STM32ハードウェアマニュアル日本語

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参考資料

STM32F103x6

STM32F103x8 STM32F103xB

32 ~ 128 KB Flash, USB, CAN, 7 x タ イ マ , 2 x ADC, 9 x 通信イ ン タ フ ェ ース内蔵

中容量パフ ォーマンス ・ ラ イ ン ARM ベース 32bit MCU

特徴

コ ア : ARM 32bit Cortex

TM

-M3 CPU

– 最大動作周波数 72 MHz

0 ウェイト ・ ステート ・ メモリ ・ アクセス時 

1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 性能

– 単一サイ ク ル乗算及びハー ド ウ ェ ア除算

メ モ リ

– 32 ~ 128 Kbytes ま での Flash メ モ リ

– 6 ~ 20 Kbytes ま での SRAM

ク ロ ッ ク 、 リ セ ッ ト 、 電源管理

– ア プ リ ケーシ ョ ン と I/O 用に 2.0 ~ 3.6 V

の電源供給

– POR、 PDR、 プ ロ グ ラ ム可能な電圧検出器

(PVD : programmable voltage detector)

– 4 ~ 16 MHz 水晶発振子

– 内蔵 8 MHz 工場 ト リ ミ ン グ済み RC

– 内蔵 40 kHz RC

– CPU ク ロ ッ ク 用 PLL

– 較正機能付 RTC 用 32 kHz オシ レ ー タ

低消費電力

– SLEEP、 STOP、 STANDBY 各モー ド

– RTC 及びバックアップ ・ レジスタ用 V

BAT

供給

2 x 12bit 、 1μs A/D コンバータ

(最大 16 チャネル)

– 変換範囲 : 0 ~ 3.6 V

– デ ュ アルサン プル及びホール ド 機能

– 温度セ ンサ

DMA

– 7 チ ャ ネル DMA コ ン ト ロー ラ

– ペ リ フ ェ ラ ルサポー ト : タ イ マ、 ADC、

SPI、 I

2

C、 USART

最大 80 個の高速 I/O ポー ト

– 26/37/51/80 個の I/O、 16 個の外部割込み

上にすべて配置可能、 アナ ロ グ入力以外す

べて 5V 耐性

デバ ッ グ ・ モー ド

– シ リ アル ・ ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ (SWD:Serial wire debug) 及び JTAG イ ン タ フ ェ ース

LQFP48

7 x 7 mm LQFP100

14 x 14 mm

LQFP64

10 x 10 mm

VFQFPN36

6 × 6 mm

BGA100

10 x 10 mm

最大 7 個の タ イ マ

– 最大 3 個の 16bit タイマ、 それぞれに最大 4

個の IC/OC/PWM またはパルス ・ カウンタ

– 16bit、 6 チ ャ ネル高性能制御 タ イ マ : PWM

出力、 デ ッ ド タ イ ム生成 と 緊急停止用に最

大 6 個のチ ャ ネル

– 2 個のウ ォ ッ チ ド ッ グ ・ タ イ マ

( 独立型及び Window 型 )

– SysTick タ イ マ : 24bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ

最大 9 個の通信イ ン タ フ ェ ース

– 最大 2 個の I

2

C イ ン タ フ ェ ース

(SMBus/PMBus)

– 最大 3 個の USART (ISO 7816 イ ン タ フ ェ ー

ス、 LIN、 IrDA 対応、 モデム制御 )

– 最大 2 個の SPI(18 Mbit/s)

– CAN イ ン タ フ ェ ース (2.0B ア ク テ ィ ブ )

– USB 2.0 フルス ピー ド ・ イ ン タ フ ェ ース

CRC 演算ユニ ッ ト 、 96bit ユニー ク ID

ECOPACK

®

パ ッ ケージ

表 1.

STM32F103x6

STM32F103x8

STM32F103xB

デバイ スの種類

リ フ ァ レ ン ス名 品名

STM32F103C6、 STM32F103R6、

STM32F103T6

STM32F103C8、 STM32F103R8、

STM32F103V8、 STM32F103T8

STM32F103RB、 STM32F103VB、

STM32F103CB

July 2008

Rev8- 日本語版

1/84

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1

3

4

5

1

2

参考資料

目次

目次

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

は じ めに . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.1

デバイ スの概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.2

2.3

フ ァ ミ リ と し ての完全互換 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

ピ ンの詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

メ モ リ ・ マ ッ ピ ン グ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

電気的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

5.1

5.2

5.3

テ ス ト 条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

5.1.1

5.1.2

5.1.3

5.1.4

5.1.5

5.1.6

5.1.7

最小値 と 最大値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

標準値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

標準カ ーブ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

負荷容量 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

ピ ン入力電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

電源供給図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

消費電流測定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

5.3.1

5.3.2

5.3.3

5.3.4

5.3.5

5.3.6

5.3.7

5.3.8

5.3.9

5.3.10

5.3.11

5.3.12

一般動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

パワー ・ ア ッ プ / パワー ・ ダウ ン時の動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

内部基準電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

供給電流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

内部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

PLL 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

メ モ リ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

EMC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

絶対最大定格 (電磁感度) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

I/O ポー ト 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

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6

7

8

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

目次

5.3.13

5.3.14

5.3.15

5.3.16

5.3.17

5.3.18

NRST ピ ン特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

TIM タ イ マ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

通信イ ン タ フ ェ ース . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

CAN (controller area network) イ ン タ フ ェ ース. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

12bit ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

温度セ ンサ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

パ ッ ケージ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

6.1

パ ッ ケージ ・ デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

6.2

熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

6.2.1

6.2.2

参考 ド キ ュ メ ン ト . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

温度範囲対応製品の選択 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

注文情報概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

7.1

フ ァ ミ リ 製品の展開 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

変更履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

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表 37.

表 38.

表 39.

表 40.

表 41.

表 42.

表 43.

表 44.

表 29.

表 30.

表 31.

表 32.

表 33.

表 34.

表 35.

表 36.

表 45.

表 46.

表 47.

表 18.

表 19.

表 20.

表 21.

表 22.

表 23.

表 24.

表 25.

表 26.

表 27.

表 28.

表 9.

表 10.

表 11.

表 12.

表 13.

表 14.

表 15.

表 16.

表 17.

表 1.

表 2.

表 3.

表 4.

表 5.

表 6.

表 7.

表 8.

参考資料

表一覧

表一覧

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

デバイ スの種類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラ ル (STM32F10xxx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン) . . . . . . . . . 8

STM32F103xx フ ァ ミ リ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

ピ ンの定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

電圧特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

電流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

一般的な動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

パワー・アップ / パワー・ダウン時の動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

内蔵リセット及び電源制御ブロック特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

内部基準電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流 . . . . . . . . . 35

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流 . . . . . . . . . 35

Flash または RAM か ら の コ ー ド 動作に よ る SLEEP モー ド の最大消費電流 . . . . . . . . . . . . . 37

STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での標準消費電流 . . . . . . . . . 40

Flash または RAM か ら のデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る SLEEP モー ド

の標準消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

ペ リ フ ェ ラ ル消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

低速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

HSE 4 ~ 16 MHz オシ レー タ 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

LSE オシ レー タ 特性 (f

LSE

= 32.768 kHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

HSI オシ レ ー タ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

LSI オシ レ ー タ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

PLL 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Flash メ モ リ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

EMS 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

EMI 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

ESD 絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

静電気感度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

I/O 静的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

出力電圧特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

I/O AC 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

NRST ピ ン特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

I

TIMx 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

2

C 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

SCL 周波数 (f

PCLK1

= 36 MHz.、 V

DD

= 3.3 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

SPI 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

USB ス タ ー ト ア ッ プ時間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

USB DC 電気特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

USB: フルス ピー ド 電気的特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 f

ADC

= 14 MHz についての R

AIN

最大値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 48.

表 49.

表 50.

表 51.

表 52.

表 53.

表 54.

表 55.

表一覧

TS 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . . . . . . 70

LQPF100 - 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

LQFP64 - 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

LQFP48 - 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

注文 コ ー ド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

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図 1.

図 2.

図 3.

図 4.

図 5.

図 6.

図 7.

図 8.

図 9.

図 10.

図 11.

図 12.

図 13.

図 14.

図 15.

図 16.

図 33.

図 34.

図 35.

図 36.

図 37.

図 38.

図 39.

図 40.

図 41.

図 42.

図 43.

図 25.

図 26.

図 27.

図 28.

図 29.

図 30.

図 31.

図 32.

図 17.

図 18.

図 19.

図 20.

図 21.

図 22.

図 23.

図 24.

参考資料

図一覧

図一覧

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

ク ロ ッ ク 構成図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン BGA100 ボールピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP100 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP64 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP48 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン VFQFPN36 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

メ モ リ ・ マ ッ プ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

ピ ン負荷条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

ピ ン入力電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

電源供給図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

消費電流測定図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時) -

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはイ ネーブル. . . . . . . . . . . . . . . . 36

Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時) -

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはデ ィ セーブル. . . . . . . . . . . . . . 36

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の Run モー ド の

レギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 標準消費電流 対 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド の

レギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 消費電流 対 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時のの STANDBY モー ド 標準消費電流 対 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . 39

高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

8MHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

32.768 kHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

I/O AC 特性の定義. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

I

NRST ピ ン保護のための推奨条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

2

C バス AC 波形 と 測定回路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 1

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

SPI タ イ ミ ン グ図 - マス タ ・ モー ド

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

USB タ イ ミ ン グ : デー タ 信号の立上が り と 立下 り 時間の定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

ADC 精度特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

ADC を使用する一般的な接続図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ (V

REF+

電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ (V

REF+

を V

DDA

を V

DDA

への接続な し ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

へ接続) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 外形寸法

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)(2)(3)

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

推奨 PCB 設計ルール (0.80/0.75 mm ピ ッ チ BGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

LQFP100 - 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

LQFP64 - 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

LQFP48 - 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

LQFP100 PD 最大値 対 T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

6/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

1 は じ めに

は じ めに

こ のデー タ シー ト には STM32F103x6、 STM32F103x8 、 STM32F103xB 中容量パ フ ォ ーマ ン

ス ・ ラ イ ンの マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ についての注文情報や外形寸法な どが記載 さ れていま

す。 ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス STM32F103xx フ ァ ミ リ 全体の詳細に関 し ては

セ ク シ ョ

ン 2.2: フ ァ ミ リ と し ての完全互換

を参照 し て く だ さ い。

中容量 STM32F103xx デー タ シー ト は、 中容量及び大容量 STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マ

ニ ュ アル と と も に読み進めて く だ さ い。

この リ フ ァ レ ン スマニ ュ アル と Flash プ ログ ラ ミ ング ・ マニ ュ アルは ST マ イ ク ロ エ レ ク ト

ロ ニ ク スのウ ェ ブサイ ト www.st.com か ら入手する こ と が出来ます。

また、 Cortex

TM

-M3 コ アについての さ ら に詳 し い情報については、 以下の www.arm.com の

ウ ェ ブサイ ト か ら提供 さ れてい る 『 Cortex

TM

-M3 テ ク ニ カル ・ リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ ア

ル』 を参照 し て く だ さ い。 http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/

2 詳細

STM32F103x6、 STM32F103x8、 STM32F103xB パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ は 72MHz の

周波数で動作する高性能 ARM Cortex

TM

-M3 32bit RISC コ ア を中心に、 高速動作の内蔵 メ モ

リ ( 最大 128 Kbyte の Flash メ モ リ と 最大 20Kbyte の SRAM) 及び、 エ ンハン ス ト I/O と ペ

リ フ ェ ラ ルが 2 本の APB バスに接続 さ れています。 すべてのデバイ スには、 2 個の 12bit

ADC、 3 個の汎用 16bit タ イ マ、 1 個の PWM タ イ マが搭載 さ れています。 また、 標準通信

及び高機能イ ン タ フ ェ ース と し て最大 2 個の I

2

C 及び SPI、 3 個の USART、 USB、 CAN も

搭載 し ています。

STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ は 2.0 ~ 3.6V の電圧範囲で動作 し

ます。 また、 -40 ~ +85 ℃の温度範囲 と -40 ~ +105 ℃の拡張温度範囲の製品があ り ます。

電力セーブ ・ モー ド を使用する こ と に よ り 、 低電力ア プ リ ケーシ ョ ンの設計が可能です。

STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ には 36 ピ ン~ 100 ピ ン ま での 5 つ

の異な る種類のパ ッ ケージが用意 さ れています。 以下の説明は、 異な るペ リ フ ェ ラ ルの

セ ッ ト のデバイ ス を選択する ために、 こ の フ ァ ミ リ で提案 さ れている ペ リ フ ェ ラ ルの概要

にな り ます。

下記の特徴は STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ ・ フ ァ

ミ リ が幅広いア プ リ ケーシ ョ ン に対応 し てい る こ と 示 し ています。 :

モー タ 駆動 と ア プ リ ケーシ ョ ン制御

医療機器、 ハン ド ヘル ド 機器

PC 周辺機器、 ゲーム機器、 GPS プ ラ ッ ト フ ォ ーム

産業機器 : PLC、 イ ンバー タ 、 プ リ ン タ 、 スキ ャ ナ

警報シ ス テム、 ビデオ イ ン タ ーホ ン、 HVAC

図 1

はデバイ ス フ ァ ミ リ の標準ブ ロ ッ ク図です。

Rev8- 日本語版

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参考資料

詳細

2.1

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

デバイ ス概要

表 2.

