-10G
BLF6G20-40
BLF6G20-45
BLF6G20S-45
BLD6G21L-50
BLD6G21LS-50
BLF6G20-75
BLF6G20LS-75
BLF7G20L-90P
BLF7G20LS-90P
BLF6G20-110
BLF6G20LS-110
BLF6G20LS-140
BLF7G20LS-140P
BLF7G21L(S)-160P
BLF6G20-180PN
BLF6G20-180RN
BLF6G20LS-180RN
BLF7G20L-200
BLF7G20LS-200
BLF6G20-230PRN
BLF6G20S-230PRN
BLF7G20L-250P
BLF7G20LS-250P
Test signal performance
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
Test signal
Package
1
1800
1800
1800
2010
2010
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1805
1805
1805
1805
1805
1805
2200
2000
2000
2000
2025
2025
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2050
2000
2000
2000
1990
1990
1880
1880
1880
1880
10
40
45
45
50
50
75
75
90
90
110
110
140
140
160
180
180
180
200
200
230
230
250
250
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
32
30
30
28
28
30
30
28
28
0.7
2.5
2.5
2.5
8
8
29.5
29.5
84
84
25
25
35.5
60
45
50
40
40
55
55
50
50
70
70
11.5
12.0
12.6
12.6
8.0
8.0
4.1
4.1
0.3
0.3
6.4
6.4
6.0
3.7
5.5
5.6
6.5
6.5
5.6
5.6
6.6
6.6
5.5
5.5
15
15
14
14
43
43
37.5
37.5
54
54
32
32
30
41
34
29.5
27
27
33
33
29.5
29.5
35
35
18.5
18.8
19.2
19.2
14.5
14.5
19
19
19
19
19
19
16.5
17.5
18
18
17.2
17.2
18
18
16.5
16.5
18
18
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
TD-SCDMA
TD-SCDMA
GSM EDGE
GSM EDGE
GSM EDGE
GSM EDGE
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
GSM EDGE
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
SOT538A
SOT608A
SOT608A
SOT608B
SOT1130A
SOT1130B
SOT502A
SOT502B
SOT1121A
SOT1121B
SOT502A
SOT502B
SOT502B
SOT1121B
SOT1121
SOT539A
SOT502A
SOT502B
SOT502A
SOT502B
SOT539A
SOT539B
SOT539A
SOT539B
2.0 — 2.2 GHz 晶体管产品
Test signal performance
Type
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
Test signal
Package
BLF6G21-10G
BLP7G22-10
BLM6G22-30
BLM7G22S-60PG
BLF6G22L-40BN
BLF6G22L(S)-40P
BLF6G22(S)-45
BLD6G22L(S)-50
BLF6G22LS-75
BLF7G22LS-100P
BLF6G22LS-100
BLF7G22L(S)-130
BLF7G22L(S)-160
BLF6G22(LS)-180PN
BLF6G22(LS)-180RN
BLF7G22L(S)-200
BLF7G22L(S)-250P
10
10
2100
2000
2000
2110
2000
2110
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2110
2110
2200
2200
2200
2200
2200
2170
2200
2170
2200
2200
2200
2200
2200
2200
2200
2170
2170
10
10
30
60
40
40
45
50
75
100
100
130
160
180
180
200
250
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
32
30
28
28
0.7
0.7
2
3
2.5
13.5
2.5
8
17
20
25
30
43
50
40
55
70
11.5
11.5
11.8
11.5
12.0
4.7
12.6
8.0
6.4
7.0
6.0
6.4
5.7
5.6
6.5
5.6
5.5
15
15
9
10
16
30
13
40
30.5
28
29
32
30
27.5
25
31
30
18.5
17
29.5
29
19
19
18.5
14
18.7
18
18.5
18.5
18
17.5
16
18.5
17
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
TD-SCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
2-c WCDMA
SOT538A
SOT1179
SOT834-1
tbd
SOT1112A
SOT1121B3
SOT608B
SOT1130B
SOT502B
SOT1121B3
SOT502B
SOT502B
SOT502B3
SOT539B
SOT502B
SOT502B
SOT539B
Test signal
Package
IS-95
1-C WCDMA
IS-95
IS-95
IS-95
IS-95
IS-95
IS-95
IS-95
IS-95
SOT1121
SOT1121
SOT1121
SOT502
SOT502
SOT502
SOT502
SOT539
SOT1246
SOT1246
Test signal
Package
N-CDMA
N-CDMA
N-CDMA
N-CDMA
SOT975
SOT608
SOT502
SOT502
2.3 — 2.7 GHz 晶体管产品
Test signal performance
Type
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
BLF7G27L(S)-75P
BLF6G27LS-40P
BLF7G27L(S)-90P
BLF7G24L(S)-100
BLF7G27L(S)-100
BLF7G24L(S)-140
BLF7G27L(S)-140
BLF7G27L(S)-150P
BLF7G24LS-160P
BLF7G27LS-200P
2300
2500
2500
2300
2500
2300
2500
2500
2300
2600
2700
2700
2700
2400
2700
2400
2700
2700
2400
2700
75
40
90
100
100
140
140
150
160
200
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
12
20
16
14
25
30
20
30
30
42
8.0
3.0
7.5
8.5
6.0
6.7
8.5
7.0
7.3
7.0
26
37
27.5
24
24
22
22
27
27
25
17
17.5
17.5
18
17.5
17
17
16.5
16.5
16.5
3.5 — 3.8 GHz 晶体管产品
Test signal performance
Type
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
CW
P1dB (W)
VDS (V)
PL (W)
BO (dB)
η D (%)
Gp (dB)
BLF6G38-10(G)
BLF6G38(LS)-25
BLF6G38(LS)-50
BLF6G38(LS)-100
3400
3400
3400
3400
3600
3800
3800
3600
10
25
50
100
28
28
28
28
2
4.5
9
18.5
7.0
7.4
7.4
7.3
20
24
23
21.5
14
15
14
13
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
功率 LDMOS Doherty 设计
Freq band (MHz)
PPEAK
(dBm)
POUT-AVG
(dBm)
728-821 MHz
790-821
55.5
790-821
57.2
728-768
58
869-960 MHz
869-894
52
869-894
52.7
920-960
55.1
920-960
56.2
920-960
57.3
925-960
57.7
869-894
58
925-960
58.9
1476-1511 MHz
1526-1555
56.6
1476-1511
58.1
1476-1511
58.6
1805-1880 MHz (DCS)
1805-1880
52.5
1805-1880
55
1805-1880
55.4
1805-1880
55.5
1805-1880
56.1
1805-1880
57.5
1805-1880
57.9
1805-1880
58.2
1805-1880
58.6
1930-1990 MHz (PCS)
1930-1990
53
1930-1990
54.3
1930-1990
55.2
1930-1990
55.5
1930-1990
56
1930-1990
56
1930-1990
57
1930-1990
58
1930-1990
58.2
1930-1990
58.5
1880-2025 MHz (TD-SCDMA)
1805-2050
52
2010-2025
47
1880-2025
50
2010-2025
50
1880-1920
52.5
2110-2170 MHz (UMTS / LTE)
2110-2170
47
2110-2170
48.5
2110-2170
54.7
2110-2170
54.9
2110-2170
55
2110-2170
55
2110-2170
55.5
2110-2170
55.9
2110-2170
56
2110-2170
56.5
2110-2170
57
2110-2170
57.2
2110-2170
58
2110-2170
58
2300-2400 MHz (WiBRO / LTE)
2300-2400
49.5
2300-2400
55
2500-2700 MHz (WiMAX / LTE)
2570-2620
49.5
2500-2700
50
2500-2700
50.3
2500-2600
52
2600-2700
52
2600-2700
52
2500-2700
52.5
2620-2690
55.2
2545-2575
55.3
3300-3800 MHz (WiMAX)
3400-3600
51
VDS
(V)
Gain
(dB)
Drain Eff.
(%)
Type
Main transistor
Peak transistor
47
49.5
50
28
32
32
19
20
20.5
42
42
47
SYM
SYM
SYM
1/2 BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10LS-200RN
BLF6G10LS-200RN
1/2 BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10LS-200RN
BLF6G10LS-200RN
44
44.5
47.1
48
49.3
49.7
50
50.9
28
28
28
28
30
28
32
32
20
15
20.5
18.5
16
20.5
20.5
22
48
50
44
40
50
40
46
47
SYM
3-WAY
SYM
SYM
ASYM
SYM / MPPM
SYM
SYM / MMPP
BLF6G10S-45
BLF6G10S-45
1/2 BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10-135RN
BLF8G10LS-160
BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10-200RN
BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10S-45
2x BLF6G10S-45
1/2 BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10-135RN
BLF7G10LS-250
BLF6G10L(S)-260PRN
BLF6G10-200RN
BLF6G10L(S)-260PRN
48.6
49.6
50.6
28
28
32
18.4
16
16.5
42
42
42
SYM
ASYM
SYM
BLF7G15LS-200
BLF7G15LS-200
BLF6G15LS-250PBRN
BLF7G15LS-200
BLF7G15LS-300P
BLF6G15LS-250PBRN
44.5
47
47.5
47
48.1
49.5
50
50
51
28
32
31
28
30
30
32
28
28
16
16
16.3
16
15.2
16
15.5
16
16
44
38
49
41
48
42
37
42
47.6
SYM
SYM
ASYM
SYM
ASYM
SYM
SYM / MMPP
SYM
3-WAY
1/2 BLF7G21LS-160P
1/2 BLF6G20-230PRN
BLF7G20LS-90P
1/2 BLF7G20L(S)-250P
BLF7G20LS-90P
BLF7G20LS-200
BLF6G20-230PRN
BLF7G20LS-250P
BLF7G20LS-200
1/2 BLF7G21LS-160P
1/2 BLF6G20-230PRN
BLF7G21LS-160P
1/2 BLF7G20L(S)-250P
BLF7G20LS-200
BLF7G20LS-200
BLF6G20-230PRN
BLF7G20LS-250P
2x BLF7G20LS-200
45
47.4
47.2
47.5
48
48
49
50
50
50.5
28
28
28
28
31
28
30
32
28
30
16.5
16.7
16
14.5
15.3
14.8
17.2
15.5
16
15.7
40
48.2
40
46
38
45
41
37
40
43
SYM
SYM
SYM
ASYM
SYM
ASYM
SYM
SYM
SYM
3-WAY
BLF6G20-75
BLF6G20LS-110
1/2 BLF7G20LS-250P
BLF7G20LS-90P
BLF6G20LS-140
BLF7G20LS-140P
BLF7G20LS-200
BLF6G20-230PRN
BLF7G20LS-250P
BLF7G20LS-200
BLF6G20-75
BLF6G20LS-110
1/2 BLF7G20LS-250P
BLF7G20LS-200
BLF6G20LS-140
BLF7G20LS-200
BLF7G20LS-200
BLF6G20-230PRN
BLF7G20LS-250P
2x BLF7G20LS-200
44.5
39
42
42
44.5
28
28
28
28
28
15.2
14.4
17
17.2
16
41.5
41
46
47.2
44
SYM
SYM
SYM
SYM
SYM
1/2 BLF7G21LS-160P
BLD6G21L(S)-50
1/2 BLF7G20L(S)-90P
1/2 BLF7G20L(S)-90P
1/2 BLF7G21LS-160P
1/2 BLF7G21LS-160P
BLD6G21L(S)-50
1/2 BLF7G20L(S)-90P
1/2 BLF7G20L(S)-90P
1/2 BLF7G21LS-160P
39
40.5
46.5
47
47
47
46.4
47.9
48
48.5
49
49.2
50
50
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
32
28
32
32
13
17.2
16.5
17
17
15.5
15
17.3
15
16.2
14.5
16
15
17.5
38
46
43
43
43
38
43
42
48
41
41
47
40
40
SYM
SYM
SYM
SYM
SYM
SYM
ASYM
SYM
3-WAY
SYM
ASYM
3-WAY
SYM
SYM
BLD6G22L(S)-50
1/2 BLF6G22L-40P
BLF6G22LS-100
BLF7G22L(S)-130
1/2 BLF7G22LS-250P
BLF6G22L(S)-130
BLF7G22L(S)-130
BLF7G22LS-160
BLF7G22L(S)-130
BLF7G22L(S)-200
BLF6G22-100
BLF7G22LS-160
BLF6G22-180PN
BLF7G22LS-250P
BLD6G22L(S)-50
1/2 BLF6G22L-40P
BLF6G22LS-100
BLF7G22L(S)-130
1/2 BLF7G22LS-250P
BLF6G22L(S)-130
BLF7G22L(S)-200
BLF7G22LS-160
2x BLF7G22L(S)-130
BLF7G22L(S)-200
BLF6G22-180PN
2x BLF7G22L(S)-160
BLF6G22-180PN
BLF7G22LS-250P
42
47.5
28
28
14.6
15.2
44
44
SYM
ASYM
1/2 BLF7G27L(S)-75P
BLF7G24LS-100
1/2 BLF7G27L(S)-75P
BLF7G24LS-140
42
42
42.3
44
44
44
44.5
47.2
47.3
28
28
28
28
28
28
28
30
28
15
15
14.5
14
14
14
14
15
15
43
37.5
39
40
40
40
38
41
41
SYM
SYM
SYM
ASYM
ASYM
ASYM
SYM
ASYM
ASYM
1/2 BLF7G27L(S)-75P
BLF6G27-45
1/2 BLF7G27LS-90P
BLF6G27-45
BLF6G27-45
BLF6G27-45
1/2 BLF7G27LS-150P
BLF7G27LS-100
BLF7G27LS-100
1/2 BLF7G27L(S)-75P
BLF6G27-45
1/2 BLF7G27LS-90P
2x BLF6G27-45
2x BLF6G27-45
BLF6G27(LS)-100
1/2 BLF7G27LS-150P
BLF7G27LS-140
BLF7G27LS-140
43
28
11.5
32
SYM
BLF6G38-50
BLF6G38-50
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
新产品
3.7.1.7
91
3.7.2 广播/ISM (工业、科学与医学) RF 功率晶体管
http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/broadcast_ism/index.html#preview
为什么选择恩智浦 RF 功率晶体管用于广播∕ISM 应用:
``最高功率
``最佳耐用性
``最佳宽带性能
``最好的设计支持
``极低热阻设计,非凡的可靠性
恩智浦采用领先的 LDMOS 技术和先进的封装概念打造最佳的高性能功率放大器,使之具有业界最高的功率和最优异的可靠性,可应用于所
有广播技术。我们的产品阵容包括超高频 (UHF)、甚高频 (VHF) 和高频 (HF) 应用晶体管,以及 ISM 波段应用晶体管。
3.7.2.1 0-1000 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS 产品
Function
Type
Driver
final
Driver
Driver/final
Driver
Final
BLP10H605
BLP10H610
BLP15M705
BLP15M710
BLF178P
BLF571
BLF642
BLF871(S)
BLF645
BLF881(S)
BLF573(S)
BLF573P
BLF647P
BLF574
BLF278XR
BLF888A(S)
BLF578
BLF578XR
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
VDS (V)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
470
10
10
10
10
1000
1000
1500
1500
110
500
1400
1000
1400
1000
500
500
1500
500
500
860
500
500
500
500
5
10
5
10
1000
20
35
100
100
140
300
500
150
600
500
600
1000
1200
1000
1200
65
65
57
57
75
70
63
60
56
49
70
70
55
73
73
58
75
71
75
71
20
20
18
18
26
27,5
19
21
18
21
27,2
26
18
27
27
20
26
24
26
24
50
50
32
32
50
50
32
40
32
50
50
50
32
50
50
50
50
50
50
50
Test signal
Package
CW
CW
CW
CW
CW
CW
CW
CW
CW
2-tone class AB
CW
CW
CW
CW
CW
pulsed class AB
CW
pulsed class AB
CW
pulsed class AB
SOT1179
SOT1179
SOT1179
SOT1179
SOT539
SOT467C
SOT467C
SOT467
SOT540A
SOT467
SOT502B
SOT1121
SOT1121
SOT539A
SOT1240
SOT539
SOT539A
SOT539A
3.7.2.2 UHF 470-860 MHz LDMOS 产品
Function
Type
BLF642
Driver
BLF871(S)
BLF881(S)
BLF884P
BLF878
BLF879P
Final
BLF888
BLF888A(S)
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
VDS (V)
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
470
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
860
17,5
35
100
24
120
30
75
300
75
95
250
110
250
120
600
19
19
47
33
49
31
33
32
32
32
46
31
46
31
58
48
63
21
22
21
21
21
21
21
20
19
19
19
19
20
32
32
42
42
50
50
50
42
42
42
50
50
50
50
50
Test signal
2-tone class AB
CW
2-TONE
DVB-T
2-tone class AB
DVB-T
DVB-T
CW
DVB-T
DVB-T
2-TONE
DVB-T
2-TONE
DVB-T
pulsed class AB
3.7.2.3 2.45 GHz ISM LDMOS 晶体管产品
Function
Driver
MMIC
Final
92
Type
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
10
10
2400
2400
2400
2400
2400
2400
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
2500
4
10
20
140
140
180
200
250
53
52
40
55
55
55
52
50
19
19
26,5
18
19
19
18,5
18
BLP25M74
BLP25M710
BLM2425M720
BLP2425M8140
BLF2425M7L(S)140
BLF2425M6L(S)180P
BLF2425M7L(S)200
BLF2425M7L(S)250P
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Test signal
Package
CW
CW
CW
CW
CW
CW
CW
CW
SOT1179
SOT1179
SOT1138
SOT1179
SOT502
SOT539
SOT502
SOT539
Package
SOT467C
SOT467C
SOT467C
SOT539A
SOT979A
SOT1121
SOT979A
SOT539
3.7.3 微波 LDMOS RF 功率晶体管
http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/microwave_ldmos/index.html#preview
设备命名规则,基站 RF 功率微波晶体管
B L S 6 G 2731 S -120 G
option: gullwing shaped leads
P1dB power
S: earless package
P: pallet
frequency band (in 100MHz; here: 2700-3100)
G: standard LDMOS (≤ 28V)
H: high voltage LDMOS (50V)
LDMOS technology generation
A: avionics frequency band operation
L: L-band frequency operation
S: S-band frequency operation
L: high frequency power transistor
B: semiconductor die made of Si
为什么选择恩智浦微波 RF 功率晶体管
``高增益
``高效率
``最高可靠性
新产品
``改进的脉冲倾斜和插入相位
``更高的耐用性 — 无风险过载高达 +5 dB
``降低组件数量,简化 L-/S-波段雷达设计
``无毒封装,符合 ROHS 规定
3.7.3.1 航空电子 LDMOS 晶体管
Function
Type
Driver
BLL6H0514-25
BLA6G1011-200R(G)
BLA6H0912-500
BLA6H1011-600
BLA6H0912-1000
Final
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
VDS (V)
Test signal
Package
500
1030
960
1030
960
1400
1090
1215
1090
1215
25
200
500
600
1000
50
65
50
52
50
19
20
17
19
17
50
28
50
48
50
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
SOT467C
SOT502A
SOT634A
SOT539A
SOT539A
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
VDS (V)
Test signal
Package
500
500
1200
1200
960
1400
1400
1400
1400
1215
25
130
250
500
1000
58
50
55
50
50
21
17
17
17
17
50
50
50
50
50
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
SOT467C
SOT1135B
SOT502B
SOT539A
SOT539A
3.7.3.2 L-波段 LDMOS 晶体管
Function
Type
Driver
BLL6H0514-25
BLL6H0514L(S)-130
BLL6H1214L(S)-250
BLL6H1214-500
BLA6H0912-1000
Final
3.7.3.3 S-波段 LDMOS 晶体管
Function
Driver
Final
Type
fmin
(MHz)
fmax
(MHz)
P1dB
(W)
η D (%)
Gp (dB)
VDS (V)
Test signal
Package
BLS6G2731-6G
BLS6G3135(S)-20
BLS6G2735L(S)-30
BLS6G2731(S)-120
BLS6G3135(S)-120
BLS6G2731S-130
BLS6G2933S-130
BLS7G2933S-150
BLS6G2731P-200
BLS6G2933P-200
BLS7G2729L(S)-350P
BLS7G3135L(S)-350P
2700
3100
2700
2700
3100
2700
2900
2900
2700
2900
2700
3100
3100
3500
3500
3100
3500
3100
3300
3300
3100
3300
2900
3500
6
20
30
120
120
130
130
150
200
220
350
350
33
45
50
48
43
47
47
47
45
45
50
45
15
15.5
14
13.5
11
12.5
12.5
13.5
11
11
13.5
12
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
pulsed RF
SOT975C
SOT608
SOT1135
SOT502B
SOT502
SOT922-1
SOT922-1
SOT922-1
pallet
pallet
SOT539
SOT539
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
93
3.8 高速数据转换器
作为提供高性能混合信号 IC 产品的业界领袖,恩智浦提供各种高速数据转换器,这些转换器的数字
接口包括 JESD204A (CGVTM 产品线)、CMOS LVCMOS 和 LVDS DDR。恩智浦的高速 DAC 和
ADC 可提供最佳的转换器核心性能和超稳定的动态性能,适应温度范围大。恩智浦是唯一一家提供
高速数据转换器、小信号 RF 组块、RF 功率放大器的半导体供应商,能实现整个无线电收发器产品链
的系统性集成。
更多有关恩智浦高速转换器的信息:
`` 使用恩智浦高速转换器实现快速设计
http://www.nxp.com/campaigns/fasttrackyourdesign/
`` 全部文章: http://www.nxp.com/dynamic/literature/tid-50935_tree-product/data.html
3.8.1 高速 ADC
Family
Description
ADC1613D series
ADC1613S series
ADC1610S series
ADC1415S series
ADC1413D series
ADC1413S series
ADC1412D series
ADC1410S series
ADC1215S series
ADC1213D series
ADC1213S series
ADC1212D series
ADC1210S series
ADC1207S080
ADC1206S series
ADC1115S125
ADC1113D125
ADC1113S125
ADC1112D125
ADC1015S series
ADC1010S series
ADC1006S series
ADC1005S060
ADC1004S series
ADC1003S series
ADC1002S020
ADC0808S series
ADC0804S series
ADC0801S040
Dual 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 12-bit ADC 80 Msps
Single 12-bit ADC up to 40/55/70 Msps
Single 11-bit ADC up to 125 Msps
Dual 11-bit ADC up to 125 Msps
Single 11-bit ADC up to 125 Msps
Dual 11-bit ADC up to 125 Msps
Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125 Msps
Single 10-bit ADC up to 55/70 Msps
Single 10-bit ADC 60 Msps
Single 10-bit ADC 30/40/50 Msps
Single 10-bit ADC 30/40/50 Msps
Single 10-bit ADC 20 Msps
Single 8-bit ADC up to 125/250 Msps
Single 8-bit ADC up to 30/40/50 Msps
Single 8-bit ADC 40 Msps
3.8.2 高速 DAC
Family
Description
DAC1408D series
Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1405D series Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1403D160
Dual 14-bit DAC 160 Msps
DAC1401D125
Dual 14-bit DAC 125 Msps
DAC1208D series
Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1205D series
Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1203D160
Dual 12-bit DAC 160 Msps
DAC1201D125
Dual 12-bit DAC 125 Msps
DAC1008D series Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1005D series
Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps
DAC1003D160
Dual 10-bit DAC 160 Msps
DAC1001D125
Dual 10-bit DAC 125 Msps
红色粗体 = 重点推荐的新产品
94
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Digital interface
Input TTL/
LVDS/
Supply
Power dissipation SFDR SNR
LVCMOS
CGV™
Package
buffer CMOS
DDR
voltage (V) per channel (mW) (dBc) (dBFS)
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 /3.0/5.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 /3.0/5.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
5.0
3.3 / 5.0
1.8 / 3.0/5.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 / 3.0
1.8 /3.0/5.0
1.8 / 3.0
3.3 / 5.0
5.0
5.0
5.0
3 to 5.25
1.8 / 3.3
5.0
2.7 to 5.5
635
690
630
840
635
690
610
630
840
635
690
610
630
840
550
840
635
690
610
840
630
550
312
175
235
53
215
175
30
89
87
89
87
87
87
87
87
87
87
87
87
87
90
70
87
87
86
87
87
87
71
72
72
70
72
56
72
59
71.6
71.4
71.6
71.4
71.4
71.4
71.4
71.4
69.6
69.6
71.4
69.6
69.6
71
64
66.2
66.2
71,4
66.2
61.6
61.6
59
58
58
58
60
48
49
47
HVQFN56 8x8
HVQFN32 7x7
HVQFN40 6x6
HVQFN40 6x6
HVQFN56 8x8
HVQFN32 7x7
HVQFN64 9x9
HVQFN40 6x6
HVQFN40 6x6
HVQFN56 8x8
HVQFN32 7x7
HVQFN64 9x9
HVQFN40 6x6
HTQFP48 7x7
QFP44
HVQFN40 6x6
HVQFN56 8x8
HVQFN32 7x7
HVQFN56 8x8
HVQFN40 6x6
HVQFN40 6x6
QFP44
SSOP28
SSOP28
SSOP28
LQFP32
HTQFP48 7x7
SSOP28
SSOP20
Digital interface
LVCMOS
CGV™
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Supply
Power dissipation SFDR
voltage (V) per channel (mW) (dBc)
1.8 / 3.3
1.8 / 3.3
3.3
3.3
1.8 / 3.3
1.8 / 3.3
3.3
3.3
1.8 / 3.3
1.8 / 3.3
3.3
3.3
700
435
210
95
700
435
210
95
700
435
210
95
76
77
80
88
76
80
77
65
76
77
80
65
Interpolation
2x, 4x, 8x
2x, 4x, 8x
2x
2x, 4x, 8x
2x, 4x, 8x
2x
2x, 4x, 8x
2x, 4x, 8x
2x
-
Package
HVQFN64 9x9
HTQFP100 14x14
HTQFP80 12x12
LQFP48
HVQFN64 9x9
HTQFP100 14x14
HTQFP80 12x12
LQFP48
HVQFN64 9x9
HTQFP100 14x14
HTQFP80 12x12
LQFP48
4. 设计支持
本章为您提供指南,让您获得所需的工具、文档、材料和链接以方便您使用我们的产品进行设计。
使用领先的 RF EDA 软件简化您的 RF 设计
电子设计自动化 (EDA) 软件可让 RF 工程师通过执行仿真来预测设计行为。
RF EDA 软件可帮助设计工程师减少设计周期,降低风险,并且为 RF 应用提供更好的 RF 元件选择。恩智浦为 RF 小信号产品系列提供
大量 EDA 工具,包括 Ansoft Designer RF、AWR Microwave Office 和 Agilent Advanced Design System (ADS)。安装手册可在恩
智浦网站 www.nxp.com/models 上获取。
4.1 S-参数
4.2 仿真模型
S-参数可借助您对电压、电流做出的特定调整帮助您模拟恩智浦设备
行为。
4.2.1 Spice 模型
BF67
BFG135
BFG198
BFG21W
BFG25A/X
BFG31
BFG35
BFG310/XR
BFG310W/XR
BFG325/XR
BFG325W/XR
BFG403W
BFG410W
BFG424F
BFG424W
BFG425W
BFG480W
BFG505
BFG520
BFG520W
BFG540
Wideband transistors
BFG540W
BFG541
BFG590
BFG591
BFG93A
BFG94
BFG97
BFM505
BFM520
BFQ149
BFQ18A
BFQ19
BFQ67
BFQ67W
BFR106
BFR505
BFR520
BFR540
BFR92A
BFR92AW
BFR93A
BFR93AW
BFS17
BFS17A
BFS17W
BFS25A
BFS505
BFS520
BFS540
BFT25
BFT25A
BFT92
BFT92W
BFT93
BFT93W
BFU725F/N1
BRF505T
PBR941
PBR951
PRF947
PRF949
PRF957
BF1211
BF1211R
BF1211WR
FETs
BF1212
BF1212R
BF1212WR
BF511
BF513
BF862
BGA2001
BGA2003
BGA2711
BGA2748
BGA2771
BGA2776
BGA2709
BGU7003
BGA2712
BGM1011
MMICs
BGM1012
BGM1013
BGM1014
BGM2011
BGA2715
BGA2716
BGA2717
BGA2011
BGA2012
BGA6289
BGA6489
BGA6589
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
宽带晶体管,FET & 变容二极管
下方表格中所有类型的产品均可使用 Spice 模型。交互式 PDF RF
手册中所有型号编号均带有超链接,单击可直接进入恩智浦网站相
应的产品信息页。向下滚动可以找到各产品信息页面上的 Spice 模
型信息。
BFG10
BFG10/X
BFG10W/X
BFG135
BFG198
BFG21W
BFG25A/X
BFG25AW/X
BFG31
BFG310/XR
BFG310W/XR
BFG325/XR
BFG325W/XR
BFG35
BFG403W
BFG410W
BFG424F
BFG424W
BFG425W
BFG480W
BFG505
BFG505/X
Wideband transistors
BFG505W/X
BFM505
BFG520
BFM520
BFG520/X
BFQ149
BFG520/XR
BFQ18A
BFG520W
BFQ19
BFG520W/X
BFQ540
BFG540
BFQ67
BFG540/X
BFQ67W
BFG540/XR
BFR106
BFG540W
BFR505
BFG540W/X
BFR505T
BFG540W/XR
BFR520
BFG541
BFR540
BFG590
BFR92A
BFG590/X
BFR92AW
BFG591
BFR93A
BFG67
BFR93AW
BFG67/X
BFS17
BFG92A/X
BFS17A
BFG93A
BFS17W
BFG94
BFS25A
BFG97
BFS505
BF862
BF904
BF908
BB145B
BB149
BB149A
BB156
BB179
BB179B
FETs
BF909
Varicap diodes
BB201
BB202
BB207
BFS520
BFS540
BFT25A
BFT92
BFT92W
BFT93
BFT93W
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F
BFU730F
BFU760F
BFU790F
PBR941
PBR951
PRF947
PRF949
PRF957
设计支持
宽带晶体管,FET 和 MMIC
下方表格中所有类型的产品均可使用 S 参数。交互式 PDF RF 手册中
所有型号编号均带有超链接,单击可直接进入恩智浦网站相应的产品
信息页。
向下滚动可以找到各产品信息页面上的 S 参数信息。
Spice 模型能帮助您创造最佳性能和了解哪些外部元件对该性能具
有影响。
BF998
BB208-02
4.2.2 交互式数据表
根据具体的运行条件,迅速方便地生成宽带 RF 晶体管的定制数据表
(http://www.nxp.com/models)。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
95
4.2.3
4.3 应用注释
RF 功率设备仿真模型
为了简化设计,恩智浦提供完全基于物理的 RF 功率晶体管电热模
型。这些模型可通过 Agilent 提供用于 Advanced Design System
(ADS)®,以及通过 Applied Wave Research (AWR) 提供用于
Microwave Office (MWO)®。每个产品新开发的模型均基于最好的
RF LDMOS 模型,由恩智浦 — 物理基模型公认的领先者开发。这一
概念可带来在各种电子条件下最可靠的仿真结果。标准模型完全支持
DC、AC、s-参数 (小信号)、谐波平衡 (大信号) 和时域模拟。
RF 手册的第一章对多种 RF 应用进行了说明,包括应用图表、推荐型
号和产品亮点。第二章提供更多详细的应用信息。恩智浦网站上的 RF
部分有更多附加的应用注释
(http://www.nxp.com/products/all_appnotes/)
4.4 演示板
恩智浦 RF 功率模型使得设计者能在工艺开发的早期阶段评估复杂的
PA 系统。现有的模型配有所有必要的文章和文档,用户可以在恩智浦
网站上下载。
Product type
BLA6G1011-200R
BLA6H0912-500
BLA6H1011-600
BLF369
BLF3G21-6
BLF571
BLF573
BLF573S
BLF574
BLF578
BLF645
BLF6G10-135RN
BLF6G10-200RN
BLF6G10-45
BLF6G10L-260PRN
BLF6G10L-40BRN
BLF6G10LS-135RN
BLF6G10LS-200RN
BLF6G10LS-260PRN
BLF6G10S-45
BLF6G15L-250PBRN
BLF6G15L-40BRN
BLF6G20-180RN
BLF6G20-230PRN
BLF6G20-45
BLF6G20LS-180RN
BLF6G20S-230PRN
BLF6G20S-45
BLF6G21-10G
BLF6G22-180RN
BLF6G22-45
BLF6G22LS-180RN
BLF6G22S-45
BLF6G27-10
BLF6G27-10G
BLF6G27-135
BLF6G27-45
BLF6G27-75
BLF6G27L-40P
BLF6G27LS-135
BLF6G27LS-40P
BLF6G27LS-75
BLF6G27S-45
BLF6G38-10
BLF6G38-100
BLF6G38-10G
BLF6G38-25
BLF6G38-50
BLF6G38LS-100
BLF6G38LS-50
BLF6G38S-25
BLF7G15L-300P
BLF7G15LS-200
BLF7G20L-200
96
ADS MWO
Product type
model model
Y
Y
BLF7G20L-250P
Y
Y
BLF7G20L-90P
Y
Y
BLF7G20LS-140P
Y
N
BLF7G20LS-200
Y
N
BLF7G20LS-250P
Y
Y
BLF7G20LS-90P
Y
Y
BLF7G21L-160P
Y
Y
BLF7G21LS-160P
Y
Y
BLF7G22L-130
Y
Y
BLF7G22L-130N
Y
Y
BLF7G22L-160
Y
Y