デバイスの特徴とペリフェラル (STM32F10xxx 中容量パフォーマンス ・ ライン)

ペ リ フ ェ ラ ル STM32F103Tx STM32F103Cx STM32F103Rx STM32F103Vx

Flash - Kbytes 32 64 32 64 128 32 64 128 64 128

SRAM - Kbytes 10 20 10 20 20 10 20 20

2 3 2 3 3 2 3 3 タ

汎用

高機能制御

SPI

I

2

C

USART

USB

CAN

GPIO

12bit 同期型 ADC

チ ャ ネル数

CPU 周波数

動作電圧

動作温度

パ ッ ケージ

1 1 1

1

1

2

1

1

1

1

26

2

10 チ ャ ネル

1

1

2

1

1

2

2

2

3

1

1

1

1

37

2

10 チ ャ ネル

1

1

2

2

3

1

1

2

1

1

51

2

2

3

1

1

72 MHz

2.0 ~ 3.6 V

周囲温度 : -40 ~ +85 ℃ /-40 ~ +105 ℃ (

表 8

を参照 )

ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 : -40 ~ +125 ℃ (

表 8

を参照 )

VFQFPN36 LQFP48 LQFP64

LQFP100、

BGA100

2

16 チ ャ ネル

1

1

80

2

2

3

1

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

2.2

詳細

フ ァ ミ リ と し ての完全互換

STM32F103xx は、 完全な ピ ン配置、 ソ フ ト ウ ェ ア、 機能互換を持つ フ ァ ミ リ 製品にな り ま

す。 リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルでは STM32F103x6、 STM32F103x8、 STM32F103xB を中容

量デバイ ス と 定義 し 、 STM32F103xC、 STM32F103xD、 STM32F103xE を大容量デバイ ス と

し て定義 し ています。

大容量デバイ スは中容量 STM32F103x6/8/B デバイ スの拡張版にな り ます。 こ れ らのデバ

イ スは STM32F103xC/D/E のデー タ シー ト に記載 さ れています。 大容量 STM32F103xx デバ

イ スは、 よ り 大容量の Flash メ モ リ と RAM を搭載 し てお り 、 SDIO、 FSMC、 I

2

S や DAC な

どのペ リ フ ェ ラ ルを搭載 し ています。 また、 フ ァ ミ リ 内の他の製品 と は完全互換機能を

持 っ ています。

STM32F103xC、 STM32F103xD、 STM32F103xE は、 STM32F103x6、 STM32F103x8 、

STM32F103xB のデバイ スは、 こ れ ら のデバイ ス間で直接置き換え る こ と が出来ます。 こ れ

に よ り ユーザが製品を開発 し ている間、 異な る メ モ リ サイ ズや機能を効率的に置き換え る

こ と が出来る自由度を提供を し ます。

表 3.

STM32F103xx フ ァ ミ リ

ピ ン数

144

100

64

48

36

メ モ リ ・ サイ ズ

中容量 STM32F103xx デバイ ス

32 KB Flash 64 KB Flash

大容量 STM32F103xx デバイ ス

128 KB Flash 256 KB Flash 384 KB Flash 512 KB Flash

10 KB RAM

2 × USART

2 × 16-bit タ イ マ

1 × SPI、 1 × I

2

C、

USB、 CAN、

1 × PWM タ イ マ

2 × ADCs

20 KB RAM 20 KB RAM 48 KB RAM 64 KB RAM 64 KB RAM

3 × USART

3 × 16-bit タ イ マ

2 × SPI、 2 ×I

CAN、

2

C、 USB、

1 × PWM タ イ マ

2 × ADC

5 × USART

4 × 16-bit タ イ マ、 2 × 基本 タ イ マ

3 × SPI、 2 × I

2

S、 2 × I2Cs

USB、 CAN、 2 × PWM タ イ マ

3 × ADC、 1 × DAC、 1 × SDIO

FSMC (100 及び 144 ピ ン )

Rev8- 日本語版

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

詳細

2.3

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

概要

内蔵 Flash と SRAM 搭載 ARM

®

Cortex

TM

-M3 コ ア

ARM Cortex

TM

-M3 プ ロ セ ッ サは組込みシ ス テム向け ARM プ ロ セ ッ サの最新製品です。 ピ

ン数の削減 と 低消費電力に対応 し た MCU を実装する必要性があ る低価格プ ラ ッ ト フ ォ ー

ムに提供する こ と を目的に開発 さ れま し た。 また、 優れた計算機性能 と 割込みに対する高

機能な シ ス テム ・ レ スポ ン スが提供 さ れています。

ARM Cortex

TM

-M3 32bit RISC プ ロ セ ッ サは優れた コ ー ド 効率を特徴 と し 、 ARM コ アか ら の

高性能を提供 し ます。 8bit 及び 16bit デバイ ス並みの メ モ リ ・ サイ ズで ARM コ アに期待 さ

れている高性能を提供する こ と がで き ます。

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ には組込み向け ARM コ ア を搭載 し てお

り 、 そのため、 すべての ARM ツール と ソ フ ト ウ ェ アに互換性を持 っ ています。

図 1

はデバイ ス フ ァ ミ リ の一般的な ブ ロ ッ ク 図を示 し ています。

内蔵 Flash メ モ リ

最大 128Kbyte の内蔵 Flash メモリがプログラムとデータの保存のために搭載されています。

CRC (cyclic redundancy check : 巡回冗長検査 ) 演算ユニ ッ ト

CRC (cyclic redundancy check) 演算ユニ ッ ト は 32bit デー タ ・ ワー ド と 固定 さ れた生成多項

式か ら CRC コ ー ド を取得 し ます。

ア プ リ ケーシ ョ ン間において、 CRC ベースの技術はデー タ 転送やス ト レージの正当性を検

証する ために使用 さ れます。 また、 EN/IEC 60335-1 に よ り 、 こ の技術は Flash メ モ リ の正

当性を確認する ために使用 さ れます。 CRC 演算ユニ ッ ト は、 リ ン ク ・ タ イ ム時の リ フ ァ レ

ン ス符号の比較や提供 さ れた メ モ リ ロ ケーシ ョ ンの保存を行 う ために、 その実行で ソ フ ト

ウ ェ アの符号の計算を支援 し ます。

内蔵 SRAM

最大 20Kbyte の内蔵 SRAM は 0 ウ ェ イ ト ・ ス テー ト の CPU ク ロ ッ ク ・ ス ピー ド で ア ク セ

ス (読込み / 書込み) で き ます。

ネス ト 化 (階層) さ れたベ ク タ 割込み コ ン ト ロー ラ

(NVIC: Nested Vectored Interrupt Controller)

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン に内蔵 さ れている ネス ト 化 (階層) さ れたベ ク タ 割

込み コ ン ト ロー ラ は、 最大 43 のマス ク 可能な割込みチ ャ ネル (Cortex

TM

-M3 の 16 割込み

ラ イ ンは含まれない) と 16 の優先レ ベルを処理する こ と がで き ます。

密結合の NVIC は低遅延の割込みプ ロ セス を提供

割込みエ ン ト リ ・ ベ ク タ ・ テーブル ・ ア ド レ スは直接 コ アへパス

密結合の NVIC コ ア イ ン タ フ ェ ース

割込みの迅速な処理が可能

遅延優先割込み処理

テ イル-チ ェ イ ニ ン グ をサポー ト

プ ロ セ ッ サ ・ ス テー ト を自動的に保存

割込みエ ン ト リ は命令オーバーヘ ッ ド 無 し で割込みか ら リ ス ト ア

このハードウェア ・ ブロックは柔軟な割込み管理機能により最小の割込み遅延時間で済みます。

10/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 詳細

外部割込み / イ ベン ト コ ン ト ロー ラ (EXTI : External interrupt/event controller)

19 本のエ ッ ジ検出 ラ イ ン で構成 さ れてい る外部割込み / イ ベ ン ト ・ コ ン ト ロー ラ は、 割込

み / イ ベ ン ト ・ リ ク エ ス ト を生成する ために使用 さ れます。 それぞれのラ イ ンは ト リ ガ ・

イ ベ ン ト (立上 り エ ッ ジ、 立下 り エ ッ ジ、 両エ ッ ジ) を選択で き る よ う に独立 し て構成す

る こ と がで き、 個別にマス ク する こ と も 可能です。 ペンデ ィ ン グ ・ レ ジ ス タ に割込み リ ク

エ ス ト のス テー タ スが保持 さ れます。 EXTI は、 内部 APB2 ク ロ ッ ク周波数よ り 低いパルス

幅の外部ラ イ ン を検出する こ と が可能です。 最大 80 個の GPIO が 16 本の外部割込みラ イ

ン に接続 さ れています。

ク ロ ッ ク と ス タ ー ト ア ッ プ

シ ス テム ク ロ ッ クの選択はス タ ー ト ア ッ プ時に実行 さ れますが、 内部 RC 8MHz の発振器

が リ セ ッ ト 時に CPU ク ロ ッ ク のデ フ ォル ト と し て選択 さ れます。 外部か ら 4 ~ 16 MHz の

ク ロ ッ ク を選択する こ と がで き、 発振状態を監視する こ と が可能です。 発振を検出する

と 、 シ ス テムは内部 RC 発振器へ戻る ために自動的にス イ ッ チ し ます。 また、 イ ネーブル

の場合は ソ フ ト ウ ェ ア割込みが生成 さ れます。 同様に、 PLL ク ロ ッ ク ・ エ ン ト リ の割込み

管理は必要に応 じ て利用する こ と がで き ます。 (例えば、 間接的に使われた外部 ク リ ス タ

ル、 発振子、 発振器の故障な ど )

複数のプ リ スケー ラ は、 AHB 周波数、 高速 APB(APB2)、 低速 APB (APB1) ド メ イ ン を構

成する こ と がで き ます。 AHB と 高速 APB ド メ イ ンの最大周波数は 72MHz で、 低速 APB ド

メ イ ンの最大周波数は 36MHz にな り ます。 ク ロ ッ ク 構成図についての詳細は

図 2

を参照

し て く だ さ い。

ブー ト ・ モー ド

ス タ ー ト ア ッ プ時、 ブー ト ピ ンは 3 つのブー ト ・ オプ シ ョ ンの 1 つ を選択する ために使わ

れます。 :

ユーザ Flash か らのブー ト

シ ス テム メ モ リ か ら のブー ト

内蔵 SRAM か ら のブー ト

ブー ト ・ ローダはシ ス テム メ モ リ に配置 さ れて ます。 USART1 を使用する こ と に よ り Flash

メ モ リ を再プ ロ グ ラ ムするのに使われます。 詳細に関 し ては AN2606 を参照 し て く だ さ い。

電源供給

V

DD

= 2.0 ~ 3.6 V : I/O と 内部レギ ュ レ ー タ に対する外部電源供給

V

DD

ピ ンか ら 外部経由で電源供給 し ます。

V

SSA、

V

DDA

合、 V

DDA

= 2.0 ~ 3.6 V : ADC、 リ セ ッ ト ・ ブ ロ ッ ク 、 RC、 PLL (ADC を使用する場

へ印加 さ れる最小限の電圧は 2.4 V) に対する外部アナ ロ グ電源供給

V

DDA

と V

SSA

は、 それぞれ V

DD

と V

SS

に接続する必要があ り ます。

V

BAT

= 1.8 ~ 3.6 V : V

DD

が供給 さ れていない場合の RTC、 外部 ク ロ ッ ク 32 kHz オシ

レ ー タ 及びバ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ (パワー ・ ス イ ッ チ経由で) についての電源供給

電源ピ ンの接続についての詳細は

図 11: 電源供給図

を参照 し て く だ さ い。

電源供給監視

こ のデバイ スには、 統合 さ れたパワー ・ オ ン ・ リ セ ッ ト (POR)/ パワー ・ ダウ ン ・ リ セ ッ

ト (PDR) の回路が搭載 さ れています。 通常はア ク テ ィ ブ で、 2V か ら の正 し い動作を確実

に開始 し ます。 V

DD

は V

POR/PDR

の指定 さ れたス レ シ ョ ル ド 以下にな る場合は、 外付けの リ

セ ッ ト 回路を必要 と する こ と な く リ セ ッ ト ・ モー ド を維持 し ます。

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参考資料

詳細

注意

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

デバイ スには V

DD

/V

DDA

電源供給を監視や V

DD

と V

PVD

ス レ シ ョ ル ド を比較する プ ロ グ ラ

ム可能な電圧検出器 (PVD : Programmable voltage detector) が内蔵 さ れています。

V

DD

/V

DDA

合、 V

DD

が V

PVD

/V

DDA

を下回る、 及び / または、 V

DD

/V

DDA

が V

PVD

ス レ シ ョ ル ド を上回る場

に割込みを生成する こ と が可能です。 割込みサービ ス ・ ルーチ ンはその後、

警告 メ ッ セージ を出 し 、 及び / または、 MCU を セー フ ・ ス テー ト に し ます。 PVD は ソ フ

ト ウ ェ アに よ り イ ネーブルにな り ます。

V

POR/PDR

及び V

PVD

照 し て く だ さ い。

の値については、

表 10: 内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク特性

を参

電圧レギ ュ レー タ

レギ ュ レ ー タ には、 メ イ ン (MR)、 低電力 (LPR)、 パワーダウ ンの 3 つのオペ レ ーシ ョ ン

モー ド があ り ます。

MR は Run モー ド で使用

LPR は STOP モー ド で使用

パワー ・ ダウ ンは STANDBY モー ド で使用 : レギ ュ レ ー タ 出力はハイ ・ イ ン ピーダ ン

ス : 消費電力 0 で カ ーネル回路はパワー ・ ダウ ン し ます。 (レ ジ ス タ と SRAM の内容

は消失)