BLF7G22L-200
Y
N
BLF7G22L-250P
Y
Y
BLF7G22LS-130
Y
N
BLF7G22LS-160
Y
N
BLF7G22LS-200
Y
Y
BLF7G22LS-250P
Y
N
BLF7G24L-100
Y
N
BLF7G24L-140
Y
Y
BLF7G24LS-100
Y
N
BLF7G24LS-140
Y
N
BLF7G27L-100
Y
N
BLF7G27L-140
Y
N
BLF7G27L-150P
Y
Y
BLF7G27L-200PB
Y
N
BLF7G27L-75P
Y
N
BLF7G27L-90P
Y
Y
BLF7G27LS-100
Y
Y
BLF7G27LS-140
Y
N
BLF7G27LS-150P
Y
Y
BLF7G27LS-200PB
Y
N
BLF7G27LS-75P
Y
Y
BLF7G27LS-90P
Y
N
BLF871
Y
Y
BLF871S
Y
N
BLF878
Y
Y
BLF881
Y
N
BLF881S
Y
N
BLF888
Y
N
BLF888A
Y
N
BLF888AS
Y
N
BLL6H0514-25
Y
Y
BLL6H0514L-130
Y
N
BLL6H0514LS-130
Y
N
BLL6H1214-500
Y
Y
BLL6H1214L-250
Y
Y
BLL6H1214LS-250
Y
Y
BLM6G22-30
Y
N
BLS6G2731-6G
Y
Y
BLS6G2731S-130
Y
Y
BLS6G3135-120
Y
N
BLS6G3135-20
Y
N
BLS6G3135S-120
Y
N
BLS6G3135S-20
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
ADS MWO
model model
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
N
Y
N
Y
N
Y
Y
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
N
Y
N
Y
Y
Y
Y
Y
N
Y
Y
Y
N
BGA2001 演示板
4.4.1 RF 晶体管、MMIC & IC 演示板
RF 晶体管、MMIC & IC 演示板 (数量有限) 可通过恩智浦代表或
授权经销商获得 (请查看最后一章:网址链接和联系方式)。
BFU690F
BFU725F/N1
BGA2001
BGA2003
BGA2011
BGA2012
BGA2031
BGA2709
BGA2711
BGA2712
BGA2714
BGA2715
BGA2716
BGA2748
BGA2771
BGA2776
RF small signal demo boards
BGA2800
BGM1014
BGA2801
BGU7003
BGA2815
BGU7005
BGA2816
BGU7007
BGA2850
BGU7030F
BGA2865
BGU7031
BGA2866
BGU7032
BGA6289
BGU7033
BGA6489
BGU7041
BGA6589
BGU7042
BGA6589
TFF1003HN
BGA7024
TFF11070HN
BGA7124
TFF11073HN
BGM1011
TFF11077HN
BGM1012
TFF11080HN
BGM1013
TFF11084HN
BGU7005 演示板 TFF11088HN
TFF11092HN
TFF11096HN
TFF11101HN
TFF11105HN
TFF11110HN
TFF11115HN
TFF11121HN
TFF11126HN
TFF11132HN
TFF11139HN
TFF11145HN
TFF11152HN
BGA124 演示板
Type
ADC1213S series
演示板 (数量有限) 可通过当地恩智浦代表获取 (请查看最后一章:
网址链接和联系方式)。
ADC1215S series
ADC1410S series
ADC1412D series
ADC1413D series
ADC1413S series
ADC1415S series
ADC1610S series
ADC1613D series
ADC1613S series
高速转换器演示板可通过您当地的恩智浦代表或授权经销商获得。
ADC0801S040
ADC0804S series
ADC0808S series
ADC1002S020
ADC1003S series
ADC1004S series
ADC1005S060
ADC1006S series
ADC1010S series
ADC1015S series
ADC1112D125
ADC1113D125
ADC1113S125
ADC1115S125
ADC1206S series
ADC1207S080
ADC1210S series
ADC1212D series
ADC1213D series
connector
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA boards
through specific connectors
Demo board; Lattice ECP3 FPGA on board
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo boards; both CMOS and LVDS outputs
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA boards
through specific connectors
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
DAC 演示板
Type
4.4.3 高速转换器演示板
ADC 演示板
Type
Description
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo boards with both CMOS and LVDS
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards with both CMOS and LVDS
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
Description
Demo board; both CMOS and TTL outputs
Demo boards; both CMOS and TTL outputs
Demo boards; CMOS outputs
Demo board; both CMOS and TTL outputs
Demo boards; both CMOS and TTL outputs
Demo boards; both CMOS and TTL outputs
Demo board; both CMOS and TTL outputs
Demo boards; both CMOS and TTL outputs
Demo boards with both CMOS and LVDS outputs
Demo boards CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards LVDS output with SAMTEC connector; SPI, regulators
on board
Demo boards with both CMOS and LVDS outputs
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board;
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output with SAMTEC
connector
Demo board; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo board; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo board; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo board; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA boards
through specific connectors
Demo board; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo board; both CMOS and LVDS
Demo board; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo board; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; both CMOS and TTL outputs
Demo board; both CMOS and TTL outputs
Demo boards with both CMOS and LVDS
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; CMOS version; SPI, regulators and CMOS buffer on board
Demo boards; SPI, regulators on board; LVDS output only SAMTEC
connector
Demo boards; VIRTEX 5 FPGA on board
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA boards
through specific connectors
Demo board; Lattice ECP3 FPGA on board
DAC1001D125
DAC1003D160
DAC1005D series
DAC1201D125
DAC1203D160
DAC1205D series
DAC1401D125
DAC1403D160
DAC1405D series
DAC1205D series
DAC1408D series
DAC1208D series
DAC1008D series
KIT ECP3
Description
Demo board; LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo boards; SPI, LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo boards; SPI, LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo boards; SPI, LVCMOS inputs
Demo board; LVCMOS inputs
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA
boards through specific connectors
Demo boards; Virtex 5 FPGA
Demo boards with Lattice ECP3 FPGA
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA
boards through specific connectors
Demo boards with Virtex 5 FPGA
Demo boards; compliant with Lattice, Altera, Xilinx FPGA
boards through specific connectors
Demo boards with Virtex 5 FPGA
ADC1413D080+DAC1408D650 with Lattice ECP3 FPGA demo kit
4.5 样品
如果您想获得已上市或未上市的产品样品,请联系您当地的恩智浦销
售代表或授权经销商。恩智浦销售办公室和经销商:
http://www.nxp.com/profile/sales。
4.6 数据表
数据表可通过恩智浦网站获取:www.nxp.com。
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
97
设计支持
4.4.2 RF 功率晶体管演示板
4.7 设计支持
如果您需要设计支持,请联系您当地的恩智浦销售代表或授权经
销商。
4.8 交互式选择向导
您可以在恩智浦网站上找到参数过滤器,帮助您为设计选择正确的
设备。请访问您选择的产品目录页面,单击选择向导。
最新:iPhone 应用 RF 计算器工具已经发布
请登录 App Store。Android 应用将于第 3 季度发布。
98
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
5. 对比参考和替换型号
恩智浦对比参考:
http://www.nxp.com/search/
恩智浦停产产品:
http://www.nxp.com/products/eol/
5.1 对比参考:各生产厂商型号与恩智浦型号对照
按照字母数序排列的各生产厂商型号
缩写:
基站功率晶体管
广播功率晶体管
频段开关二极管
CATV 光接收模块
CATV 功率倍增模块
CATV 推挽模块放大器
CATV 高增益推挽模块放大器
CATV 反向放大器
场效应晶体管
微波功率晶体管
单片微波集成电路
变容二极管
1-4 代宽带晶体管
5-7 代宽带晶体管
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
10500
10502
PTF 081301F - 130 W
AH125
SXB-4089
0910-150M
0910-300M
0910-60M
0912-45
1011LD200
1011LD300
1015MP
1035MP
1214-30
1214-32L
1SS314
1SS356
1SS381
1SS390
1SV172
1SV214
1SV214
1SV215
1SV228
1SV231
1SV232
1SV233
1SV234
1SV239
Microsemi
Microsemi
Infineon
Triquint
RFMD
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Toshiba
Rohm
Toshiba
Rohm
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Sanyo
Sanyo
Toshiba
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLF881
BGA7127
BGA7127
BLF871
BLF878
BLF878
BLL6H0514-25
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLL6H0514-25
BLL6H0514-25
BLL6H0514-25
BLL6H0514-26
BA591
BA591
BA277
BA891
BAP50-04
BB149
BB149A
BB153
BB201
BB152
BB148
BAP70-03
BAP64-04
BB145B
Microwave
Microwave
Broadcast
MMIC
MMIC
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
BS diode
BS diode
BS diode
BS diode
PIN diode
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
PIN diode
PIN diode
Varicap
1SV241
1SV246
1SV247
1SV248
1SV249
1SV250
1SV251
1SV252
1SV254
1SV263
1SV264
1SV266
1SV267
1SV269
1SV270
1SV271
1SV278
1SV279
1SV282
1SV282
1SV283
1SV283
1SV284
1SV288
1SV290
1SV294
1SV305
1SV307
1SV308
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Toshiba
Toshiba
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Sanyo
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Sanyo
Toshiba
Toshiba
Toshiba
BAP64-02
BAP64-04W
BAP70-02
BAP50-02
BAP50-04W
BAP50-03
BAP50-04
BAP50-04W
BB179
BAP50-02
BAP50-04W
BAP50-03
BAP50-04
BB148
BB156
BAP50-03
BB179
BB179
BB178
BB187
BB178
BB187
BB156
BB152
BB182
BAP70-03
BB202
BAP51-03
BAP51-02
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
Varicap
PIN diode
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
PIN diode
Varicap
PIN diode
PIN diode
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
99
对比参考和替换型号
Base station
Broadcasts
BS 二极管
CATV OR
CATV PD
CATV PPA
CATV PPA/HG
CATV RA
FET
Microwave
MMIC
Varicap
WB trs 1-4
WB trs 5-7
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
1SV322
1T362
1T362A
1T363A
1T368A
1T369
1T379
1T397
1T399
1T402
1T403
1T404A
1T405A
1T406
1T408
2729-125
2729-170
2731-100M
2931-150
2F1G20DS
2F1G20DS
2F1G20P
2F1G22DS
2F1G22DS
2F1G22DS
2F1G23P
2F1G23P
2F1G24D
2F1G24D
2F1G24DS
2F722DS
2F8718P
2F8719DS
2F8720DS
2F8723P
2F8734P
2N3330
2N3331
2N4220
2N4856
2N4857
2N4858
2N5114
2N5115
2N5116
2N5432
2N5433
2N5434
2N5457
2N5458
2N5459
2N5653
2N5654
2SC4094
2SC4095
2SC4182
2SC4184
2SC4185
2SC4186
2SC4226
2SC4227
2SC4228
2SC4247
2SC4248
2SC4315
2SC4320
2SC4321
2SC4325
2SC4394
2SC4536
2SC4537
2SC4592
2SC4593
2SC4703
2SC4784
2SC4807
Toshiba
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
PEC
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
RFHIC
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
NEC
Renesas
Renesas
Renesas
NEC
Renesas
Renesas
BB202LX
BB149
BB149A
BB153
BB148
BB152
BB131
BB152
BB148
BB179B
BB178
BB187
BB187
BB182
BB187
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
CGD1042H
CGD1040Hi
CGY1041
CGD1042H
CGD1042Hi
CGD982HCi
CGY1043
CGY1041
CGD1044Hi
CGD985HCi
CGD1044H
BGD816L
BGY885A
BGD812
BGD814
BGY887
CGY888C
J176
J176
BF245A
BSR56
BSR57
BSR58
J174
J175
J175
J108
J108
J109
BF245A
BF245A
BF245B
J112
J111
BFG520/XR
BFG520/XR
BFS17W
BFS17W
BFS17W
BFR92AW
PRF957
BFQ67W
BFS505
BFR92AW
BFR92AW
BFG520/XR
BFG520/XR
BFQ67W
BFS505
PRF957
BFQ19
BFR93AW
BFG520/XR
BFS520
BFQ19
BFS505
BFQ18A
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
CATV PD
CATV PD
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PP
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PP
CATV PP
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
2SC4842
2SC4899
2SC4900
2SC4901
2SC4988
2SC5011
2SC5012
2SC5065
2SC5085
2SC5087
2SC5088
2SC5090
2SC5092
2SC5095
2SC5107
2SC5463
2SC5593
2SC5594
2SC5623
2SC5624
2SC5631
2SC6023
2SJ105GR
2SK163-K
2SK163-L
2SK163-M
2SK163-N
2SK210BL
2SK370BL
2SK370GR
2SK370V
2SK381
2SK43
2SK435
2SK508
3SK290
AH118
AH118
AH215
BA592
BA595
BA595
BA597
BA885
BA892
BA892-02V
BA892-02V
BA892V-02V-GS08
BA895
BAR14-1
BAR15-1
BAR16-1
BAR17
BAR50-02L
BAR50-02V
BAR50-02V
BAR50-02V
BAR50-03W
BAR60
BAR61
BAR63
BAR63-02L
BAR63-02L
BAR63-02V
BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-05
BAR63-05W
BAR63V-02V-GS08
BAR63V-05W-GS08
BAR64-02LRH
BAR64-02V
BAR64-02W
BAR64-03W
BAR64-04
BAR64-04W
Toshiba
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
NEC
NEC
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Sanyo
Standard
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Triquint
Triquint
Triquint
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Vishay
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Vishay
Vishay
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
BFG540W/XR
BFS505
BFG520/XR
BFS520
BFQ540
BFG540W/XR
BFG540W/XR
PRF957
PRF957
BFG520/XR
BFG540W/XR
BFS520
BFG520/XR
BFS505
BFS505
BFQ67W
BFG410W
BFG425W
BFG410W
BFG425W
BFQ540
BFG424W
J177
J113
J113
J113
J113
PMBFJ309
J109
J109
J109
J113
J113
J113
PMBFJ308
BF998WR
BGA7124
BGA7024
BGA7130
BA591
BAP51-03
BAP70-03
BAP70-03
BAP70-03
BA891
BA277
BA891
BA891
BAP70-02
BAP70-03
BAP70-03
BAP70-03
BAP50-03
BAP50LX
BAP50-02
BAP50-03
BAP50-05
BAP70-02
BAP50-03
BAP50-03
BAP63-03
BAP63-02
BAP63LX
BAP63-02
BAP63-02
BAP63-03
BAP63-05W
BAP63-05W
BAP63-02
BAP63-05W
BAP64LX
BAP64-02
BAP64-02
BAP64-03
BAP64-04
BAP64-04W
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 5-7
WB trs 5-7
WB trs 5-7
WB trs 5-7
WB trs 1-4
WB trs 5-7
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
MMIC
MMIC
MMIC
BS diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
BS diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
100
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
BAR64-05
BAR64-05W
BAR64-06
BAR64-06W
BAR64V-02V-GS08
BAR64V-04-GS08
BAR64V-05-GS08
BAR64V-06-GS08
BAR64V-06W-GS08
BAR65-02L
BAR65-02V
BAR65-02W
BAR65-03W
BAR65V-02V-GS08
BAR66
BAR67-02W
BAR67-03W
BAT18-04
BB304C
BB304M
BB305C
BB305M
BB403M
BB501C
BB501M
BB502C
BB502M
BB503C
BB503M
BB535
BB545
BB555
BB565
BB601M
BB639
BB639
BB640
BB641
BB659
BB664
BB664
BB669
BB814
BB831
BB833
BB835
BBY58-02V
BBY65
BF1005R
BF1005S
BF1005SR
BF1009S
BF1009SR
BF1009SW
BF2030
BF2030
BF2030
BF2030R
BF2030R
BF2030R
BF2030W
BF2030W
BF2030W
BF2040
BF2040R
BF2040W
BF244A
BF244B
BF244C
BF247A
BF247B
BF247C
BF256A
BF256B
BF256C
BF5020
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Vishay
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Renesas
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
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Infineon
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Infineon
Infineon
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Infineon
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Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
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BAP64-05W
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BAP64-05
BAP64-06
BAP64-06W
BAP65LX
BAP65-02
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BAP1321-03
BAT18
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BF1201R
BF1201WR
BF1201R
BF909R
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BF1202R
BF1202WR
BF1202R
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BB149A
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BB148
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BB152
BB178
BB178
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BB152
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BB131
BB131
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BB202
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BF1105
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BF1211R
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J108
J108
J108
BF245A
BF245B
BF245C
BF1212
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
FET
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
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BF998
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Infineon
Infineon
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Infineon
Infineon
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Standard
Standard
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Vishay
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Vishay
Vishay
Vishay
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Vishay
Vishay
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FET
FET
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FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
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WB trs 1-4
WB trs 1-4
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
对比参考和替换型号
Manufacturer type
101
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
BFR196TW-GS08
BFR35AP
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CA922A
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Infineon
Freescale
Vishay
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Freescale
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Vishay
Vishay
Vishay
Freescale
Infineon
Infineon
Vishay
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Mimix
Mimix
Infineon
Infineon
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
Standard
Standard
Standard
Standard
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BF1203
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BF1214
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WB trs 1-4
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
MMIC
MMIC
MMIC
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
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CATV PPA
CATV PD
CATV PD
MMIC
MMIC
MMIC
WB trs 1-4
MMIC
MMIC
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CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
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CATV PD
CATV PD
CATV PD
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CATV PD
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CATV PD
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CATV PD
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CATV PD
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D8740320GTH
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F2046
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HVU131
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HVU202(A)
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HVU315
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
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RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
Microsemi
Sanyo
POLYFET
POLYFET
POLYFET
Skyworks
Skyworks
Agilent
Agilent
Agilent
Hittite
Renesas
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Agilent
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
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Renesas
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Renesas
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BB178
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BB182
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BB148
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CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
Microwave
Varicap
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Varicap
Varicap
WB trs 5-7
WB trs 5-7
WB trs 5-7
MMIC
BS diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
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Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
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Varicap
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
Varicap
Varicap
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Varicap
102
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
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HVU363A
HVU363A
HVU363B
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Renesas
Renesas
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Integra
Integra
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Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
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Integra
Integra
Integra
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Integra
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Integra
Integra
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Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Integra
Agilent
Standard
Standard
Standard
Standard
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Microsemi
Toko
KEC
KEC
Toko
POLYFET
Standard
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Renesas
Matsushita
Matsushita
Matsushita
BB131
BB148
BB153
BB148
BLF871
BLA6H0514-25
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BLA6H0514-25
BLA6G1011-200R
BLA6H0514-25
BLA6H0912-500
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLA6H0514-25
BLA6H0514-25
BLS6G2731-6G
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
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BLS6G3135S-120
BLL6H1214-500
BLL6H1214-500
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BLF278
BLF881
BLF888
BLF878
BLF871
BLL6H0514-25
BLA6G1011-200R
BLA6H0514-25
BLA6G1011-200R
BLA6G1011-200R
BLA6H0514-25
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6H1011-600
BLL6H0514-25
BLS6G2731-120
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J177
J108
J109
J110
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BA891
BLF177
BAP64-04W
BF1108
BF1108R
BB199
BLF544
BA277
BB178
BB187
BB179
BB182
BB202
BB153
BB148
BB131
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
MMIC
FET
FET
FET
FET
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
BS diode
Broadcast
PIN diode
FET
FET
Varicap
Broadcast
BS diode
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
MA372
MA372
MA4CP101A
MA4P274-1141
MA4P275-1141
MA4P275CK-287
MA4P277-1141
MA4P278-287
MA4P789-1141
MA4P789ST-287
MAX2659
MAX2659
MAX2659
MC7712
MC7716
MC7722
MC7726
MC-7831
MC7831-HA
MC-7831-HA
MC-7832
MC7832-HA
MC-7832-HA
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MC-7836
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MC-7884
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MC7893
MC-7893
MC7894
MC7894
MC-7894
MC7896
MC7896
MC-7896
MCH4009
MD7P19130
MD7P19130H
MD7P19130H (2)
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MDS800
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MHW6182T
MHW6185B
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Matsushita
Maxim
Maxim
Maxim
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
Sanyo
Freescale
Freescale
Freescale
Microsemi
Microsemi
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
BB149
BB149A
BAP65-03
BAP51-03
BAP65-03
BAP65-05
BAP70-03
BAP70-03
BAP1321-03
BAP1321-04
BGU7003
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BGY787
BGY785A
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CGY1041
CGY1041
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BGY887B
CGY1047
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CGD942C
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BGY885A
BGD816L
BGD802
BGD814
CGD942C
CGD944C
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CGD1042Hi
CGD982HCi
CGD1042H
CGD1044Hi
CGD985HCi
CDG1044H
CGD1046Hi
CGD987HCi