こ のレ ギ ュ レー タ は、 リ セ ッ ト 後は常に イ ネーブル と な り ます。 STANDBY モー ド では

デ ィ セーブルにな り 、 ハイ ・ イ ン ピーダ ン ス出力が提供 さ れます。

低電力モー ド

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンは、 低消費電流、 シ ョ ー ト ・ ス タ ー ト ア ッ プ時間、

ウ ェ ー ク ア ッ プ ・ ソ ースの対応について、 最適な状態を達成する ために 3 つの低電力モー

ド をサポー ト し ます :

SLEEP モー ド

SLEEP モー ド では、 CPU のみが停止 し ます。 すべてのペ リ フ ェ ラルは動作を続けま

すが、 割込み / イ ベ ン ト が発生 し た と き に CPU を ウ ェ ー ク ア ッ プ で き ます。

STOP モー ド

STOP モー ド は、 SRAM と レ ジ ス タ の内容を保持 し ている間、 最 も低い消費電力を実

現 し ます。 1.8V ド メ イ ン ですべての ク ロ ッ ク は停止 し 、 PLL、 HSI RC、 HSE 水晶発振

子はデ ィ セーブルにな り ます。 電圧レ ギ ュ レ ー タ は ノ ーマルモー ド か低消費モー ド の

ど ち らかにする こ と がで き ます。

デバイ スはいずれかの EXTI ラ イ ン に よ り STOP モー ド から ウ ェ ー ク ア ッ プする こ と

がで き ます。 EXTI ラ イ ンの ソ ースは、 16 の外部 ラ イ ン、 PVD 出力、 RTC ア ラ ーム、

USB ウ ェ ー ク ア ッ プの 1 つにな り ます。

STANDBY モー ド

STANDBY モー ド は、 最 も 低い消費電力にな り ます。 1.8V ド メ イ ン全体が電源を切 ら

れる よ う に、 内部電圧レギ ュ レ ー タ はス イ ッ チ ・ オ フ さ れます。 また、 PLL、 HSI RC、

HSE 水晶発振子 も ス イ ッ チ ・ オ フ さ れます。 STANDBY モー ド に入る と 、 SRAM と レ

ジ ス タ の内容はバ ッ ク ア ッ プ領域 と STANDBY 回路についてのレ ジ ス タ を除いて失わ

れます。

デバイ スは外部 リ セ ッ ト (NRST ピ ン)、 IWDG リ セ ッ ト 、 WKUP ピ ン上での立上が り

エ ッ ジ、 も し く は RTC ア ラ ームが発生する場合、 STANDBY モー ド か ら終了 し ます。

RTC、 IWDG と 対応する ク ロ ッ ク ・ ソ ースは、 STOP または STANDBY モー ド に入っ て も停

止する こ と はで き ません。

12/84 Rev8- 日本語版

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STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 詳細

DMA

フ レキシ ブルな 7 チ ャ ネルの汎用 DMA は、 メ モ リ - メ モ リ 間、 ペ リ フ ェ ラ ル- メ モ リ 間、

メ モ リ -ペ リ フ ェ ラ ル間の転送を管理する こ と がで き ます。 コ ン ト ロー ラ が転送を し てい

て、 バ ッ フ ァ の終わ り ま で来る と 発生する割込みを避ける ために、 DMA コ ン ト ロー ラ は循

環バ ッ フ ァ をサポー ト し ます。

各々のチ ャ ネルは、 各々のチ ャ ネル上の ソ フ ト ウ ェ ア ・ ト リ ガ をサポー ト し 、 専用のハー

ド ウ ェ ア DMA リ ク エ ス ト に接続 し ています。 構成は ソ フ ト ウ ェ アに よ っ て行われ、 転送

元 と 転送先の間の転送サイ ズは独立 し ています

DMA は、 SPI、 I 2 C、 USART、 汎用及び高機能制御 タ イ マ TIMx と ADC の メ イ ン ・ ペ リ フ ェ

ラルで使 う こ と がで き ます。

RTC (Real-Time Clock) と バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ

RTC と バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ は V

DD

イ ッ チ を通 し て供給 さ れます。 V

DD

電源か V

BAT

ピ ンのど ち らかの電源を供給する ス

電源が提供 さ れていない場合は、 バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ

ス タ は 20 byte のユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン ・ デー タ を保存する ために 10 個の 16bit レ ジ

ス タ を使用する こ と がで き ます。

リ アル タ イ ム ・ ク ロ ッ クは、 時計カ レ ン ダ機能を提供する適切な ソ フ ト ウ ェ ア を使用する

こ と がで き る連続的に動作する カ ウ ン タ のセ ッ ト を提供 し 、 ア ラ ーム割込み と 定期的な割

込みを提供 し ます。 そのク ロ ッ ク 出力は 32.768 kHz 外部 ク リ ス タ ル、 発振子 も し く は発振

器で行われ、 内部低電力 RC 発振器 も し く は高速外部 ク ロ ッ クは 128 で分割 さ れます。 内

部低電力 RC は 40 kHz 標準周波数を持 っ ています。 RTC は、 通常の ク リ ス タ ルの偏差を補

償する ために外部 512 Hz 出力を使 っ て較正する こ と がで き ます。 RTC は、 比較レ ジ ス タ

がア ラ ームを生成するのに使用する長時間測定について、 32bit のプ ロ グ ラ マ ブル ・ カ ウ ン

タ を持 っ ています。 20bit プ リ スケー ラ は時間ベースの ク ロ ッ ク に使用 さ れ、 32.768 kHz の

ク ロ ッ ク から 1 秒ベースの時間を生成するデ フ ォ ル ト 構成にな っ ています。

独立型ウ ォ ッ チ ド ッ ク

独立型ウ ォ ッ チ ド ッ グは、 12bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ と 8bit プ リ スケー ラ を基本 と し ていま

す。 こ の独立型ウ ォ ッ チ ド ッ グは 40kHz の内部 RC か らの ク ロ ッ ク で動作 し 、 メ イ ン ・ ク

ロ ッ ク か ら独立 し て動作 し ます。 また、 STOP と STANDBY モー ド で動作する こ と がで き

ます。 問題が発生 し た場合には、 デバイ ス を リ セ ッ ト する ウ ォ ッ チ ド ッ グ と し て使用する

か、 も し く はア プ リ ケーシ ョ ンが タ イ ム ・ アウ ト 管理のために フ リ ー ・ ラ ン ニ ン グ ・ タ イ

マ と し て使用する こ と が可能です。 それは、 オプ シ ョ ン ・ バイ ト を使用 し て、 ハー ド ウ ェ

ア も し く は ソ フ ト ウ ェ ア で設定する こ と がで き ます。 カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時に

は停止する こ と がで き ます。

Window 型ウ ォ ッ チ ド ッ ク

Window 型ウ ォ ッ チ ド ッ グは、 フ リ ー ・ ラ ン ニ ン グ と し て設定する こ と がで き る 7bit ダウ

ン ・ カ ウ ン タ を基本 と し ています。 問題が発生 し た場合に、 デバイ ス を リ セ ッ ト する

ウ ォ ッ チ ド ッ グ と し て使用する こ と がで き ます。 それは、 メ イ ン ・ ク ロ ッ ク か ら の ク ロ ッ

ク で動作 し ます。 また、 早期ワーニ ン グ割込み機能を持 っ てお り 、 カ ウ ン タ はデバ ッ グ ・

モー ド 時には停止する こ と がで き ます。

SysTick タ イ マ

こ の タ イ マは OS 用で標準ダウ ン ・ カ ウ ン タ と し て使用する こ と がで き ます。

Rev8- 日本語版

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詳細 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

機能は以下の と お り です。 :

24bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ

自動再ロー ド 機能

カ ウ ン タ が 0 にな る と マ ス ク 可能な シ ス テム割込みを生成

プ ロ グ ラ マ ブル ・ ク ロ ッ ク ・ ソ ース

汎用 タ イ マ (TIMx)

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンのデバイ スには最大 3 個の同期型汎用 タ イ マが内蔵

さ れます。 こ れ ら の タ イ マは 16bit 自動再ロー ド ・ ア ッ プ / ダウ ン ・ カ ウ ン タ 、 16bit プ リ

スケー ラ を基本 と し 、 入力キ ャ プ チ ャ / 出力比較、 PWM、 単一パルス ・ モー ド 出力につい

て、 それぞれ 4 つの独立 し たチ ャ ネルを持 っ ています。 こ れ ら の機能は、 最 も大き なパ ッ

ケージ では最大 12 の入力キ ャ プ チ ャ / 出力比較 /PWM が提供 さ れています。 こ れ ら は、

同期またはイ ベ ン ト ・ チ ェ イ ニ ン グのために タ イ マ ・ リ ン ク機能を経由 し て高機能制御 タ

イ マ と と も に動作する こ と がで き ます。

カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時には停止する こ と がで き ます。

い く つかの標準 タ イ マは PWM 出力を生成する ために使 う こ と がで き ます。 それぞれの タ

イ マは個別に DMA リ ク エ ス ト を生成 し ます。

高機能制御 タ イ マ (TIM1 : Advanced-control timer)

高機能制御 タ イ マ (TIM1) は、 6 チ ャ ネル上に三相 PWM マルチ プ レ ク サ と し て構成 さ れ、

デ ッ ド ・ タ イ マが内蔵 さ れてい る プ ロ グ ラ ム可能で補完的な PWM 出力を持 っ ています。

また、 完全な汎用 タ イ マ と し て使 う こ と も 可能です。 4 つの独立 し たチ ャ ネルは、 以下の

機能が使用で き ます。

入力キ ャ プ チ ャ

出力比較

PWM 生成 ( エ ッ ジ も し く はセ ン タ ア ラ イ ン ・ モー ド )

単一パルス モー ド 出力

標準 16bit タイマとして構成する場合は、 TIMx タイマと同じ機能を持っています。 16bit PWM 生

成器として構成する場合、 最大限の変調機能を使用することができます。 (0 ~ 100%)

カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時には停止する こ と がで き ます。

多 く の特長が、 同 じ アーキテ ク チ ャ を持 っ た標準的な TIM タ イ マの機能 と 共有 し ていま

す。 そのため、 高機能制御 タ イ マは、 同期またはイ ベ ン ト ・ チ ェ イ ニ ン グのために タ イ マ ・

リ ン ク 機能を通 し て TIM タ イ マ と と も に動作する こ と がで き ます。

I

2

C バス

最大 2 個の I

2

C バス ・ イ ン タ フ ェ ースは、 マルチマ ス タ ・ モー ド 及びス レーブ ・ モー ド で

動作する こ と がで き、 標準モー ド 、 高速モー ド をサポー ト し ています。

こ のイ ン タ フ ェ ースはデ ュ アル ・ ス レ ーブ ・ ア ド レ ッ シ ン グ (7bit のみ ) 及びマ ス タ ・ モー

ド で、 7/10bit ア ド レ ッ シ ン グ をサポー ト し 、 ハー ド ウ ェ ア CRC 生成 / 検証機能を内蔵 し

ています。

こ れ ら は DMA に よ り 動作 し 、 SM Bus 2.0/PM Bus をサポー ト し ています。

USART (Universal synchronous/asynchronous receiver transmitter)

USART イ ン タ フ ェ ースの 1 つは最大 4.5 Mbit/s で通信を行 う こ と がで き ます。 その他のイ

ン タ フ ェ ースは最大 2.25Mbit/s で通信を行 う こ と がで き ます。 こ れ らは CTS 及び RTS 信

号のハー ド ウ ェ ア管理機能を内蔵 し ている ため、 IrDA SIR ENDEC サポー ト 、 ISO7816 互換、

LIN マ ス タ / ス レーブ互換機能を持 っ ています。

14/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 詳細

すべての USART イ ン タ フ ェ ースは DMA コ ン ト ロー ラ に よ り 動作 さ せる こ と がで き ます。

SPI (Serial peripheral interface )

最大 2 個の SPI は、 全二重及び単方向通信モー ド で ス レ ーブ及びマ ス タ ・ モー ド は最大 18

Mbits/s の速度で通信する こ と がで き ます。 3bit プ リ スケー ラ は 8 個のマ ス タ ・ モー ド 周波

数を提供 し 、 フ レームは 8bit も し く は 16bit で構成する こ と がで き ます。 また、 ハー ド

ウ ェ ア CRC 生成 / 検証機能は基本的な SD カ ー ド /MMC モー ド をサポー ト し ています。

両方の SPI は DMA コ ン ト ロー ラ で動作 さ せる こ と がで き ます。

CAN (Controller area network)