CGD1044H
BFG424F
BLF6G20LS-110
BLF6G20LS-75
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BLA6H0912-500
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CGY1043
CGD1044H
CGY1047
BGY67
BGY67A
BGY67A
BGY68
BGY68
BGY68
BGY68
BGY68
BGY67A
BGY67A
BGY68
BGY585A
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BGY587
BGY587B
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BGY588N
BGY585A
BGY685A
BGY585A
BGD502
Varicap
Varicap
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
MMIC
MMIC
MMIC
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PPA
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
WB trs 5-7
Base station
Base station
Base station
Microwave
Microwave
CATV PP
CATV PP
CATV PD
CATV PP
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV PPA
CATV PD
CATV PPA
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PD
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
103
对比参考和替换型号
Manufacturer type
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
MHW6185T
MHW6205
MHW6222
MHW6222B
MHW6222T
MHW6272
MHW6272T
MHW6342
MHW6342T
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MHW7182C
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MHW7222B
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MHW8247AN
MHW8292
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MHW8342N
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MHW9182CN
MHW9186
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MHW9247AN
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MHWJ7185A
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MMBFJ309
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MMBFU310
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
BGD502
BGD704
BGY587
BGY687
BGY587
BGY587B
BGY587B
BGY588N
BGY588N
BGY785A
BGY785A
BGD712
BGD712
BGD714
BGD714
BGD714
BGY787
BGY787
BGY787
BGE787B
BGE787B
BGE787B
BGE787B
BGE787B
BGE788
BGY883
BGY885A
BGY885A
BGY885A
BGD814
BGD812
CGD942C
BGD814
BGD814
BGY887
CGD942C
CGD942C
CGD944C
CGD944C
BGY887B
BGY888
CGY888C
BGY883
BGY1085A
BGY1085A
BGY1085A
BGY885A
BGY885A
CGD942C
CGD942C
CGD942C
CGD942C
CGD1042
CGD944C
CGD944C
CGD944C
CGD944C
BGY587B
BGD712
BGD714
BGE787B
BGY1085A
PMBF4391
PMBF4392
PMBF4393
PMBFJ112
BFR31
PMBFJ113
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PMBFJ310
CATV PD
CATV PD
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA/HG
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PP
CATV PD
CATV PD
CATV PPA
CATV PD
CATV PPA
CATV PPA
CATV PP
CATV PPA
CATV PPA
CATV PPA
CATV PP
CATV PPA
CATV PPA
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PD
CATV PPA
CATV PD
CATV PD
CATV PPA/HG
CATV PPA
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
MMBR5031L
MMBR5179L
MMBR571L
MMBR901L
MMBR911L
MMBR920L
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MMBR941BL
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MMBR951L
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MRF10005
MRF1000MB
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MRF1150MB
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MRF136Y
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MRF174
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MRF176GV
MRF177
MRF18030ALR3(1)
MRF18030ALR3(1)
MRF18030ALSR3(1)
MRF18030ALSR3(1)
MRF18030BLR3(1)
MRF18030BLR3(1)
MRF18030BLSR3(1)
MRF18030BLSR3(1)
MRF18060AL(2)
MRF18060BL(2)
MRF18085AL(2)
MRF18085BL (2)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
ONSemicond.
ONSemicond.
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Integra
Integra
Integra
Integra
Standard
Standard
Standard
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
BFS17
BFS17A
PBR951
BFR92A
BFR93A
BFR93A
BFT25A
PBR941
PBR941
PBR951
PBR951
BB156
BB148
BGD816L
BGD816L
BGA7127
BGA7124
BGA7024
BLS6G2731-6G
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BF245A
J174
J176
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLL6H0514-25
BLL6H0514-25
BLL6H0514-25
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLF871
BLF871
BLF881
BLF881
BLF177
BLF177
BLF278
BLF175
BLF177
BLF177
BLF177
BLF278
BLF574
BLF574
BLF871
BLF871
BLF871
BLF881
BLF881
BLF871
BLF871
BLF881
BLF881
BLF278
BLF871
BLF881
BLF573S
BLF871
BLF6G21-30
BLF6G20-45
BLF6G21-30
BLF6G20-45
BLF6G21-30
BLF6G20-45
BLF6G21-30
BLF6G20-45
BLC6G20-75
BLC6G20-75
BLC6G20-75
BLF7G20L(S)-300P
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
Varicap
Varicap
CATV PD
CATV PD
MMIC
MMIC
MMIC
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
FET
FET
FET
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
104
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
MRF18085BL(2)
MRF18090AR3(1)
MRF18090B (2)
MRF18090B(2)
MRF19030L(2)
MRF19030L(2)
MRF19045L(2)
MRF19060L(2)
MRF19085LR3(1)
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MRF19090R3 (1)
MRF19090R3(1)
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MRF19125(2)
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MRF284LSR1(1)
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MRF373ALR1 (2)
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MRF377H (2)
MRF377H(2)
MRF392
MRF393
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MRF429
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MRF5P21045NR1 (1)
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MRF5P21180HR6(1)
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MRF5S19090HR3(1)
MRF5S19090HSR3(1)
MRF5S19100H (2)
MRF5S19100H(2)
MRF5S19130H (2)
MRF5S19130H(2)
MRF5S19150H (2)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
M/A- COM
M/A- COM
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
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BLF6G20-45
BLF6G20-45
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BLF6G20-110
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BLF3G21-6
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BLF6G22-45
BLF6G22-45
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BLF881
BLF871
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BLF6G21-6
BLF1822-10
BLF1822-10
BLF3G21-30
BLF3G21-30
BLF871
BLF881
BLF871
BLF871
BLF871
BLF871
BLF871
BLF881
BLF871
BLF878
BLF871
BLF881
BLF888
BLF878
BLF872
BLF881
BLF871
BLF871
BLF177
BLF871
BLF177
BLF177
BLF573S
BLF871
BLF871
PRF957
BFG93A/X
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BLF6G20-180P
BLF6G20-75
BLF6G20-110
BLF6G20-110
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BLF6G20-110
BLF6G20(LS)-110
BLF6G20-140
BLF6G20LS-140
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Broadcast
Base station
Broadcast
Base station
Broadcast
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
WB trs 1-4
WB trs 1-4
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
MRF5S19150H(2)
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MRF5S21045N(2)
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MRF6S19100H(2)
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MRF6S19140H(2)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
MRF6S19200H (2)
Freescale
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MRF6S20010
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MRF6S20010N(2)
MRF6S20010N(2)
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MRF6S21060N(2)
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MRF6S21100H(2)
MRF6S21100N (2)
MRF6S21100N(2)
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MRF6S27015N (2)
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MRF6V2300N(2)
MRF6V3090N (4)
MRF6V4300N (2)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
BLF6G22-150P
BLD6G22L(S)-50
BLF1822-10
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BLF6G22-100
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BLF888
BLF878
BLF6G20-75
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BLF6G20-75
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BLF6G20-110
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BLM6G22-30G
BLM6G22-30
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BLF1822-10
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BLF7G27L(S)-75P
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BLF6G27-10(G)
BLF6G27-10(G)
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BLA6H0912-500
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BLF244
BLF872
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BLF871
BLF177
BLF882
BLF881
BLF573S
BLF369
BLF378
BLF871
BLF573S
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
105
对比参考和替换型号
Base station
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
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MRF6VP3450H (4)
MRF6VP41KH (2)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
MRF7S15100H (2)
Freescale
MRF7S18125AHS
MRF7S18170H (2)
MRF7S18170H(2)
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MRF7S19080H(2)
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MRF7S19100N (2)
MRF7S19100N(2)
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MRF7S19120NR1 (1)
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
MRF7S19170H (2)
Freescale
MRF7S19170H(2)
MRF7S19210H
MRF7S21080H (2)
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MRF947
MRF947A
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MS1076
MS1078
MS1079
MS1204
MS1277
MS1278
MS1279
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
BLF578
BLF578
BLF871
BLF881
BLF878
BLF878
BLF578
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BLF7G20L(S)-200
BLF6G20-180
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BFS25A
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BFS520
PRF947
BFG540/X
PRF957
BLF878
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BLF6G10LS-135R
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BLF6G10LS-200RN
BLF645
BLF888
BLF871
BLF871
BLF888
BLF871
BLF888
BLF871
BLF888
BLF645
BLF888
BLF888
BLF888
MS1280
MS1329
MS1453
MS1503
MS1506
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MS1509
MS1511
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MS2001
MS2003
MS2003
MS2005
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MS2176
MS2200
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MS2210
MS2215
MS2267
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MSC1015MP
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MW7IC915N (1)
NESG3032M14
OS8740230W
PD55012-E
PD55025-E
PD55035-E
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PD57030-E
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PD85015-E
PD85025C
PD85025-E
PD85035C
PD85035-E
PRF134
PRF134
PRF136
PRF136
PRF947B
PRF947B
PTF 041501E - 150 W
PTF 041501F - 150 W
PTF 080101M - 10 W
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Toshiba
Toshiba
Toshiba
ONSemicond.
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Infineon
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
Freescale
NEC
RFMD
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
POLYFET
Infineon
POLYFET
Infineon
Motorola
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
BLF888
BLF878
BLF881
BLF871
BLF881
BLF881
BLF871
BLF878
BLF645
BLF6G22-45
BLF6G22-45
BLF6G22-45
BLF6G22-45
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BLF878
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500
BLA6G1011-200R
BLF177
BLA6G1011-200R
BLL6H0514-25
BLA6G1011-200R
BLAH0912-500
BLAH0912-500
BLA6H1011-600
BLL6H0514-25
BLL6H0514-25
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BFG424W
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BFG410W
BB182LX
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BLF6G21-10G
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BLF6G27-10G
BLF6G27-10G
BLF6G27-10G
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BLF6G27(LS)-75
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BLF6G10L(S)-260PRN
BFU725F
BGO807C
BLF571
BLF571
BLF571
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BLL6H0514-25
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BLF571
BLF571
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BLF242
BLF244
BLF244
PRF947
PRF947
BLF881S
BLF881S
BLF571
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
WB trs 5-7
WB trs 5-7
WB trs 5-7
Varicap
Base station
Base station
Microwave
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
WB trs 5-7
CATV OR
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Microwave
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
WB trs 1-4
WB trs 1-4
Broadcast
Broadcast
Broadcast
106
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Microwave
Microwave
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
WB trs 1-4
Base station
Base station
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
WB trs 1-4
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
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PTF041501E-150 W
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PTF081301E-130 W
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PTF082001E-200 W
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Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Freescale
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
BLF571
BLF881
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BLF647
BLF647
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BLF1043
BLF1043
BLF1043
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BLF6G21-10G
BLF888
BLF888
BLF888
BLF888
blf573
BLF878
BLF878
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BLF878
BLF878
BLF881
BLF881
BLF573
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BLF881
BLF881
BLF881
BLF881
BLF573
BLF573
BLF573
BLF573
BLF573
BLF573
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BLF6G22LS-75
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Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
PTFA 260851F - 85 W
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PTFA043002E-300 W
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PTFA080551F-55 W
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R0605250L
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SA701
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Standard
Standard
Standard
Standard
RFMD
Standard
RFMD
RFMD
RFMD
Standard
RFMD
RFMD
RFMD
Rohm
Rohm
Rohm
Rohm
Rohm
Rohm
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
Vishay
Vishay
Vishay
Standard
Vishay
Vishay
Vishay
Standard
Standard
RFMD
Standard
RFMD
RFMD
Standard
RFMD
RFMD
Standard
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
RFMD
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
POLYFET
BLF6G27(LS)-135
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BLF878
BLF878
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BLF6G10-45
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BLF6G10-160
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BGY887
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CGY887A
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CGY888C
CGY888C
BF1109
BF1109R
BF1109WR
BF1109
BF1109
BF1109R
BF1109R
BF1109WR
BF1109WR
BLF145
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Base station
Broadcast
Broadcast
Base station
Base station
FET
FET
FET
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
CATV RA
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
FET
FET
FET
CATV PPA
FET
FET
FET
CATV PPA
CATV PPA
CATV PP
CATV PD
CATV PP
CATV PP
CATV PD
CATV PP
CATV PP
CATV PD
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
CATV PP
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
Broadcast
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
107
对比参考和替换型号
Manufacturer type
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
Manufacturer type
Manufacturer
NXP type
Product family
SA701
SA741
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SK701
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SM341
SM704
SM704
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SR341
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POLYFET
POLYFET
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
ST
ST
ST
ST
ST
POLYFET
AUK
AUK
AUK
POLYFET
Sirenza
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
Skyworks
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
POLYFET
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
BLF245
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BLF881
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Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Microwave
Microwave
Broadcast
Broadcast
Varicap
Varicap
Varicap
Broadcast
WB trs 5-7
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
Varicap
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
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SST4859
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Standard
Standard
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POLYFET
POLYFET
POLYFET
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Microsemi
Microsemi
Microsemi
Renesas
Microsemi
Microsemi
AUK
AUK
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Standard
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
M/A- COM
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
NEC
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
BSR57
BSR56
BSR57
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PMBFJ177
BLAH0912-500
BLA6H0912-501
BLA6H0912-502
BF1102
BF1102
BF1102
BF1102R
BLF871
BLF871
BLF871
BLF871
BLF871
BLF881
BLF871
BLF871
BLF871
BLF881
BLF881
BLF871
BLF871
BLF878
BLF878
BGA2709
BGA2711
BGA2712
BGA2001
BGA2001
BGA2748
BGA2771
BGA2022
BLF571
BLF645
BLF878
BLF645
BLF881
BLF177
BLF177
BLF878
FET
FET
FET
FET
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Varicap
MMIC
MMIC
Broadcast
Microwave
Microwave
FET
Microwave
Microwave
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
Microwave
Microwave
Microwave
FET
FET
FET
FET
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
MMIC
MMIC
MMIC
MMIC
MMIC
MMIC
MMIC
MMIC
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
Broadcast
108
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
5.2 对比参考:恩智浦停用型号与恩智浦替换型号对比
按照字母数序排列的生产厂商停用型号
缩写:
BS 二极管 频段开关二极管
CATV 有线电视系统
FET 场效应晶体管
Varicap 变容二极管
WB trs 宽带晶体管
RFP trs
RF 功率晶体管
Product family NXP
Replacement type NXP
NXP discontinued type
Product family NXP
Replacement type NXP
BS diode
BS diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
PIN diode
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
Varicap
FET
WB trs
WB trs
FET
FET
FET
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
WB trs
BA277
BA591
BAP142LX
BAP51LX
BAP51LX
BAP55LX
BB152
BB145B
BB145B
BB135
BB187
BB178LX
BB179BLX
BB179LX
BB181LX
BB182
BB182LX
BB187LX
BB149
BB202LX
BB207
BBY40
BF1203
BFS17
BFS17
BF861A
BF861C
BF992
BFM505
BFM520
BFM505
BFM520
BFS17A
BFG198
BFG198
BFG25AW/X
BFG410W
BFG425W
BFG505/X
BFG505
BFG520W/X
BFG590/X
BFG590
BFG590
BFG67
BFG92A/X
BFG92A/X
BFG93A/X
BFG35
BFR92A
BFR92A
BFR92AW
BFR92A
BFR93AW
BFR93A
BFU725F/N1
BFU725F/N1
BFU725F
BGA2031
BGD102/02
BGD102/04
BGD104
BGD104/04
BGD502/01
BGD502/03
BGD502/05
BGD502/07
BGD502/6M
BGD502/C7
BGD502/R
BGD504
BGD504/01
BGD504/02
BGD504/09
BGD602
BGD602/02
BGD602/07
BGD602/09
BGD602/14
BGD602D
BGD702D
BGD702D/08
BGD704/01
BGD704/07S
BGD704/S9
BGD704N
BGD802/09
BGD802N
BGD802N/07
BGD804N
BGD804N/02
BGD902
BGD902/07
BGD902L
BGD904
BGD904/02
BGD904/07
BGD904L
BGD906
BGE788
BGE847BO
BGE847BO/FC
BGE847BO/FC0
BGE847BO/FC0
BGE847BO/FC1
BGE847BO/SC
BGE847BO/SC0
BGE887BO
BGE887BO/FC
BGE887BO/FC1
BGE887BO/SC
BGO807
BGO847/01
BGO847/01
WB trs
WB trs
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
BFU725F/N1
BGA2031/1
BGD502
BGD502
BGD704
BGD704
BGD502
BGD502
BGD502
BGD502
BGD702
BGD502
BGD502
BGD704
BGD704
BGD704
BGD704
BGD702
BGD702
BGD702
BGD702
BGD702
BGD712
BGD712
BGD712
BGD704
BGD704
BGD704
BGD714
BGD802
BGD812
BGD812
BGD814
BGD814
BGD812
BGD902
BGD812
BGD814
BGD904
BGD904
BGD814
CGD942C
BGE788C
BGO827
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO807C
BGO847
BGO847
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
对比参考和替换型号
NXP discontinued type
BA277-01
BA792
BAP142L
BAP51-01
BAP51L
BAP55L
BB132
BB145
BB145B-01
BB151
BB157
BB178L
BB179BL
BB179L
BB181L
BB182B
BB182L
BB187L
BB190
BB202L
BB804
BBY42
BF1203
BF689K
BF763
BF851A
BF851C
BF992/01
BFC505
BFC520
BFET505
BFET520
BFG17A
BFG197
BFG197/X
BFG25AW/XR
BFG410W/CA
BFG425W/CA
BFG505/XR
BFG505W/XR
BFG520W/XR
BFG590/XR
BFG590W
BFG590W/XR
BFG67/XR
BFG92A
BFG92A/XR
BFG93A/XR
BFQ34/01
BFR92
BFR92AR
BFR92AT
BFR93
BFR93AT
BFR93R
BFU510
BFU540
109
110
NXP discontinued type
Product family NXP
Replacement type NXP
NXP discontinued type
Product family NXP
Replacement type NXP
BGO847/FC0
BGO847/FC01
BGO847/SC0
BGQ34/01
BGU2003
BGX885/02
BGY1085A/07
BGY584A
BGY585A/01
BGY586
BGY586/05
BGY587/01
BGY587/02
BGY587/07
BGY587/09
BGY587B/01
BGY587B/02
BGY587B/09
BGY588
BGY588/04
BGY66B/04
BGY67/04
BGY67/09
BGY67/14
BGY67/19
BGY67A/04
BGY67A/14
BGY68/01
BGY685A/07
BGY685AD
BGY685AL
BGY687/07
BGY687/14
BGY687B
BGY687B/02
BGY785A/07
BGY785A/09
BGY785AD
BGY785AD/06
BGY785AD/8M
BGY785AD/8M
BGY787/02
BGY787/07
BGY787/09
BGY847BO
BGY847BO/SC
BGY84A
BGY84A/04
BGY84A/05
BGY85
BGY85A
BGY85A/04
BGY85A/05
BGY85H/01
BGY86
BGY86/05
BGY87
BGY87/J1
BGY87B
BGY88
BGY88/04
BGY88/04
BGY88/07
BGY887/02
BGY887BO
BGY887BO/FC
BGY887BO/SC
BLC6G22-100
BLF1822-10
BLF2043
BLF2045
BLF4G08LS-160A
BLF4G08LS-160A
BLS2731-110T
BLS2731-110
BLS2731-20
CATV
CATV
CATV
WB trs
WB trs
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
RFP trs
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BGO827/SC0
BFG35
BGA2003
BGX885N
BGY1085A
BGY585A
BGY585A
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587B
BGY587B
BGY587B
BGY588N
BGY588N
BGY66B
BGY67
BGY67
BGY67
BGY67
BGY67A
BGY67A
BGY68
BGY685A
BGY785A
BGY785A
BGY687
BGY687
BGE787B
BGE787B
BGY785A
BGY785A
BGY785A
BGY785A
BGY885A
BGY885A
BGY787
BGY787
BGY787
BGO827
BGO827/SC0
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY585A
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587
BGY587B
BGY588N
BGY588N
BGY588N
BGY588N
BGY887
BGO827
BGO827/FC0
BGO827/SC0
BLF6G22-100
BLF6G21-10G
BLF6G21-10G
BLF6G20-45BLF6G22-45
BLF6G10LS-160RN
BLF6G10LS-160RN
BLS6G2731-120
BLS6G2731-120
BLS6G2731-6G
BLS2731-50
BLF3G22-30
CGD914
CGY887A
CGY887B
GD923
OM7650
OM7670
ON4520/09
ON4520/2
ON4594/M5
ON4749
ON4831-2
ON4869
ON4876
ON4890
ON4990
PMBT3640/AT
PN4392
PN4393
TFF1004HN
RFP trs
RFP trs