CAN は、 ビ ッ ト レ ー ト が最大 1 Mbit/s の仕様書 2.0A と B ( ア ク テ ィ ブ ) に準拠 し てい

ます。 11bit の ID を持つ標準 フ レ ーム と 29bit の ID を持つ拡張 フ レ ームで送受信する こ と

がで き ます。 3 つのス テージ と 14 のスケー ラ ブル ・ フ ィ ル タ ・ バン ク を持 っ た 2 つの受信

FIFO を搭載 し ています。

USB (Universal serial bus)

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンは、 USB フ ルス ピー ド 12 Mbs に互換の USB デバイ

ス ・ ペ リ フ ェ ラ ルを内蔵 し ています。 USB イ ン タ フ ェ ースは、 Full Speed(12 Mbit/s) の

フ ァ ン ク シ ョ ン ・ イ ン タ フ ェ ースが実装 さ れ、 ソ フ ト ウ ェ ア で構成がで き る エ ン ド ポ イ ン

ト 設定やサスペ ン ド / レ ジ ュ ームがサポー ト さ れています。 また、 理想的な 48 MHz ク ロ ッ

ク ・ ソ ースが内部 メ イ ン PLL よ り 生成 さ れています。 ( ク ロ ッ ク ・ ソ ースは HSE 水晶発振

子を使用 し なければな り ません。)

GPIO (general-purpose inputs/outputs)

それぞれの GPIO ピ ンは、 出力 (プ ッ シ ュ プル も し く はオープ ン ・ ド レ イ ン)、 入力 (プル

ア ッ プ も し く はプルダウ ン あ り 、 無 し )、 も し く はペ リ フ ェ ラル ・ オル タ ネー ト 機能 と し

て、 ソ フ ト ウ ェ アに よ り 構成する こ と がで き ます。 ほ と んどの GPIO ピ ンはデジ タ ル と ア

ナ ロ グのオル タ ネー ト 機能を共有 し ます。 すべての GPIO はアナ ロ グ入力以外については

大電流対応にな り ます。

I/O オル タ ネー ト 機能の構成は、 I/O レ ジ ス タ への不正な書き込みを避ける ために、 特定

シーケ ン ス を実行後に必要に応 じ て ロ ッ ク する こ と がで き ます。

最大 18 MHz の ト グル速度で APB2 上の I/O にな り ます。

ADC ( アナ ログ-デジ タ ル ・ コ ンバー タ )

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンのデバイ スに内蔵 さ れている 2 個の 12bit ADC (ア

ナ ロ グ ‐ デジ タ ル ・ コ ンバー タ ) は、 それぞれの ADC に最大 16 外部チ ャ ネルを持ち、 シ

ン グル ・ シ ョ ッ ト も し く はスキ ャ ン ・ モー ド で変換を実行 し ます。 スキ ャ ン ・ モー ド の自

動変換はアナ ロ グ入力が選択 さ れたグループ上で実行 さ れます。

ADC イ ン タ フ ェ ースには以下のロ ジ ッ ク機能が内蔵 さ れています。 :

同時サン プル&ホール ド

不連続サン プル&ホール ド

シ ン グル ・ シ ャ ン ト

ADC は、 DMA コ ン ト ロー ラ に よ り 動作 さ せる こ と がで き ます。

アナ ロ グ ・ ウオ ッ チ ド ッ グ機能は、 1 チ ャ ネル、 複数チ ャ ネル、 すべてのチ ャ ネルの選択

さ れたチ ャ ネルの変換電圧を正確に監視 し ます。 割込みは、 変換電圧がプ ロ グ ラ ム さ れた

ス レ シ ョ ル ド 外の場合に生成 さ れます。

Rev8- 日本語版

15/84

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

詳細 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

標準 タ イ マ (TIMx) と 高機能制御 タ イ マ (TIM1) に よ り 生成 さ れた イ ベン ト は、 それぞれ、

ADC ス タ ー ト ・ ト リ ガ、 供給 ト リ ガ、 DMA ト リ ガに内部的に接続する こ と がで き、 ア プ

リ ケーシ ョ ンが A/D 変換 と タ イ マに同期する こ と を許可 し ます。

温度セ ンサ

温度セ ンサは、 温度の変化に対応 し て リ ニ ア な電圧を生成 し ます。 その変換範囲は 2 V <

V

DDA

< 3.6 V 間にな り ます。 温度セ ンサは、 セ ンサ出力電圧をデジ タ ル値へ変換する ため

に使われる ADC_IN16 入力チ ャ ネルへ内部的に接続 さ れています。

シ リ アル ・ ワ イヤ JTAG デバ ッ グ ・ ポー ト (SWJ-DP: Serial WireJTAG Debug Port)

ARM SWJ-DP イ ン タ フ ェ ースが内蔵 さ れてお り 、 シ リ アル ・ ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ も し く は

JTAG プ ローブのど ち らかを タ ーゲ ッ ト に接続する こ と を可能にする JTAG と シ リ アル ・

ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ ・ ポー ト の組み合わせにな り ます。 JTAG TMS と TCK ピ ンはそれぞれ

SWDIO と SWCLK と 共有 さ れ、 TMS ピ ンの特定のシーケ ン スは JTAG-DP と SW-DP の間で

ス イ ッ チ し て使われます。

16/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 1.

STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク 図

TRACECLK

TRACED[0:3]

(AS)

JNRST

JTDI

JTCK/SWCLK

JTMS/SWDIO

JTDO

(AF)

TPIU

SW / JTAG

トレース/トリガ

Cortex-M3 CPU

F max

: 7 2 M H z pbus

Dbus

Ibus

トレース

インタフェース

Flash12 8 KB

64 bit

NRST

VDDA

VSSA

80AF

PA[ 15:0]

PB[ 15:0]

PC[ 15:0]

PD[15:0]

PE [15:0]

NVIC

GP DMA

7チャネル

@ VDDA

電源監視

POR / PDR

EXTI

WAKEUP

GPIOA

PVD

GPIOB

GPIOC

GPIOD

GPIOE

System

リセット

割込み

AHB2

APB2

電源

電圧レギュレータ

3.3V∼ 1.8V

@ VDD

SRAM

20 KB

@ VDD

PCLK1

PCLK2

HC LK

FC LK

RC 8 MHz

RC 40 kHz

@ VDDA

PLL &

CLOCK

MANAGT

AHB2

APB1

XTAL OSC

4-16 MHz

IWDG

Stand by

インタフェース

@ VBAT

XT AL 32 kHz

RTC

AWU

バックアップ

レジスタ

バックアップインタフェース

TIM2

TIM3

TIM 4

USART2

USART3

4チャネル

3 co mpl. チャネル

Brk入力

MOSI,MIS O,

RX ,TX, CT S , R TS,

Smart C ard(AF)

16AF

V

RE F+

V

RE F-

TIM1

SPI 1

USART1

@ VDDA

12bit ADC 1 IF

12bit ADC 2

2x(8x16bit)

SPI2

I2C1

I2C2 bxCAN

USB2 .0F S

SRAM 512B

W W D G

温度センサ

V

DD

= 2 ∼ 3.6V

V

SS

OSC _ IN

OSC _ OUT

V

BAT

OS C 32_IN

OS C32_OUT

TAMPER - RTC

4 チャネル

4チャネル

4 チャネル

RX, TX, CTS , RT S,

CK, S mart Card (AF)

RX ,TX , CT S , R TS,

CK, S mart Card (AF)

MOS I,MIS O,S C K ,NS S

(AF)

S CL,SDA ,SMBA L

(AF)

SCL ,SDA

(AF)

USBDP /CANTX

USBDM / CANRX ai14390b

1. T

A

= -40 ℃ ~ +105 ℃ ( 最大 +125 ℃のジ ャ ン ク シ ョ ン温度)

2. AF = I/O ポー ト ピ ン上のオル タ ネー ト 機能

詳細

Rev8- 日本語版

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参考資料

詳細 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 2.

OSC _OUT

OS C _IN

OSC32_ IN

OSC32_OUT

MCO

ク ロ ッ ク構成図

8 MHz

HSI RC

PLLSRC

4-16 MHz

HSEOSC

HSI

PLLMUL

..., x16 x2, x3, x 4

PLL

/2

PLLXTPRE

HSI

PLL CL K

HSE

SW

CSS

SYSLK

72 MH z

max

USB

プリスケーラ

/1, 1.5

AHB

プリスケーラ

/1, 2..512

48 MHz

USBCLK

からのUS Bインタフェース

72 MHz max

/8

クロック

イネーブル(3 bits)

HCLK から

コアメモリ

およびメモリへ

Cortexシステムタイマへ

APB 1

プリスケーラ

/1, 2, 4, 8, 16

FCL K Cortex

フリーラン・クロック

36 MHz max PCLK 1

APB 1

ペリフェラルへ

ペリフェラル・クロック

イネーブル(13bits)

TIM 2, 3, 4

If (APB 1プリスケーラ =1) x1 else x2

TIM2, 3,4

TIMXCLK

ペリフェラル・クロック

イネーブル(3bits)

APB 2

プリスケーラ

/1, 2, 4, 8, 16

72 MHz max

ペリフェラル・クロック

PCLK 2

APB 2

ペリフェラルへ

/2

LSE OSC

32.768 kHz

/128

LSE

RTC CL K

RTC へ

TIM1

タイマ

If (APB 2 プリスケーラ =1) x1 else x2

T IM1へ

TIM1CLK

ペリフェラル・クロック

ADC

プリスケーラ

/2, 4, 6, 8

ADC CLK

ADCへ

RTC S E L[1:0]

LSI RC

40 kHz

LSI

IWDG CLK

凡例:

HSI = high-speed internal clock signal  高速内部クロック信号

LSI = low-speed internal clock signal   低速内部クロック信号

LSE = low-speed external clock signal 低速外部クロック信号

メイン

クロック出力

MCO

/2

PLLCLK

HSI

HSE

S YSCL K ai14903

1. PLL クロック入力として HSI を使用する場合、 最大システム ・ クロック周波数を 64 MHz に出来ます。

2. USB 機能を使用するには、 48 MHz も し く は 72 MHz で CPU を動作 さ せなが ら HSE と PLL を イ

ネーブルにする必要があ り ます。

3. 1μs の ADC 変換時間のためには、 APB2 を 14MHz、 28MHz、 56MHz にする必要があ り ます。

18/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

3 ピ ンの詳細

図 3.

1

STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン BGA100 ボール配置

2 3 4 5 6 7 8

ピ ンの詳細

9 10

A

PC14-

PC13-

OSC32_IN

TAMPER-RTC

PE2

B

PC15-

OSC32_OUT

VBAT PE3

PB9 PB7

PB8 PB6

PB4 PB3 PA15 PA14 PA13

PD5 PD2 PC11

PC10 PA12

C OSC_IN VSS_5 PE4 PE1 PB5 PD6 PD3 PC12 PA9 PA11

D OSC_OUT VDD_5 PE5 PE0 BOOT0 PD7 PD4 PD0

PA8 PA10

E NRST

PCD

PE6 VSS_4 VSS_3 VSS_2 VSS_1 PD1

PC9 PC7

F

PC0 PC1 PC3

VDD_4 VDD_3 VDD_2 VDD_1 NC

PC8 PC6

G VSSA

PA0-WKUP PA4 PC4

PB2 PE10 PE14 PB15

PD11 PD15

H VREF–

PA1 PA5 PC5

PE7 PE11 PE15 PB14

PD10 PD14

J VREF+ PA2 PA6 PB0 PE8 PE12 PB10 PB13

PD9 PD13

K

VDDA PA3 PA7 PB1 PE9 PE13 PB11 PB12 PD8 PD12

AI16001b

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参考資料

ピ ンの詳細

図 4.

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP100 ピ ン配置

PE2

PE3

PE4

PE5

PE6

VBAT

PC13-TAMPER-RTC

PC14-OSC32_IN

PC15-OSC32_OUT

VSS_5

VDD_5

OSC_IN

OSC_OUT

NRST

PC0

PC1

PC2

PC3

VSSA

VREF-

VREF+

VDDA

PA0-WKUP

PA1

PA2

18

19

20

21

22

23

24

25

12

13

14

15

16

17

7

8

9

10

11

4

5

6

1

2

3

LQFP100

PC9

PC8

PC7

PC6

PD15

PD14

PD13

PD12

PD11

PD10

PD9

VDD_2

VSS_2

NC

PA 13

PA 12

PA 11

PA 10

PA 9

PA 8

PD8

PB15

PB14

PB13

PB12

58

57

56

55

54

53

52

51

64

63

62

61

60

59

69

68

67

66

65

75

74

73

72

71

70 ai14391

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 5.

STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP64 ピ ン配置

VBAT

PC13-TAMPER-RTC

PC14-OSC32_IN

PC15-OSC32_OUT

PD0 OSC_IN

PD1 OSC_OUT

NRST

PC0

PC1

PC2

PC3

VSSA

VDDA

PA0-WKUP

PA1

PA2

4

5

1

64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49

48

2

47

3 46

45

44

6

7

43

42

8

9

10

11

12

LQFP64

41

40

39

38

37

13

14

36

35

15

16

17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

34

33

29 30 31 32

VDD_2

VSS_2

PA13

PA12

PA11

PA10

PA9

PA8

PC9

PC8

PC7

PC6

PB15

PB14

PB13

PB12 ai14392

図 6.

STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP48 ピ ン配置

ピ ンの詳細

VBAT

PC13-TAMPER-RTC

PC14-OSC32_IN

PC15-OSC32_OUT

PD0-OSC_IN

PD1-OSC_OUT

NRST

VSSA

VDDA

PA0-WKUP

PA1

PA2

1

2

3

48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37

36

35

34

4

5

33

32

6 LQFP48 31

7

30

8

29

9

28

10

27

11

12

13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

26

25

VDD_2

VSS_2

PA13

PA12

PA11

PA10

PA9

PA8

PB15

PB14

PB13

PB12 ai14393b

Rev8- 日本語版

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参考資料

ピ ンの詳細

図 7.

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン VFQFPN36 ピ ン配置

V

DD_3

OSC_IN/PD0

OSC_OUT/PD1

NRST

V

SSA

V

DDA

PA0-WKUP

PA1

PA2

1

36 35 34 33 32 31 30 29 28

27

2

26

3

4

25

24

QFN36

5

23

6

7

22

21

20

8

9

19

10 11 12 13 14 15 16 17 18

V

DD_2

V

SS_2

PA13

PA12

PA11

PA10

PA9

PA8

V

DD_1 ai14654

22/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB ピ ンの詳細

表 4.

ピ ンの定義

ピ ン

ピ ン名

(1)

I/O

(2)

主機能

(3)

( リ セ ッ ト 後)

A3

B3

C3 -

D3 -

E3

B2

A2

J1

K1

-

-

-

1

2

A1 3

B1 4

C2 -

D2 -

C1 5

D1 6

E1 7

F1 -

6 13 3

7 14 4

8 15 -

F2 9 16 -

E2 10 17 -

F3 11 18 -

H1 -

-

9

-

-

-

-

-

1

2

5

-

-

3 -

4 -

-

PE2

PE3

PE4

PE5

PE6

3

4

1

2

-

-

5

6

7

-

-

V

BAT

PC13-TAMPER-

RTC

(4)

8 PC14-OSC32_IN

(4)

9 PC15-OSC32_OUT

(4)

10

11

12

-

-

2

V

SS_5

V

DD_5

OSC_IN

S

I/O

I/O

I/O

S

S

I

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

G1 8 12 19 5

-

-

13

20

21

22

-

-

6

OSC_OUT

NRST

PC0

PC1

PC2

PC3

V

SSA

V

REF-

V

REF+

V

DDA

O

I/O

I/O

I/O

I/O

I/O

S

S

S

S

PE2

PE3

PE4

PE5

PE6

V

BAT

PC13

(5)

PC14

(5)

PC15

(5)

V

SS_5

V

DD_5

OSC_IN

OSC_OUT

NRST

PC0

PC1

PC2

PC3

V

SSA

V

REF-

V

REF+

V

DDA

G2 10 14 23 7

H2 11 15 24 8

J2 12 16 25 9

PA0-WKUP

PA1

PA2

I/O

I/O

I/O

PA0

PA1

PA2

オル タ ネー ト 機能

デ フ ォル ト

TRACECK

TRACED0

TRACED1

TRACED2

TRACED3

TAMPER-RTC

OSC32_IN

OSC32_OUT

ADC12_IN10

ADC12_IN11

ADC12_IN12

ADC12_IN13

WKUP/USART2_CT

S

(6)

/

ADC12_IN0/

TIM2_CH1_ETR

(6)

USART2_RTS

(6)

/

ADC12_IN1/

TIM2_CH2

(6)

USART2_TX

(6)

/

ADC12_IN2/

TIM2_CH3

(6)

リ マ ッ プ

( 再配置)

Rev8- 日本語版

23/84

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

ピ ンの詳細 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 4.

ピ ンの定義 (続き)

ピ ン

K2 13 17 26 10

E4 18 27 -

F4 19 28 -

G3 14 20 29 11

H3 15 21 30 12

J3 16 22 31 13

K3 17 23 32 14

G4 24 33

H4 25 34

J4 18 26 35 15

K4 19 27 36 16

G5 20 28 37 17

H5 -

J5 -

K5 -

-

-

-

38

39

40

-

-

-

G6 -

H6 -

J6 -

K6 -

G7 -

H7 -

-

-

-

41

42

43

-

-

-

44 -

45 -

46 -

J7 21 29 47 -

K7 22 30 48 -

ピ ン名

PA3

V

SS_4

V

DD_4

PA4

PA5

PA6

PA7

PC4

PC5

PB0

PB1

PB2 / BOOT1

PE7

PE8

PE9

PE10

PE11

PE12

PE13

PE14

PE15

PB10

PB11

(1)

I/O

(2)

主機能

(3)

( リ セ ッ ト 後)

オル タ ネー ト 機能

デ フ ォル ト

I/O PA3

USART2_RX

(6)

/

ADC12_IN3/

TIM2_CH4

(6)

S

S

V

SS_4

V

DD_4

I/O

I/O

I/O

I/O

I/O

I/O

I/O

PA4

PA5

PA6

PA7

PC4

PC5

PB0

I/O PB1

I/O FT PB2/BOOT1

I/O FT

I/O FT

I/O FT

PE7

PE8

PE9

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

PE10

PE11

PE12

PE13

PE14

PE15

I/O FT PB10

I/O FT PB11

I2C2_SCL/

USART3_TX

(6) (6)

I2C2_SDA/

USART3_RX

(6)(6)

SPI1_NSS

(6)

USART2_CK

/

(6)

/

ADC12_IN4

SPI1_SCK

(6)

/

ADC12_IN5

SPI1_MISO

(6)

/

ADC12_IN6/

TIM3_CH1

(6)

SPI1_MOSI

(6)

/

ADC12_IN7/

TIM3_CH2

(6)

ADC12_IN14

ADC12_IN15

ADC12_IN8/

TIM3_CH3

(6)

ADC12_IN9/

TIM3_CH4

(6)

リ マ ッ プ

( 再配置)

TIM1_BKIN

TIM1_CH1N

TIM1_CH2N

TIM1_CH3N

TIM2_CH4

TIM1_ETR

TIM1_CH1N

TIM1_CH1

TIM1_CH2N

TIM1_CH2

TIM1_CH3N

TIM1_CH3

TIM1_CH4

TIM1_BKIN

TIM2_CH3

24/84 Rev8- 日本語版

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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 4.

ピ ンの定義 (続き)

ピ ン

ピ ン名

E7 23 31 49 18

F7 24 32 50 19

K8 25 33 51 -

J8 26 34 52 -

H8 27 35 53 -

G8 28 36 54 -

K9 -

J9 -

H9 -

G9 -

-

-

-

-

55

56

57

58

-

-

-

-

K10 59 -

J10 60 -

H10 -

G10 -

-

-

61

62

-

-

F10 37 63 -

E10

F9

38

39

64

65

-

-

E9 40 66 -

D9 29 41 67 20

C9 30 42 68 21

D10 31 43 69 22

C10 32 44 70 23

V

SS_1

V

DD_1

PB12

PB13

PB14

PD12

PD13

PD14

PD15

PC6

PC7

PC8

PC9

PA8

PB15

PD8

PD9

PD10

PD11

PA9

PA10

PA11

ピ ンの詳細

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

S

S

(1)

I/O

(2)

主機能

(3)

( リ セ ッ ト 後)

V

SS_1

V

DD_1

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

PB12

PB13

PB14

PB15

オル タ ネー ト 機能

デ フ ォル ト

SPI2_NSS

(6)

I2C2_SMBAl

/

(6)

/

USART3_CK

(6)(6)

/

TIM1_BKIN

(6)

SPI2_SCK

USART3_CTS

(6)

/

(6)(6)

TI

M1_CH1N

(6)

SPI2_MISO

(6)

USART3_RTS

/

(6)(6)

TIM1_CH2N

(6)

SPI2_MOSI

(6)

/

TIM1_CH3N

(6)

リ マ ッ プ

( 再配置)

PD8

PD9

PD10

PD11

PD12

PD13

PD14

PD15

PC6

PC7

PC8

PC9

USART3_TX

USART3_RX

USART3_CK

USART3_CTS

TIM4_CH1 /

USART3_RTS

TIM4_CH2

TIM4_CH3

TIM4_CH4

TIM3_CH1

TIM3_CH2

TIM3_CH3

TIM3_CH4

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

PA8

PA9

PA10

PA11

USART1_CK/

TIM1_CH1

(6)

/MCO

USART1_TX

(6)

/

TIM1_CH2

(6)

USART1_RX

(6)

/

TIM1_CH3

(6)

USART1_CTS/

CANRX

(7)

TIM1_CH4

(6)

/

/

USBDM

Rev8- 日本語版

25/84

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頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

ピ ンの詳細 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 4.

B10 33 45 71 24 PA12 I/O FT PA12

A10 34 46 72 25 PA13/JTMS/SWDIO I/O FT JTMS/SWDIO

F8 73 未接続

E6 35 47 74 26 V

SS_2

S V

SS_2

F6 36 48 75 27 V

DD_2

S V

DD_2

A9 37 49 76 28 PA14/JTCK/SWCLK I/O FT JTCK/SWCLK

A8

B9 51 78

B8 52 79

C8 53 80

D8 5 5 81 2

E8 6

B7

C7 -

D7 -

B6 -

C6 -

D6 -

A7

38

39

50

6

54

-

55

77

82

83

84

89

29

3

-

-

85 -

86 -

87 -

88 -

30

PA15/JTDI

PC10

PC11

PC12

PD0

PD1

PD2

PD3

PD4

PD5

PD6

PD7

PB3/JTDO

I/O FT JTDI

I/O FT PC10

I/O FT PC11

I/O FT

I/O FT

PC12

OSC_IN

(8)

I/O FT OSC_OUT

(8)

I/O FT

I/O FT

PD2

PD3

I/O FT

I/O FT

I/O FT

I/O FT

PD4

PD5

PD6

PD7

I/O FT JTDO

USART1_RTS/

CANTX

(6)

/

TIM1_ETR

(6)

/

USBDP

PA13

PA14

PA15

TIM3_ETR

PB3/TRACESWO

A6

C5

B5

40

41

42

56

57

58

ピ ンの定義 (続き)

ピ ン

90

91

92

31

32

33

A5 43 59 93 34

D5 44 60 94 35

B4 45 61 95 -

A4 46 62 96 -

ピ ン名

PB4/JNTRST

PB5

PB6

PB7

BOOT0

PB8

PB9

(1)

I/O

(2)

主機能

(3)

( リ セ ッ ト 後)

I/O FT

I/O

I/O FT

I/O FT

I

I/O FT

I/O FT

JNTRST

PB5

PB6

PB7

BOOT0

PB8

PB9

オル タ ネー ト 機能

デ フ ォル ト

PB4

I2C1_SMBAl

I2C1_SCL

TIM4_CH1

(6)

/

(6)(6)

I2C1_SDA

(6)

/

TIM4_CH2

(6) (6)

TIM4_CH3

TIM4_CH4

(6)

(6)

(6)

(6)

リ マ ッ プ

( 再配置)

TIM2_CH1_ETR/

SPI1_NSS

USART3_TX

USART3_RX

USART3_CK

CANRX

CANTX

USART2_CTS

USART2_RTS

USART2_TX

USART2_RX

USART2_CK

TIM2_CH2 /

SPI1_SCK

TIM3_CH1 /

SPI1_MISO

TIM3_CH2 /

SPI1_MOSI

USART1_TX

USART1_RX

I2C1_SCL / CANRX

I2C1_SDA / CANTX

26/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB ピ ンの詳細

表 4.