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
CATV
WB trs
FET
FET
Satellite IC
BLS6G2731-6G
BLF6G22-45
CGD1042H
CGY1043
CGY1047
CGD942C
BGY588C
BGE788C
BGY687
BGY687
BGY585A
BGY588N
BGY885A
BGY587
BGY1085A
BGD712
BGD885
BFS17
PMBF4392
PMBF4393
TFF1014HN
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
6. 包装和封装信息
Package
Package dimensions
L x W x H (mm)
Packing
quantity
Product
12NC ending
Packing
method
SOD323/SC-76
1.7 x 1.25 x 0.9
3,000
10,000
115
135
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOD523/SC-79
1.2 x 0.8 x 0.6
3,000
10,000
8,000
20,000
115
135
315
335
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
2 mm pitch tape and reel
2 mm pitch tape and reel
SOD882D
1.0x0.6x0.4
15000
315
reel
SOT23
2.9 x 1.3 x 0.9
3,000
10,000
215
235
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOT54
4.6 x 3.9 x 5.1
5,000
5,000
10,000
10,000
112
412
116
126
bulk, delta pinning
bulk, straight leads
tape and reel, wide pitch
tape ammopack, wide pitch
SOT89/SC-62
4.5 x 2.5 x 1.5
1,000
4,000
115
135
12 mm tape and reel
12 mm tape and reel
SOT115
44.5 x 13.65 x 20.4
100
112
4 tray/box
SOT121B
28.45 x 28.45 x 7.27
20
112
blister, tray
SOT143(N/R)
2.9 x 1.3 x 0.9
3,000
10,000
215
235
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOT223/SC-73
6.7 x 3.5 x 1.6
1,000
4,000
115
135
12 mm tape and reel
12 mm tape and reel
SOT307
10 x 10 x 1.75
1,500
96
480
518
551
557
13" tape and reel dry pack
1 tray dry pack
5 tray dry pack
SOT323/SC-70
2.0 x 1.25 x 0.9
3,000
10,000
115
135
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOT341
5.3 x 10.2
1,000
658
118
112
13'' tape and reel
tube
SOT343(N/R)
2.0 x 1.25 x 0.9
3,000
10,000
115
135
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOT343F
2.1 x 1.25 x 0.7
3,000
115
8 mm tape and reel
SOT360
6.5 x 4.4 x 0.9
2,500
118
16 mm tape and reel
SOT363/SC-88
2.0 x 1.25 x 0.9
3,000
10,000
115
135
8 mm tape and reel
8 mm tape and reel
SOT363
2.1 x 2.0 x 0.9
3,000
10,000
115
135
reel
SOT401
5 x 5 x 1.4
2,000
360
118
151
13" tape and reel
1 tray
SOT403
5.0 x 4.4 x 0.9
2,500
118
12 mm tape and reel
SOT416/SC-75
1.6 x 0.8 x 0.75
3,000
115
8 mm tape and reel
SOT467B
9.78 x 18.29 x 4.67
60
20
112
112
blister, tray
blister, tray
SOT467C
20.45 x 18.54 x 4.67
60
20
112
112
blister, tray
blister, tray
SOT502A
19.8 x 9.4 x 4.1
60
300
112
135
blister, tray
reel
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
包装和封装信息
6.1 每个封装的包装数量,以及相关订购代码
111
112
Package
Package dimensions
L x W x H (mm)
Packing
quantity
Product
12NC ending
Packing
method
SOT502B
19.8 x 9.4 x 4.1
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT538A
5.1 x 4.1 x 2.6
160
112
blister, tray
SOT539A
31.25 x 9.4 x 4.65
60
300
112
135
blister, tray
reel
SOT540A
21.85 x 10.2 x 5.4
60
112
blister, tray
SOT608A
10.1 x 10.1 x 4.2
60
60
300
112
112
135
blister, tray
blister, tray
reel
SOT608B
10.1 x 10.1 x 4.2
60
100
300
112
118
135
blister, tray
reel
reel
SOT616
4.0 x 4.0 x 0.85
6,000
1,500
100
118
115
551
12 mm tape and reel
8 mm tape and reel
tray
SOT617
5 x 5 x 0.85
6,000
118
Tape and reel
SOT618
6 x 6 x 0.85
4,000
1,000
490
2,450
118
515
551
157
13" tape and reel
7" tape and reel dry pack
1 tray dry pack
5 tray
SOT638
14 x 14 x 1
1,000
90
450
518
551
557
13" tape and reel dry pack
1 tray dry pack
5 tray dry pack
SOT650-1
3.0 x 3.0 x 0.85
6000
118
reel
SOT666
1.6 x 1.2 x 0.7
4,000
115
8 mm tape and reel
SOT684
8 x 8 x 0.85
1,000
260
260
1,300
518
151
551
157
13" tape and reel dry pack
1 tray
1 tray dry pack
5 tray dry pack
SOT724
8.7 x 3.9 x 1.47
2,500
118
16 mm tape and reel
SOT753
2.9 x 1.5 x 1.0
3,000
125
8 mm tape and reel
SOT763-1
2.5x3.5x0.85
3,000
6,000
115
135
reel
SOT778
6.0 x 6.0 x 0.85
490
4,000
551
518
tray
multiple trays
SOT822-1
15.9 x 11 x 3.6
180
127
tube
SOT834-1
15.9 x 11 x 3.15
180
127
tube
SOT886
1.45 x 1.0 x 0.5
5000
115
8 mm tape and reel
SOT891
1.0 x 1.0 x 0.5
5000
132
8 mm tape and reel
SOT908
3.0 x 3.0 x 0.85
6000
118
12 mm tape and reel
SOT922-1
17.4 x 9.4 x 3.88
60
112
blister, tray
SOT975B
6.5 x 6.5 x 3.3
180
100
112
118
blister, tray
Tape and reel
SOT975C
6.5 x 6.5 x 3.3
180
100
112
118
blister, tray
Tape and reel
SOT979A
31.25 x 10.2 x 5.3
60
112
blister, tray
SOT1110A
41.28 x 17.12 x 5.36
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1110B
41.15 x 36.32 x 4.68
60
112
blister, tray
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Package dimensions
L x W x H (mm)
Packing
quantity
Product
12NC ending
Packing
method
SOT1112A
16.65 x 20.32 x 4.205
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1112B
16.65 x 15.22 x 4.205
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1120A
9.4 x 19.815 x 4.1
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1120B
9.4 x 19.815 x 4.1
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1121A
34.16 x 19.94 x 4.75
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1121B
20.70 x 19.94 x 4.75
60
100
112
118
blister,tray
reel
SOT1121C
13.4 x 20.575 x 3.785
DEV
DEV
DEV
SOT1130A
20.45 x 17.12 x 4.65
60
112
blister, tray
SOT1130B
9.91 x 17.12 x 4.65
60
112
blister, tray
SOT1135A
20.45 x 19.94 x 4.65
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1135B
16.65 x 9.78 x 4.205
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1135C
16.65 x 9.78 x 4.205
60
100
112
118
blister, tray
reel
SOT1138
19.48 x 20.57 x 3.9
DEV
DEV
DEV
SOT1179
4.0 x 6.0 x 0.85
DEV
DEV
DEV
SOT1198-1
10.0 x 5.5 x 0.8
1000
115
reel
SOT1204
13.2 x 20.57 x 3.9
DEV
DEV
DEV
SOT1240B
21.60 x 20.575 x 3.875
DEV
DEV
DEV
SOT1240C
18.00 x 20.575 x 3.875
DEV
DEV
DEV
SOT1242B
22.60 x 32.45 x 4.455
DEV
DEV
DEV
SOT1242C
18.00 x 32.45 x 4.455
DEV
DEV
DEV
SOT1244B
19.43 x 20.575 x 3.875
DEV
DEV
DEV
SOT1244C
18.00 x 20.575 x 3.875
DEV
DEV
DEV
包装和封装信息
Package
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
113
6.2 标记代码一览表
标记代码的在线搜索网址:http://www.nxp.com/package/
按照字母顺序排列的标记代码
若在标记代码中给出 ‘%’,则表示该型号可以在不同的装配地点进行装配。
p = 香港制造
t = 马来西亚制造
W = 中国制造
Marking code
10%
13%
20%
21%
22%
24%
25%
26%
28%
29%
30%
31%
32%
33%
34%
38%
39%
40%
41%
42%
47%
48%
49%
50%
1
2
7
8
9
%1W
%3A
%4A
%5A
%6G
%6J
%6K
%6K
%6L
%6S
%6W
%6X
%6Y
%AB
%E7
%E8
%E9
%EA
%EB
%EC
%ED
%M1
%M2
%M3
%M4
%M5
%M6
%M7
%M8
%M9
114
Type
BAT18
BB207
BF545A
BF545B
BF545C
BF556A
BF556B
BF556C
BF861A
BF861B
BF861C
BFR505
BFR520
BFR540
BFT25A
PMBFJ108
PMBFJ109
PMBFJ110
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
PMBFJ308
PMBFJ309
PMBFJ310
BA277
BB182
BA891
BB178
BB179
BAP51-05W
BGA6289
BGA6489
BGA6589
PMBF4393
PMBF4391
BGA7024
PMBF4392
BGA7027
PMBFJ176
PMBFJ175
PMBFJ174
PMBFJ177
BF1210
BGA2800
BGA2801
BGA2815
BGA2816
BGA2850
BGA2865
BGA2866
BF908
BF908R
BF909
BF909R
BF909A
BF909AR
BF904A
BF904AR
BSS83
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOD523
SOD523
SOD523
SOD523
SOD523
SOT323
SOT89
SOT89
SOT89
SOT23
SOT23
SOT89
SOT23
SOT89
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Marking code
%MA
%MB
%MC
%MD
%ME
%MF
%MG
%MH
%MK
%ML
%MM
%MN
%MP
%MR
%MS
%MT
%MU
%MV
%MW
%MX
%MY
%MZ
%VA
%VB
1B%
1C%
1N%
2A%
2L
2N
2R
4A
4K%
4L%
4W%
5K%
5W%
6F%
6K%
6W%
7K%
8K%
A1
A1
A1
A1
A2
A2
A2
A2
A2%
A3
A3
A3
A3%
A5
A5%
A6%
A7%
Type
BF991
BF992
BF904
BF904R
BFG505
BFG520
BFG540
BFG590
BFG505/X
BFG520/X
BFG540/X
BFG590/X
BFG520/XR
BFG540/XR
BFG10
BFG10/X
BFG25A/X
BFG67/X
BFG92A/X
BFG93A/X
BF1100
BF1100R
BGU7041
BGU7042
BGA2717
BAP50-05
BAP70-04W
BF862
BF1208
BF1206F
BF1207F
BF1208D
BAP64-04
BAP50-04
BAP64-04W
BAP64-05
BAP64-05W
BAP1321-04
BAP64-06
BAP50-04W
BAP65-05
BAP70-05
BA591
BB208-02
BGA2001
BAP64Q
BAP70Q
BAT18
BB184
BB208-03
BGA2022
BAP64-03
BB198
BGA2003
BGA2031/1
BAP51-03
BGA2011
BGA2012
BFG310W/XR
Package
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT363
SOT363
SOT363
SOT23
SOT323
SOT23
SOT666
SOT666
SOT666
SOT666
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOD323
SOD523
SOT343
SOT753
SOT753
SOT23
SOD523
SOD323
SOT363
SOD323
SOD523
SOT343
SOT363
SOD323
SOT363
SOT363
SOT343
Marking code
A8
A8%
A8%
A9
AC
B3
B6B6
B6%
B7%
BC%
BFG135
BFG198
BFG31
BFG35
BFG541
BFG591
BFG94
BFG97
BLT50
BLT70
BLT80
BLT81
C1%
C2%
C4%
C5%
D1
D2
D2
D3
D3
D4
D4%
D5
D6
D7
D8
E1%
E1%
E1%
E2%
E2%
E3%
E6%
FB
FF
FG
G2
G2%
G3%
G4%
G5%
K1
K2
K4
K5
K6
K7
Type
BAP50-03
BFG325W/XR
PMBFJ620
BAP70-03
BGU7005
BGU7003
BGA2715
BGU7007
BFU725F
BGA2716
BFQ591
BFG135
BFG198
BFG31
BFG35
BFG541
BFG591
BFG94
BFG97
BLT50
BLT70
BLT80
BLT81
BGM1011
BGM1012
BGM1013
BGM1014
BFU610F
BFU630F
BAP63-03
BFU660F
BAP65-03
BFU690F
BFR30/B
BFU710F
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BFS17
BFS17/FD
BFS17W
BFS17A
BGA2712
BGA2709
BFG17A
BFQ19
BFQ18A
BFQ149
BA278
BGA2711
BGA2748
BGA2771
BGA2776
BAP51-02
BAP51-05W
BAP50-02
BAP63-02
BAP65-02
BAP1321-02
Package
SOD323
SOT343
SOT363
SOD323
SOT886
SOT891
SOT363
SOT886
SOT343F
SOT363
SOT89
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT223
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOT343F
SOT343F
SOD323
SOT343F
SOD323
SOT343F
SOT23
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT343F
SOT23
SOT23
SOT323
SOT23
SOT363
SOT363
SOT23
SOT89
SOT89
SOT89
SOD523
SOT363
SOT363
SOT363
SOT363
SOD523
SOD523
SOD523
SOD523
SOD523
SOD523
Type
BAP70-02
BB199
BB202LX
BAP51LX
BB202
BF1203
BB178LX
BF1204
BB179LX
BF1205
BB179BLX
BB181LX
BF1206
BB182LX
BB187LX
BF1208
BF1201WR
BF1201
BF1201R
BF1202
BF1202WR
BF1202R
BF1211
BF1212
BF1211R
BF1212R
PMBFJ308
PMBFJ309
BFR30
PMBFJ310
BF1207
BFR31
BFT46
BF861A
BF861B
BF861C
BF1215
BF1216
BF1205C
BF545A
BF545B
BF545C
BF1218
BF556A
BF556B
BF556C
BGA2802
BF998WR
BGA2803
BF904WR
BGA2851
BF908WR
BGA2869
BF909WR
BF1100WR
BF909AWR
BF994S
BF904AWR
BF996S
BF1211WR
BF1212WR
BF998
BF998R
BB181
BFR505T
BFM505
BFS505
BFG505W/X
BFR520T
BFM520
BFS520
BFG520W
BFG520W/X
BFQ540
BFS540
BFS25A
BFG540W/X
Package
SOD523
SOD523
SOD882D
SOD882D
SOD523
SOT363
SOD882D
SOT363
SOD882D
SOT363
SOD882D
SOD882D
SOT363
SOD882D
SOD882D
SOT363
SOT343
SOT143
SOT143
SOT143
SOT343
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT363
SOT363
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT343
SOT363
SOT343
SOT363
SOT343
SOT363
SOT343
SOT343
SOT343
SOT143
SOT343
SOT143
SOT343
SOT343
SOT143
SOT143
SOD523
SOT416
SOT363
SOT323
SOT343
SOT416
SOT363
SOT323
SOT343
SOT343
SOT89
SOT323
SOT323
SOT343
Marking code
N8
N9
N9%
NA
NA%
NB
NB%
NC
NC%
ND
ND%
NE
NE%
NF%
NG%
NH%
P08
P09
P1
P1
P10
P11
P12
P13
P2%
P2%
P3
P4
P5
P5
P6
P7
P8
P9
PB
PC
PE
PF
PL
R2%
R2%
R5
R7%
R8%
S
S1%
S2%
S2%
S3%
S6%
S7%
S8%
S9%
SB%
SC%
SC%
SD%
SE%
T5
UY
V1
V1%
V10
V2%
V2%
V3%
V4%
V6%
V8
VA
VA
VB
VC
VC
VC%
VD%
VD%
Type
BFG540W/XR
BFG540W
BAP70AM
BF1105WR
BF1105R
BF1109WR
BF1109R
BF1101WR
BF1101R
BFG424W
BF1101
BFG424F
BF1105
BF1109
BF1108
BF1108R
PMBFJ108
PMBFJ109
BFG21W
BB131
PMBFJ110
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
BFR92A
BFR92AW
BFG403W
BFG410W
BB135
BFG425W
BFG480W
BB147
BB148
BB149
BB152
BB153
BB155
BB156
BB149A
BFR93A
BFR93AW
BFR93AR
BFR106
BFG93A
BAP64-02
BFG310/XR
BBY40
BFG325/XR
BF1107
BF510
BF511
BF512
BF513
BF1214
BGU7031
BB201
BGU7032
BGU7033
BFG10W/X
BGU7004
BFG25AW/X
BFT25
BFT25A
BFQ67
BFQ67W
BFG67
BAP64-06W
BAP65-05W
BAP1321-03
BF1217WR
BF1217WR
BF1118W
BF1118WR
BF1118WR
BF1118
BF1118R
BF1118R
Package
SOT343
SOT343
SOT363
SOT343
SOT143
SOT343
SOT143
SOT343
SOT143
SOT343
SOT143
SOT343
SOT143
SOT143
SOT143
SOT143
SOT23
SOT23
SOT343
SOD323
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
SOT343
SOT343
SOD323
SOT343
SOT343
SOD523
SOD323
SOD323
SOD323
SOD323
SOD323
SOD323
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT23
SOT143
SOD523
SOT143
SOT23
SOT143
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT363
SOT363
SOT23
SOT363
SOT363
SOT343
SOT886
SOT343
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
SOT143
SOT323
SOT323
SOD323
SOT343
SOT343R
SOT343