ピ ンの定義 (続き)

ピ ン

ピ ン名

(1)

I/O

(2)

主機能

(3)

( リ セ ッ ト 後)

オル タ ネー ト 機能

デ フ ォル ト

リ マ ッ プ

( 再配置)

D4 -

C4 -

97 -

98 -

PE0

PE1

I/O FT

I/O FT

PE0

PE1

TIM4_ETR

(6)

E5

F5

47

48

63

64

99

100

36

1

V

SS_3

V

DD_3

S

S

V

V

SS_3

DD_3

1. I =input( 入力 )、 O = output (出力)、 S = supply (供給)、 HiZ= high impedance (ハイ ・ イ ン ピーダ ン ス)

2. FT= 5 V 耐性

3. 利用で き る機能は選択 さ れたデバイ スによ り 異な り ます。 ペ リ フ ェ ラル数が少ないデバイ スについては、 少な

い数字のペ リ フ ェ ラルか ら順に構成 さ れます。 デバイ スが 1 つの SPI と 2 つの USART を持っ ている場合、 それ

ぞれ SPI1、 USART1、 USART2 と 呼びます。 表 2 (8 ページ)

を参照 し て く だ さ い。

4. PC13、 PC14 と PC15 は電源ス イ ッ チによ っ て供給 さ れますが出力モー ド での使用は制限 さ れます。 30pF の最

大負荷で出力 2MHz モー ド のみ使用する こ と がで き、 1 本のピ ンのみ同時に出力モー ド に設定する こ と がで き

ます。

5. 最初のバ ッ ク ア ッ プ ・ ド メ イ ンのパワーア ッ プ後の主な機能。 リ セ ッ ト ( レ ジス タ が メ イ ン リ セ ッ ト によ っ て

リ セ ッ ト さ れないので) の後で もバ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ の内容に依存 し ます。 これ らの I/O を管理する方法

に関する詳細については、 ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク スのウ ェ ブサイ ト : www.st.com から 入手可能な

STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルのバ ッ テ リ ・ バ ッ ク ア ッ プ ・ ド メ イ ン及び BKP レ ジ ス タ のセ ク シ ョ ン

を参照 し て く だ さ い。

6. Flash メ モ リ 容量が 64Kbyte 以上のデバイ スのみ対応 し ています。

7. こ のオル タ ネー ト 機能はい く つかのポー ト ピ ンに対 し て ソ フ ト ウ ェ アによ り 再配置する こ と がで き ます。 (使用

するパ ッ ケージが こ の機能に対応可能な場合) さ ら に詳細な情報に関 し ては ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク スの

のウ ェ ブサイ ト   www.st.com か ら STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルを ダウン ロー ド し てオル タ ネー ト

I/O 機能 と デバ ッ グ構成についてのセ ク シ ョ ン を参照 し て く だ さ い。

8. VFQFPN36 パ ッ ケージの 2 番 と 3 番ピ ン及び LQFP48 と LQFP64 パ ッ ケージの 5 番 と 6 番ピ ンは リ セ ッ ト 後に

OSC_IN/OSC_OUT と し て構成 さ れますが、 PD0 と PD1 の機能は こ れら のピ ン上で ソ フ ト ウ ェ アによ り 再配置す

る こ と がで き ます。 LQFP100 パ ッ ケージについては、 PD0 と PD1 はデ フ ォル ト で利用で き る ため再配置する必

要があ り ません。 こ の詳細につ き ま し ては、 STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルのオル タ ネー ト 機能 I/O

と デ ッ バグ構成のセ ク シ ョ ン を参照 し て く だ さ い。

出力モー ド の PD0 と PD1 の使用は、 出力モー ド の 50MHz で使用で き る よ う に制限 さ れています。

Rev8- 日本語版

27/84

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

メ モ リ ・ マ ッ ピ ン グ

4

図 8.

メ モ リ ・ マ ッ ピ ング

図 8

に メ モ リ ・ マ ッ プ図を示 し ます。

メ モ リ ・ マ ッ プ

0x FFF F F FFF

7

0xE0 10 0 000

0xE00 0 0 000

C ortex-M3 内部

ペリフェラル

6

0xC 000 000 0

5

0xA000 000 0

4

0x80 00 000 0

3

0x6 000 000 0

2

0x40 00 000 0

ペリフェラル

1

0x200 0 0 000

SRAM

0

0x0 000 000 0

0x1 FFF FFF F

0x1 FFF F80 F

0x1 FFF F80 0

予約済み

オプションバイト

システムメモリ

0x1 FFF F00 0

予約済み

0x0 801 FFF F

Flash メモリ

0x0 800 000 0

ブートピンによるFlash、シス

テム・メモリまたはSRAMへの

エイリアス

0x0000 0000

予約済み

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

0x40 00 5C0 0

0x40 00 580 0

0x40 00 540 0

0x40 00 4C0 0

0x40 00 480 0

0x40 00 440 0

0x40 00 3C0 0

0x40 00 380 0

0x40 00 340 0

0x40 00 300 0

0x40 00 2C0 0

0x40 00 280 0

0x40 00 0C0 0

0x40 00 080 0

0x40 00 040 0

0x40 00 000 0

0xFF FF FFF F

APB メモリ空間

予約済み

0xE0 10 000 0

0x60 00 000 0

予約済み

予約済み

0x40 02 340 0

0x40 02 300 0

CRC

予約済み

0x40 02 240 0

0x40 02 200 0

0x40 02 140 0

Flas hインタフェース

0x40 02 100 0

0x40 02 040 0

0x40 02 000 0

予約済み

RC C

予約済み

DMA

予約済み

0x40 01 3C0 0

USART 1

0x40 01 380 0

0x40 01 340 0

予約済み

SPI1

0x40 01 300 0

0x40 01 2C0 0

0x40 01 280 0

0x40 01 240 0

0x40 01 1C0 0

0x40 01 180 0

TIM1

ADC2

ADC1

予約済み

ポートE

0x40 01 140 0

0x40 01 100 0

ポートD

ポートC

0x40 01 0C0 0

0x40 01 080 0

ポートB

ポートA

EXTI

0x40 01 040 0

0x40 01 000 0

0x40 00 740 0

AF IO

予約済み

PWR

0x40 00 700 0

BKP

0x40 00 6C0 0

0x40 00 680 0

0x40 00 640 0

予約済み bxCAN

共有 512 byte

USB レジスタ

I2C 2

I2C 1

予約済み

USART 3

USART 2

予約済み

SPI2

予約済み

IWDG

WWDG

RT C

予約済み

TIM4

TIM3

TIM2 ai14394e

28/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5 電気的特性

5.1

5.1.1

5.1.2

5.1.3

5.1.4

5.1.5

電気的特性

テ ス ト 条件

特に明記 し ない限 り 、 すべての電圧は V

SS

を参照 し ます。

最小値 と 最大値

特に明記 し ない限 り 、 最小値 と 最大値は、 周囲温度が T

A

= 25 ℃ と T

A

= T

A

最大値 (選択 さ

れた温度範囲に よ る) において 100% のデバイ スが生産時のテ ス ト で周囲温度、 供給電圧、

周波数が最も 厳 し い条件で保証 さ れます。

デー タ は特性結果を基本に し てお り 、 設計シ ミ ュ レ ーシ ョ ン及び / も し く は技術特性は表

の注釈に示 さ れています。 また、 こ れは生産時にはテ ス ト さ れません。 特性を基づいて、

最小値 と 最大値はサン プルテ ス ト の結果を参照 し ています。 また、 値は標準偏差 (平均±

3Σ) のプ ラ ス も し く はマ イ ナスの 3 倍の平均値を表 し ています。

標準値

特に明記 し ない限 り 、 標準デー タ は T

A

= 25 ℃、 V

DD

= 3.3 V (2V ≦ V

DD

≦ 3.6V の電圧範囲 )

を基本に し ています。 こ れ らは、 設計ガ イ ド ラ イ ン と し て提供 さ れているのみで、 テ ス ト

は行 っ てお り ません。

標準的な ADC 精度値は、 全温度範囲の標準偏差か らのサン プルバ ッ チの特性に よ り 決め

られます。 こ れに よ り 、 デバイ スの 95% が示 さ れた値 (± 2Σ) 以下のエ ラ ーで済みます。

標準カ ーブ

特に明記がない限 り 、 すべての標準カ ーブは設計ガ イ ド ラ イ ン と し て提供 さ れているのみ

で、 テ ス ト は行 っ てお り ません。

負荷容量

負荷条件は、

図 9

に示 さ れる よ う に、 ピ ンのパ ラ メ ー タ 測定に使われます。

ピ ン入力電圧

デバイ ス上のピ ン入力電圧測定は、

図 10

に説明 さ れています。

図 9.

ピ ン負荷条件 図 10.

ピ ン入力電圧

C = 50 pF

STM32F103xx ピン ai14141

VIN

STM32F103xx ピン ai14142

Rev8- 日本語版

29/84

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参考資料

電気的特性

5.1.6 電源供給図

図 11.

電源供給図

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

VBAT

1.8-3.6V

GP I/Os

5 × 100 nF

+ 1 × 4.7 µF

VDD

VDD

1/2/3/4/5

VSS

1/2/3/4/5

VDD

10 nF

+ 1 µF

10 nF

+ 1 µF

VREF

VDDA

VREF+

VREF-

VSSA

電源スイッチ

バックアップ回路

(OSC32K,RTC,

ウェークアップ・ロジック

バックアップ・レジスタ)

OUT

IN

IO

ロジック

カーネル・ロジック

(CPU,

デジタル&

メモリ)

レギュレータ

ADC

アナログ:

RCs, PLL,

...

警告 :

5.1.7

図 11

において、 4.7 μF の コ ンデンサを V

DD3

に接続 し なければな り ません。

消費電流測定

図 12.

消費電流測定図

IDD_VBAT

VBAT ai14125d

IDD

VDD

VDDA ai14126

30/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.2

電気的特性

絶対最大定格

表 5: 電圧特性

表 6: 電流特性

表 7: 熱特性

に示 さ れている絶対最大定格以上のス ト レ ス

は、 デバイ スへ対 し て正常に復帰する こ と がで き ない損害を引き起 こ す こ と があ り ます。

こ れ ら はス ト レ スの定格だけで、 こ の条件でのデバイ スが動作する ための機能については

示 し ていません。 長期間、 最大定格の状態にデバイ ス を お く と 、 信頼性に影響が出る場合

があ り ます。

表 5.

電圧特性

記号 定格

V

DD

V

– V

IN

SS

外部供給電圧 (V

DDA

と V

DD

含む)

(1)

5V 耐性ピ ンの入力電圧

(2)

その他の耐性ピ ンの入力電圧

(2)

|DV

DDx

| 異な る電源ピ ン間の差

|V

SSX

- V

SS

| すべての異な る GND ピ ン間の差

V

ESD(HBM)

静電放電耐圧 ( ヒ ュ ーマ ン ・ ボデ ィ ・ モデル)

最小値 最大値

-0.3

V

SS

-0.3

V

SS

-0.3

50

4.0

+5.5

V

DD

+0.3

50

50 50

セ ク シ ョ ン 5.3.11: 絶対最大

定格 ( 電磁感度)

を参照

単位

V mV

1. すべての電源 (V

DD

、 V

DDA

) と GND(V

SS

し なければな り ません。

、 V

SSA

) のピ ンは許可 さ れた範囲内で外部電源供給に接続

2. I

INJ(PIN)

は定格を超えることはできません (

ありませんが、 V

IN

流入電流が V

IN

<V

SS

表 6: 電流特性

を参照 )。 V

の最大値を超える場合は、 供給電流は I

INJ(PIN)

により誘導されている間は、 流出電流が V

IN

>V

DD

IN

が最大値にある場合は問題は

値を限界にする必要があります。

により誘導されます。

表 6.

電流特性

記号 定格 最大値 単位

I

I

VDD

VSS

V

DD

電源ラ イ ン全電流 ( ソ ース)

(1)

V ss

グ ラ ン ド ラ イ ン全電流 (シ ン ク )

(1)

I/O と 制御ピ ン によ る出力シ ン ク電流

150

150

25

I

IO

I/O と 制御ピ ン によ る出力 ソ ース電流 -25 mA

NRST ピ ン注入電流 ± 5

I

INJ(PIN)

(2)(3)

高速外部 OSC_IN ピ ン、 低速外部 LSE OSC_IN ピ ン注入電流 ± 5

SI

INJ(PIN)

(2)

その他のピ ンの注入電流

(4)

全注入電流 (I/O ピ ン と 制御ピ ンの合計)

(4)

± 5

± 25

1. すべての電源 (V

DD

、 V

DDA

) と グ ラ ン ド (V

SS

接続 し なければな り ません。

、 V

SSA

) のピ ンは許可 さ れた範囲内で外部電源供給に

2. I

INJ(PIN)

は定格を超えることはできません。 V

IN

最大値を超える場合は、 供給電流は I

INJ(PIN)

により誘導されている間は、 流出電流が V

IN

>V

が最大値内にある場合は問題はありませんが、 V

IN

値を限界にする必要があります。 流入電流が V

IN

DD

により誘導されます。

<V

SS

3. 流入電流はデバイ スのアナロ グ性能を低下 さ せます。

セ ク シ ョ ン 5.3.17: 12bit ADC 特性

の注意

を参照 し て く だ さ い。

4. 複数の入力が電流を供給する と 、 最大 ΣI

INJ(PIN)

の正 と 負の供給 さ れた電流 ( 瞬間値) の絶対値

の合計にな り ます。 その結果はデバイ スの 4 つの I/O ポー ト ・ ピ ン上の ΣI

INJ(PIN)

最大供給電流

の特性を基本 と し ています。

Rev8- 日本語版

31/84

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参考資料

電気的特性

表 7.

記号

T

STG

T

J

熱特性

定格

保存温度範囲

最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

-65 ~ +150

150

単位

5.3

5.3.1

5.3.2

動作条件

一般動作条件

表 8.

記号

一般的な動作条件

パラ メ ー タ 条件 最小値 最大値 単位 f

HCLK f

PCLK1 f

PCLK2

V

DD

V

DDA

(1)

V

BAT

P

D

T

A

T

J

内部 AHB ク ロ ッ ク周波数

内部 APB1 ク ロ ッ ク 周波数

内部 APB2 ク ロ ッ ク 周波数

標準動作電圧

アナログ動作電圧

(ADC 使用な し )

アナログ動作電圧

(ADC 使用 )

バ ッ ク ア ッ プ動作電圧

V

DD

と 同 じ 電位 と する

LFBGA100

サ フ ィ ッ ク 6 についての T

A

=

85 ℃、 も し く はサ フ ィ ッ ク ス

7 についての T

A

= 105 ℃の消

費電力

(2)

LQFP100

LQFP64

LQFP48

6 サ フ ィ ッ ク ・ バージ ョ ンの

周囲温度

7 サ フ ィ ッ ク ・ バージ ョ ンの

周囲温度

ジ ャ ン ク シ ョ ン温度範囲

VFQFPN36

最大消費電力

低消費電力

(3)

最大消費電力

低消費電力

(3)

6 サフィック ・ バージョン

7 サフィック ・ バージョン

0

0

0

2

2

2.4

1.8

-40

-40

-40

-40

-40

-40

72

36

72

3.6

3.6

3.6

3.6

487

434

444

363

1110

+85

+105

+105

+125

+105

+125

MHz

V

V

V mW

1. ADC を使用する場合は、

表 44: ADC 特性

を参照 し て く だ さ い。

2. T

A

が低い場合、 T

J

が T

J

最大値を上回 ら ない限 り 、 高い P

D

(75 ページ)

参照 し て く だ さ い。)

が許可 さ れます。 (

表 6.2: 熱特性

3. 低電力消費ス テー ト では T

J

き ます。 (

が T

J

最大値を上回ら ない限 り T

A

は、 こ の範囲ま で広げる こ と がで

表 6.2: 熱特性 (75 ページ)

を参照 し て く だ さ い。 )

パワー ・ ア ッ プ / パワー ・ ダウン時の動作条件

T

A

についての一般的な動作条件

32/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.3

電気的特性

表 9.

記号 t

VDD

パワーア ッ プ / パワーダウ ン時の動作条件

パラ メ ー タ 条件

V

DD

立上 り 時間比

V

DD

立下 り 時間比

最小値

0

20

最大値

単位

μs/V

内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク

表 10

で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度及び V

DD

れた テ ス ト に基づいています。

供給電圧で実行 さ

表 10.

内蔵リセット及び電源制御ブロック特性

記号 パラ メ ー タ 条件

最小

標準

最大

V

PVD

PLS[2:0]=000 ( 立上 り エ ッ ジ ) 2.1

PLS[2:0]=000 ( 立下 り エ ッ ジ ) 2

2.18

2.26

2.08

2.16

PLS[2:0]=001 ( 立上 り エ ッ ジ ) 2.19

2.28

2.37

PLS[2:0]=001( 立下 り エ ッ ジ ) 2.09

2.18

2.27

PLS[2:0]=010 ( 立上 り エ ッ ジ) 2.28

2.38

2.48

PLS[2:0]=010( 立下 り エ ッ ジ ) 2.18

2.28

2.38

プ ログ ラ ム可能な電圧

検出レ ベル選択

PLS[2:0]=011( 立上 り エ ッ ジ ) 2.38

2.48

2.58

PLS[2:0]=011 ( 立下 り エ ッ ジ ) 2.28

2.38

2.48

PLS[2:0]=100 ( 立上 り エ ッ ジ ) 2.47

2.58

2.69

PLS[2:0]=100 ( 立下 り エ ッ ジ ) 2.37

2.48

2.59

PLS[2:0]=101 ( 立上 り エ ッ ジ ) 2.57

2.68

2.79

PLS[2:0]=101 ( 立下 り エ ッ ジ ) 2.47

2.58

2.69

PLS[2:0]=110( 立上 り エ ッ ジ ) 2.66

2.78

PLS[2:0]=110 ( 立下 り エ ッ ジ ) 2.56

2.68

2.9

2.8

PLS[2:0]=111 ( 立上 り エ ッ ジ ) 2.76

2.88

3

PLS[2:0]=111( 立下 り エ ッ ジ ) 2.66

2.78

2.9

V

PVDhyst

(2)

PVD ヒ ス テ リ シ ス 100

V

POR/PDR

パワー ・ オン / パ

ワー ・ ダウン ・ リ セ ッ

ト ・ ス レ シ ョ ル ド

立下 り エ ッ ジ

立上 り エ ッ ジ

1.8

(1)

1.84

1.

2.

V

PDRhyst

(2)

T

RSTTEMPO

(2)

PDR ヒ ス テ リ シス

リ セ ッ ト 時間

製品の動作は最小の V

POR/PDR

  値ま で設計によ り 保証 さ れています。

設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

1

1.88

1.92

40

2.5

1.96

2.0

4.5

単位

V mV ms

V

V

V

V

V

V

V

V mV

V

V

V

V

V

V

V

V

V

Rev8- 日本語版

33/84

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参考資料

電気的特性

5.3.4

5.3.5

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

内部基準電圧

表 11

で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8

で ま と めた周囲温度条件で実行 さ れた テ ス ト に

基づいています。

表 11.

記号

内部基準電圧

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位

V

REFINT

内部基準電圧

-40 ℃ < T

A

< +105 ℃

-40 ℃ < T

A

< +85 ℃

1.16

1.16

1.20

1.20

1.26

1.24

V

V

T

S_vrefint

(1)

内部基準電圧を読込み時

の ADC サン プ リ ング時間

5.1

17.1

(2)

μs

1. 最短サン プ リ ン グ時間は、 複数回の繰 り 返 し によ り ア プ リ ケーシ ョ ン で決める こ と がで き ます。

2.

設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

供給電流特性

消費電流は

図 12: 消費電流測定図

で示 さ れてい る方法で測定 し ます。

最大消費電流

MCU は以下の条件で設定 さ れています。 :

すべての I/O ピ ンは V

無 し )。

DD

も し く は V

SS

で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます(負荷

すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 使用 し ていない場合は禁止状態です。

Flash メモリのアクセス時間は f

HCLK

の周波数で調整します。 (0 ~ 24MHz で 0 ウェイト ・ ス

テート、 24 ~ 48MHz で 1 ウェイト ・ ステート、 48MHz 以上では 2 ウェイト ・ ステート)

プ リ フ ェ ッ チは ON です。 ( こ のビ ッ ト は、 ク ロ ッ ク設定 と バスのプ リ スケールを行 う

前に設定 し なければな り ません。)

ペ リ フ ェ ラ ルは f

PCLK1

= f

HCLK

/2、 f

PCLK2

= f

HCLK

で イ ネーブルにな り ます。

表 12

表 13

表 14

で示 さ れてい るパラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度 と V

DD

電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。

供給

34/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

表 12.

I

DD

記号

Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流

最大値

(1)

パ ラ メ ー タ 条件 f

HCLK

単位

T

A

= +85 ℃ T

A

= +105 ℃

Run モー ド

の供給電流

72 MHz

48 MHz

外部 ク ロ ッ ク

(2)

、 す

べてのペ リ フ ェ ラル

はイ ネーブル

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

50

36.1

28.6

19.9

14.7

8.6

50.3

36.2

28.7

20.1

14.9

8.9

mA

72 MHz

48 MHz

外部 ク ロ ッ ク

(3)

、 す

べてのペ リ フ ェ ラル

はデ ィ セーブル

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

32.8

24.4

19.8

13.9

10.7

6.8

32.9

24.5

19.9

14.2

11

7.1

1. 特性を基本 と し て、 V

DD

最大値、 f

HCLK

最大値で生産時はテ ス ト を行います。

2. f

HCLK

> 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。

表 13.

記号

I

DD

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流

最大値

(1)

パラ メ ー タ 条件 f

HCLK

単位

T

A

= +85 ℃ T

A

= +105 ℃

72 MHz 48 50

Run モー ド

の供給電流

外部 ク ロ ッ ク

(2)

、 す

てのペ リ フ ェ ラルが

イ ネーブル

48 MHz

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

72 MHz

48 MHz

外部 ク ロ ッ ク

(2)

、 す

べてのペ リ フ ェ ラル

がデ ィ セーブル

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

31.5

24

17.5

12.5

7.5

29

20.5

16

11.5

8.5

5.5

32

25.5

18

13

8

29.5

21

16.5

12

9

6 mA

1. 特性を基本 と し て、 V

DD

最大値、 f

HCLK

最大値で生産時はテ ス ト を行います。

2. f

HCLK

> 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性

図 13.

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時) -

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラ ルはイ ネーブル

10

5

0

25

20

15

45

40

35

30

72 MHz

36 MHz

16 MHz

8 MHz

-40 0 25

温度(℃)

70 85 105

図 14.

Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時) -

RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはデ ィ セーブル

30

15

10

5

0

25

20

72 MHz

36 MHz

16 MHz

8 MHz

-40 0 25

温度(℃)

70 85 105

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

表 14.

記号

I

DD

Flash または RAM か らの コ ー ド 動作に よ る SLEEP モー ド の最大消費電流

最大値

(1)

パラ メ ー タ 条件 f

HCLK

単位

T

A

= +85 ℃ T

A

= +105 ℃

72 MHz 30 32

SLEEP モー ド

の供給電流

外部 ク ロ ッ ク

(2)

、 す

べてのペ リ フ ェ ラル

はイ ネーブル

外部 ク ロ ッ ク

(2)

、 す

べてのペ リ フ ェ ラル

はデ ィ セーブル

48 MHz

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

72 MHz

48 MHz

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

5.5

7.5

6

5

20

15.5

11.5

8.5

4.5

4

3

6.5

5.5

6

8

20.5

16

12

9

5

4.5

4 mA

1. 特性を基本 と し て、 V

DD

最大値、 f

HCLK

最大値で生産時はテ ス ト を行います。

2. f

HCLK

> 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。

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参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 15.

記号

STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

パ ラ メ ー タ 条件

標準値

(1)

V

DD

/V

BAT

= 2.4 V

V

DD

/V

BAT

= 3.3 V

T

A

=

+85 ℃

最大値

T

A

=

+105 ℃

単位

I

DD

I

DD_VBAT

STOP モー ド

の供給電流

STANDBY モー ド

の供給電流

Run モー ド 内レギ ュ レー タ 、

低速及び高速内部 RC オシ レー タ と

高速オシ レー タ は OFF ( 独立型

ウ ォ ッ チ ド ッ ク無 し )

低電力モー ド 内レギ ュ レー タ 、

低速及び高速内部 RC オシ レー タ と

高速オシ レー タ は OFF( 独立型

ウ ォ ッ チ ド ッ ク無 し )

低速内部 RC オシ レー タ 及び独立型

ウ ォ ッ チ ド ッ クは ON

低速内部 RC オシ レー タ は ON、 独

立型ウ ォ ッ チ ド ッ クは OFF

低速内部 RC オシ レー タ 及び独立型

ウ ォ ッ チ ド ッ グは OFF、 低速オシ

レー タ 及び RTC は OFF

バ ッ ク ア ッ プ ・ ド

メ イ ン供給電流

低速オシ レー タ 及び RTC は ON

1. 標準値は T

A

= 25 ℃で測定 し ています。

2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

23.5

13.5

2.6

2.4

1.7

1.1

24

14

3.4

3.2

2

1.4

200

180

-

-

3.2

1.9

(2)

370

340

-

-

5

2.2

μA

図 15.

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の Run モー ド のレギ ュ レー タ 付 STOP モー ド 標準消費電流 対 温度

300

250

200

150

100

50

0

3.3 V

3.6 V

-45 25 70

温度 (℃)

90 110

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 16.

電気的特性

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド のレギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 消費電流 対 温度

300

250

200

150

100

50

0

3.3 V

3.6 V

-40 0 25

温度(℃)

70 85 105

図 17.

4.5

V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の STANDBY モー ド 標準消費電流 対 温度

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

–45 °C 25 °C 85 °C 105 °C

温度(℃)

3.3 V

3.6 V

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

標準消費電流

MCU は以下の条件で設定 さ れています。 :

すべての I/O ピ ンは V

無 し )。

DD

も し く は V

SS

で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます(負荷

すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 明確に使用が決め られてい る以外は禁止状態にな り ます。

Flashのア ク セス時間は f

HCLK

周波数で調整 し ます。 ( 0~24 MHzで0ウ ェ イ ト ス テー ト 、

24 ~ 48MHz で 1 ウ ェ イ ト ス テー ト 、 48MHz 以上の周波数で 2 ウ ェ イ ト ス テー ト )

表 8

に周囲温度 と V

DD

供給電圧がま と め られています。

プ リ フ ェ ッ チは ON です。 ( こ のビ ッ ト は、 ク ロ ッ ク設定 と バスのプ リ スケールを行 う

前に設定 し なければな り ません。)

ペ リ フ ェ ラ ルは f

PCLK1

な り ます。

= f

HCLK

/4、 f

PCLK

2 = f

HCLK

/2、 f

ADCCLK

= f

PCLK2

/4 で イ ネーブルに

表 16.

記号

Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での標準消費電流

標準値

(1)

パラ メ ー タ 条件 f

HCLK

全ペ リ フ ェ ラ

ルイ ネーブル

(2)

全ペ リ フ ェ ラル

デ ィ セーブル

単位

I

DD

Run モー ド

の供給電流

外部ク ロ ッ ク

(3)

64 MHz

48 MHz

36 MHz

24 MHz

高速内部 RC (HSI) で

動作、 AHB プ リ ス

ケー ラは周波数を低

16 MHz

8 MHz

4 MHz

2 MHz

1 MHz

500 kHz

125 kHz

72 MHz

48 MHz

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

4 MHz

2 MHz

1 MHz

500 kHz

125 kHz

36

24.2

19

12.9

9.3

5.5

3.3

2.2

1.6

1.3

1.08

31.4

23.5

18.3

12.2

8.5

4.9

2.7

1.6

1.02

0.73

0.5

mA mA

1. 標準値は T

A

= 25 ℃、 V

DD

= 3.3 V で測定 し ています。

2. アナロ グ部分について ADC ご と に 0.8mA の追加の消費電力を加え ます。 ア プ リ ケーシ ョ ン で、

ADC が ON (ADON ビ ッ ト は ADC_CR2 レ ジ ス タ に設定) の間のみ、 こ の消費電力が発生 し ます。

23.9

17.9

14.1

9.5

6.8

4

2.2

1.4

0.9

0.67

0.48

4.6

2.8

1.9

1.45

1.25

1.06

27

18.6

14.8

10.1

7.4

40/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

3. f

HCLK

> 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。

表 17.