SOT343
SOT343R
SOT143
SOT143
SOT143R
Marking code
W1
W1%
W1%
W2%
W4%
W6%
W7%
W9%
X
X1%
X1%
Type
BF1102
BFT92
BFT92W
BF1102R
BAP50-05W
BAP51-04W
BAP51-06W
BAP63-05W
BB187
BFT93
BFT93W
Package
SOT363
SOT23
SOT323
SOT363
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOD523
SOT23
SOT323
包装和封装信息
Marking code
K8
K9
L1
L2
L2
L2%
L3
L3%
L4
L4%
L5
L6
L6%
L7
L8
L9%
LA
LA%
LB%
LD%
LE
LE%
LF%
LG%
LH%
LK%
M08
M09
M1%
M10
M2%
M2%
M3%
M33
M34
M35
M4%
M5%
M6%
M65
M66
M67
M7%
M84
M85
M86
MA%
MB
MB%
MC
MC%
MD
MD%
ME
MF
MG
MG%
MH
MH%
MK
ML
MO%
MO%
N
N0
N0%
N0%
N1
N2
N2%
N2%
N3
N4
N4
N4%
N6%
N7
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
115
7. 缩写
3-way
AM
ASIC
ASYM
使用 3 个分离晶体管的 Doherty 设计
调幅
特定应用集成电路
BPF
BUC
CATV
CDMA
CMMB
CMOS
CQS
带通滤波器
上变频模块
有线电视
码分多址
中国多媒体移动广播
Doherty 不对称设计 (主要和峰值设备不同)
互补金属氧化物半导体
客户验证样品
数字音频广播
数字增强无线电话系统
DAB
DECT
缩写
DiSEqC
DSB
DVB
EDGE
ESD
FET
FM
GaAs
GaN
Gen
GPS
GSM
HBT
HDTV
HF
HFC
HFET
HPA
HVQFN
数字卫星设备控制
数字信号处理器
数字视频广播
IF
ISM
中频
LDMOS
LNA
LNB
LO
LPF
MESFET
MMIC
MMPP
横向扩散金属氧化物半导体
低噪声放大器
低噪声模块
本振
低通滤波器
金属半导体场效应晶体管
单片微波集成电路
各在半个推挽晶体管中分别实现的主要和峰值设备
116
增强型数据速率 GSM 演进技术
静电放电设备
场效应晶体管
调频
砷化镓
氮化镓
代
全球定位系统
全球移动通信系统
异质结双极晶体管
高清晰电视
高频率 (3-30 MHz)
混合光纤同轴
异质结场效应晶体管
高功率放大器
热强化塑料极薄无引脚方形扁平封装
工业、科学、医学 — 保留频率波段
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
MPPM
MoCA
MOSFET
在同一推挽晶体管内实现的主要
和峰值设备 (2次)
同轴电缆多媒体联盟
金属氧化物半导体场效应晶体管
MPA
MRI
NF
NIM
NMR
PA
PAR
PEP
pHEMT
中等功率放大器
磁共振成像
噪声系数
网络接口模块
核磁共振
功率放大器
峰均比
峰值包络功率
增强型伪高电子迁移率晶体管
PLL
QUBiC
RF
RFS
RoHS
Rx
锁相环
SARFT
SER
SiGe:C
SMATV
SMD
SPDT
SYM
高质量 BiCMOS
射频
批量供货
有害物质禁用指令
接收
国家广电总局
串行器
硅锗碳
卫星共用天线电视系统
表面贴装设备
单刀双掷
Doherty 对称设计 (主要和峰值设备为同一种晶
体管)
TD-SCDMA 时分同步码分多址
通信避免碰撞系统
TCAS
塔顶放大器
TMA
首次定位时间
TTFF
发射
Tx
UHF
超高频率 (470-860 MHz)
通用移动通信系统
UMTS
电压控制振荡器
VCO
可变增益放大器
VGA
VHF
VoIP
VSAT
WCDMA
WiMAX
甚高频 (30-300 MHz)
互联网协议电话
甚小口径卫星终端
宽带码分多址
微波存取全球互通技术
WLAN
无线本地网络
8. 联系方式和网址链接
如何联系您的授权经销商或本地的恩智浦代表。
授权经销商
亚太:
http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific_dist
欧洲∕非洲∕中东:
http://www.nxp.com/profile/sales/europe_dist
北美:
http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica_dist
当地恩智浦办公室
亚太:
http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific
欧洲∕非洲∕中东:
http://www.nxp.com/profile/sales/europe
北美:
http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica
恩智浦 RF 功率 & 基站:
http://www.nxp.com/rfpower
恩智浦 RF FET:
http://www.nxp.com/rffets
恩智浦 RF CATV 电放大器和光模块:
http://www.nxp.com/catv
恩智浦 RF 应用:
http://www.nxp.com/rf
恩智浦应用注释:
http://www.nxp.com/all_appnotes
恩智浦对比参考:
http://www.nxp.com/products/xref
恩智浦封装:
http://www.nxp.com/package
恩智浦停产产品:
http://www.nxp.com/products/eol
网址链接
恩智浦 RF 手册网页:
http://www.nxp.com/rfmanual
恩智浦可变电容:
http://www.nxp.com/varicaps
恩智浦 RF PIN 二极管:
http://www.nxp.com/pindiodes
恩智浦 RF 肖特基二极管:
http://www.nxp.com/rfschottkydiodes
恩智浦质量手册:
http://www.standardics.nxp.com/quality/handbook
恩智浦文献:
http://www.nxp.com/products/discretes/documentation
恩智浦封装:
http://www.nxp.com/package
恩智浦销售办公室和经销商:
http://www.nxp.com/profile/sales
恩智浦高速转换器:
http://www.nxp.com/dataconverters
联系方式和网址链接
恩智浦半导体:
http://www.nxp.com
恩智浦 RF MMIC:
http://www.nxp.com/mmics
恩智浦 RF 宽带晶体管:
http://www.nxp.com/rftransistors
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
117
9. 产品索引
Portfolio
chapter
Type
缩写
1PS10SB82
1PS66SB17
1PS66SB82
1PS70SB82
1PS70SB84
1PS70SB85
1PS70SB86
1PS76SB17
1PS79SB17
1PS88SB82
ADC0801S040
ADC0804S series
ADC0808S series
ADC1002S020
ADC1003S series
ADC1004S series
ADC1005S060
ADC1006S series
ADC1010S series
ADC1015S series
ADC1112D125
ADC1113D125
ADC1113S125
ADC1115S125
ADC1206S series
ADC1207S080
ADC1210S series
ADC1212D series
ADC1213D series
ADC1213S series
ADC1215S series
ADC1410S series
ADC1412D series
ADC1413D series
ADC1413S series
ADC1415S series
ADC1610S series
ADC1613D series
ADC1613S series
BA277
BA591
BA891
BAP1321-02
BAP1321-03
BAP1321-04
BAP1321LX
BAP142LX
BAP50-02
BAP50-03
BAP50-04
BAP50-04W
BAP50-05
BAP50-05W
BAP50LX
BAP51-02
BAP51-03
BAP51-04W
BAP51-05W
BAP51-06W
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BAP55LX
BAP63-02
BAP63-03
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BAP63LX
BAP64-02
BAP64-03
BAP64-04
BAP64-04W
BAP64-05
BAP64-05W
118
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.2.4
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.8.1
3.2.3
3.2.3
3.2.3
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
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3.2.2
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3.2.2
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3.2.2
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3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Type
BAP64-06
BAP64-06W
BAP64LX
BAP64Q
BAP65-02
BAP65-03
BAP65-05
BAP65-05W
BAP65LX
BAP70-02
BAP70-03
BAP70-04W
BAP70-05
BAP70AM
BAP70Q
BAT17
BAT18
BB131
BB135
BB145B
BB148
BB149
BB149A
BB152
BB153
BB156
BB178
BB178LX
BB179
BB179B
BB179BLX
BB179LX
BB181
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BB182
BB182LX
BB184
BB187
BB187LX
BB189
BB198
BB199
BB201
BB202
BB202LX
BB207
BB208-02
BB208-03
BBY40
BF1100
BF1100R
BF1100WR
BF1101
BF1101R
BF1101WR
BF1102(R)
BF1105
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BF1107
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BF1108R
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BF1109
BF1109R
BF1109WR
BF1118
BF1118R
BF1118W
BF1118WR
Portfolio
chapter
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.2
3.2.4
3.2.3
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
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3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
3.2.1
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3.2.1
3.5.2
3.5.2
3.5.2
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3.5.2
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3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
Type
BF1201
BF1201R
BF1201WR
BF1202
BF1202R
BF1202WR
BF1203
BF1204
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BF1205C
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BF1206F
BF1207
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BF1208D
BF1210
BF1211
BF1211R
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BF1212
BF1212R
BF1212WR
BF1214
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BF1218
BF245A
BF245B
BF245C
BF510
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BF513
BF545A
BF545B
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BF556A
BF556B
BF556C
BF861A
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BF861C
BF862
BF904A
BF904AR
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BF908
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BF909A
BF909AR
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BFG10
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BFG198
BFG21W
BFG25A/X
BFG25AW
BFG25AW/X
BFG31
BFG310/XR
Portfolio
chapter
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.2
3.5.1
3.5.1
3.5.1
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3.5.1
3.5.1
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3.5.1
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3.5.1
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3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
Type
BFG310W/XR
BFG325/XR
BFG325W/XR
BFG35
BFG403W
BFG410W
BFG424F
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BFG541
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BFQ67
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BFR505T
BFR520
BFR520T
BFR540
BFR92A
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BFR93A
BFR93AR
BFR93AW
BFR94A
BFR94AW
BFS17
BFS17A
BFS17W
BFS25A
BFS505
BFS520
BFS540
BFT25
BFT25A
BFT46
Portfolio
chapter
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
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3.3.1
3.3.1
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3.5.1
3.5.1
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3.3.1
3.3.1
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3.3.1
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3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.5.1
BFT92
BFT92W
BFT93
BFT93W
BFU610F
BFU630F
BFU660F
BFU690F
BFU710F
BFU725F/N1
BFU730F
BFU760F
BFU790F
BGA2001
BGA2002
BGA2003
BGA2011
BGA2012
BGA2022
BGA2031/1
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BGA2711
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BGA2801
BGA2802
BGA2803
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BGA7027
BGA7124
BGA7127
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BGA7351
BGD502
BGD702
BGD702N
BGD704
BGD712
BGD712C
BGD714
BGD802
BGD804
BGD812
BGD814
BGD816L
BGD885
BGE787B
BGE788C
BGE885
BGM1011
BGM1012
BGM1013
Portfolio
chapter
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.3.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
3.4.1
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3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.3
3.6.1
3.6.1
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3.4.1
3.4.1
3.4.1
Type
BGM1014
BGO807
BGO807C
BGO807CE
BGO827
BGR269
BGU7003
BGU7003W
BGU7004
BGU7005
BGU7007
BGU7008
BGU7031
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BGU7041
BGU7042
BGU7051
BGU7052
BGU7053
BGX7100
BGX7220
BGX7221
BGX7300
BGX885N
BGY1085A
BGY585A
BGY587
BGY587B
BGY588C
BGY588N
BGY66B
BGY67
BGY67A
BGY68
BGY685A
BGY687
BGY785A
BGY787
BGY835C
BGY883
BGY885A
BGY887
BGY887B
BGY888
BLA6G1011-200R(G)
BLA6G1011LS-200RG
BLA6H0912-1000
BLA6H0912-500
BLA6H1011-600
BLD6G21L-50
BLD6G21LS-50
BLD6G22L(S)-50
BLF178P
BLF2425M6L(S)180P
BLF2425M6LS180P
BLF2425M7L(S)140
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BLF2425M7L(S)250P
BLF2425M7LS200
BLF2425M7LS250P
BLF25M612
BLF278XR
BLF571
BLF572P
BLF573(S)
BLF573P
BLF574
BLF578
BLF578XR
BLF642
Portfolio
chapter
3.4.1
3.6.4
3.6.4
3.6.4
3.6.4
3.6.5
3.4.1
3.4.1
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3.4.2
3.4.2
3.4.2
3.6.1
3.6.2
3.6.1
3.6.1
3.6.1
3.6.1
3.6.1
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3.6.5
3.6.5
3.6.5
3.6.1
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3.7.2.3
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3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
3.7.2.1
Type
BLF645
BLF647P
BLF6G10-200RN
BLF6G10(LS)-160RN
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CGD944C
CGD982HCi
CGD985HCi
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
3.7.2.2
3.7.2.2
3.7.2.2
3.7.2.1
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3.6.3
3.6.3
119
产品索引
Type
Portfolio
chapter
Type
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3.8.2
3.8.2
3.8.2
3.8.2
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3.5.1
3.5.1
3.5.1
3.5.1
3.5.1
3.5.1
3.5.1
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
Type
J176
J177
PBR941
PBR951
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PMBD354
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PRF949
PRF957
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chapter
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3.5.1
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3.2.4
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3.5.1
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Type
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chapter
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3.4.3
3.4.3
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3.4.4
3.4.4
Notes
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
121
Notes
122
恩智浦半导体 RF 手册第 15 版
www.nxp.com
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856-53520-0511-1243
www.climatepartner.com
发布日期:2011 年 5 月
文档编号: 9397 750 17115
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