記号

Flash または RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る SLEEP モー ド の

標準消費電流

標準値

(1)

パラ メ ー タ 条件 f

HCLK

全ペ リ フ ェ ラル

を イ ネーブル

(2)

全ペ リ フ ェ ラル

をデ ィ セーブル

単位

I

DD

SLEEP モー ド

の供給電流

外部ク ロ ッ ク

(3)

2 MHz

1 MHz

500 kHz

125 kHz

64 MHz

48 MHz

36 MHz

24 MHz

高速内部 RC (HSI)

で動作、 AHB プ リ

スケー ラは周波数

を低減

16 MHz

8 MHz

4 MHz

2 MHz

72 MHz

48 MHz

36 MHz

24 MHz

16 MHz

8 MHz

4 MHz

14.4

9.9

7.6

5.3

3.8

2.1

1.6

1.3

1.11

1.04

0.98

12.3

9.3

7

4.8

3.2

1.6

1

0.72

mA

1 MHz

500 kHz

125 kHz

0.56

0.49

0.43

0.44

0.42

0.41

1. 標準値は T

A

= +25 ℃、 V

DD

= 3.3 V で測定 し ています。

2. アナロ グ部分について ADC ご と に 0.8mA の追加の消費電力を加え ます。 ア プ リ ケーシ ョ ン で、

ADC が ON (ADON ビ ッ ト は ADC_CR2 レ ジ ス タ に設定) の間のみ、 こ の消費電力が発生 し ます。

3. f

HCLK

> 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。

4.4

3.3

2.5

1.8

1

0.98

0.96

0.95

1.2

0.6

0.5

0.47

2.3

1.8

1.2

1.1

5.5

3.9

3.1

Rev8- 日本語版

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラル消費電流

チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラ ル消費電流については

表 18

を参照 し て く だ さ い。 MCU は以下の条

件で設定 さ れています :

すべての I/O ピ ンは V

DD

無 し )。

も し く は V

SS

で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます(負荷

すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 使用 さ れない場合は禁止状態にな り ます。

示 さ れてい る値は消費電流測定に よ り 計算 さ れています。

– すべてのペ リ フ ェ ラ ルが ク ロ ッ ク ・ オ フ

– 1 つのペ リ フ ェ ラ ルだけが ク ロ ッ ク ・ オ ン

周囲動作温度 と V

DD

供給電圧条件は

表 5

にま と めています。

表 18.

ペ リ フ ェ ラ ル消費電流

(1)

ペ リ フ ェ ラル +25 ℃の標準電流 単位

APB1

TIM2

TIM3

TIM4

SPI2

USART2

USART3

I2C1

1.2

1.2

0.9

0.2

0.35

0.35

0.39

mA

APB2

I2C2

USB

CAN

GPIO A

GPIO B

GPIO C

GPIO D

GPIO E

ADC1

(2)

ADC2

0.39

0.65

0.72

0.47

0.47

0.47

0.47

0.47

mA

TIM1

SPI1

USART1

1.81

1.78

1.6

0.43

0.85

1. f

HCLK

= 72MHz、 f

APB1

= f

HCLK

プ リ スケー ラ値にな り ます。

/2、 f

APB2

= f

HCLK

は、 各々のペ リ フ ェ ラルについてのデ フ ォル ト ・

2. ADC 特定条件 : f

HCLK

=56MHz、 f

APB1

= f

HCLK

タ の ADON bit は 1 に設定 し ます。

/2、 f

APB2

= f

HCLK

、 f

ADCCLK

= f

APB2/4

、 ADC_CR2 レ ジ ス

42/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.6

電気的特性

外部ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性

外部ソ ースか らの高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク生成

表 19

で示 さ れてい る特性は、 高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース を使い

表 8

にま と めてい る周囲

温度 と 供給電圧条件の も と で テ ス ト さ れた結果です。

表 19.

記号

高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位 f

HSE_ext

ユーザ外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース

周波数

(1)

V

HSEH

V

HSEL t w(HSE) t w(HSE)

OSC_IN 入力ピ ン H レ ベル電圧

OSC_IN 入力ピ ン L レ ベル電圧

OSC_IN ハイ またはロー時間

(1) t r(HSE) t f(HSE)

OSC_IN 立上 り または立下 り

時間

(1)

I

L

OSC_IN 入力 リ ー ク電流 V

SS

≦ V

IN

≦ V

DD

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

0

0.7V

DD

V

SS

16

8 25

V

DD

0.3V

5

DD

± 1

MHz

V ns

μA

外部ソ ースか らの低速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク生成

表 20

で示 さ れてい る特性は低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース を使い、

表 8

にま と めてい る周囲

温度 と 供給電圧条件の も と で テ ス ト さ れた結果です。

表 20.

記号

低速外部ユーザ ク ロ ッ ク特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位 f

LSE_ext

V

V

LSEH

LSEL

ユーザ外部 ク ロ ッ ク ソ ース

周波数

(1)

OSC32_IN 入力ピ ン H レ ベル

電圧

OSC32_IN 入力ピ ン L レ ベル

電圧

0.7V

V

SS t w(LSE) t w(LSE) t r(LSE) t f(LSE)

I

L

OSC32_IN ハイ またはロー時

(1)

OSC32_IN 立上 り ま たは立下

り 時間

(1)

OSC32_IN 入力 リ ー ク 電流 V

SS

≦ V

IN

≦ V

DD

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

450

DD

32.768

1000

V

DD

0.3V

5

DD

± 1 kHz

V ns

μA

Rev8- 日本語版

43/84

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性

図 18.

高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

VHSEH

VHSEL

90%

10% tr(HSE)

THSE tf(HSE)

外部

クロックソース f

HSE_ext

OSC_IN tW(HSE) tW(HSE) t

IL

STM32F103xx ai14143

図 19.

低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図

VLSEH

VLSEL

90%

10% tr(LSE)

TLSE tf(LSE) tW(LSE) tW(LSE) t

外部

クロックソース fLSE_ext

OSC32_IN

IL

STM32F103xx ai14144b

ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子からの高速外部ク ロ ッ ク生成

高速外部 (HSE) ク ロ ッ クは、 4 ~ 16 MHz の ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子オシ レー タ か ら

供給を受けます。 こ の項目の全ての情報は、

表 21: HSE 4 ~ 16 MHz オシ レー タ 特性

で示 さ

れている標準的な外付け部品から 得 られた特性結果に基づいています。 ア プ リ ケーシ ョ ン

において、 発振子 と 負荷の コ ンデンサは、 出力歪を最小限にするの と ス タ ー ト ア ッ プ時間

を安定化する ために、 で き る だけオシ レー タ のピ ンのそばに配置する必要があ り ます。 発

振子の特性 (周波数、 パ ッ ケージ、 精度) について さ ら に詳 し い情報はク リ ス タ ル発振子

の製造業者に問い合わせて く だ さ い。

44/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

表 21.

記号

HSE 4 ~ 16 MHz オシ レ ー タ 特性

パラ メ ー タ

(1) (2)

条件 最小値 標準値 最大値 単位 f

OSC_IN

R

F

C

C

L1

L2

(3)

オシ レー タ 周波数

フ ィ ー ド バ ッ ク抵抗

推奨負荷容量 対 オシ レー タ

の等価直列抵抗 (R

S

)

(4)

R

S

= 30 Ω

4 8

200

30 i

2

HSE ド ラ イ ブ電流

V

IN

V

DD

= V

SS

= 3.3 V

と 30 pF 負荷 g m

オシ レー タ ・ ト ラ ン ス コ ン

ダ ク タ ン ス

ス タ ー ト ア ッ プ 25 t

SU(HSE

(5)

ス タ ー ト ア ッ プ時間 V

DD

が安定 2

1. 発振子の特性は ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク発振子製造業者によ り 提供 さ れます。

16

1

MHz kΩ pF mA mA/V ms

2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

3. 高周波ア プ リ ケーシ ョ ン を設計する場合、 ク リ ス タ ルや発振子の要求仕様に適合する ために C

L1

と C

L2

について、 5 pF ~ 25pF (標準) の範囲で高品質のセ ラ ミ ッ ク ・ コ ンデンサを使 う こ と が

推奨 さ れています。 C

L1

と C

L2

は通常同 じ サイ ズです。 ク リ ス タ ル製造業者は、 C

列の組み合わせによ る標準の負荷容量を指定 し ています。 C

L1

と C

L2

L1

と C

L2

の直

の容量サイ ズを決める場合

は、 PCB と MCU ピ ンの容量を含める必要があ り ます。 (10 pF がピ ン と ボー ド の組み合わせの容

量の概算値 と し て使 う こ と がで き ます。)

4.

リ ー ク電流の誘導 と バイ ア ス条件の変化によ り 湿気の多い環境下で発生する問題に対 し て RF 抵

抗の相対的に低い値は十分な保護機能を提供 し ます。 そのため、 MCU が厳 し い湿度条件で使わ

れる場合は、 こ の点を考慮する必要があ り ます。

5. t

SU(LSE)

は (ソ フ ト ウ ェ アによ り ) 開始 さ れた時点から 安定 し た 8MHz の発振ま でに到達する ま で

を測定 し たス タ ー ト ア ッ プ時間です。 こ の値は標準 ク リ ス タ ル発振子について測定 し てお り 、 ク

リ ス タ ルの製造業者によ り 値は異な り ます。

図 20.

8MHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン

コンデンサを使った発振子

CL1

OSC_IN fHSE

8 MHz

発振子

RF

バイアスは

ゲインを制御

OSC_OUT

STM32F103xx

CL2

REXT(1) ai14145

1. R

EXT

の値は ク リ ス タ ルの特性に依存する ため、 標準値は 5 ~ 6R

S

の範囲にな り ます。

ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子からの低速外部ク ロ ッ ク生成

低速外部 (LSE) クロックは、 32.768kHz のクリスタル / セラミック発振子オシレータから供給を受

けます。 この項目の全ての情報は、

表 22

で示されている標準的な外付け部品から得られた特

性結果に基づいてます。 アプリケーションにおいて、 発振子と負荷のコンデンサは、 出力歪を

最小限にするのとスタートアップ時間を安定化するために、 できるだけオシレータのピンのそば

Rev8- 日本語版

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参考資料

電気的特性

注意

警告 :

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

に配置する必要があります。 発振子の特性 (周波数、 パッケージ、 精度) についてさらに詳し

い情報はクリスタル発振子の製造業者に問い合わせてください。

ク リ ス タ ルや発振子の要求仕様に適合する ために C

じ サイ ズです。 ク リ ス タ ル製造業者は、 C

容量を指定 し ています。

L1

と C

L2

L1

と C

L2

について、 5pF ~ 15pF の範囲

で高品質のセ ラ ミ ッ ク ・ コ ンデンサを使 う こ と が推奨 さ れています。 C

L1

と C

L2

は通常同

の直列の組み合わせによ る標準の負荷

負荷容量 C

L

C stray

は以下の公式で求める こ と がで き ます。 : C

間の値にな り ます。

L

=

C

L1

x

C

L2

/ (

C

L1

+

C

L2

) + C stray

はピ ン容量 と 基板も し く は PC B に関連 し た容量にな り ます。 通常は 2 pF ~ 7 pF の

C

L1

と C

L2

(15 pF) の最大値を超えないよ う にする ためには、 負荷容量が C

L

≦ 7 pF の発振子を使用

する こ と が強 く 推奨 さ れています。 12.5 pF の負荷容量を持つ発振子を使用する こ と はで き ません。

例 : C

L

= 6 pF の容量負荷の発振子 と C stray

= 2 pF では、 C

L1

= C

L2

= 8 pF にな り ます。

表 22.

記号

LSE オシ レー タ 特性 (f

LSE

= 32.768 kHz)

(1)

パ ラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位

R

F

C

C

L1

L2

(2)

フ ィ ー ド バ ッ ク抵抗

推奨負荷容量 対 ク リ ス タ ル

の等価直列抵抗 (R

S

)

(3)

R

S

= 30 KΩ

I

2

LSE ド ラ イ ブ電流

V

DD

= 3.3 V

V

IN

= V

SS g m

オシ レー タ ・ ト ラ ン ス

コ ン ダ ク タ ン ス t

SU(LSE)

(4)

ス タ ー ト ア ッ プ時間 V

DD

が安定

1. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

5

5

3

15

1.4

MΩ pF

μA

μA/V s

2. 注釈を参照 し て、 表のパラ グ ラ フ に注意 し て く だ さ い。

3. オシ レー タ の選択は、 MSIV-TIN32.768kHz の例のよ う な小 さ な R

S

値の高品質な発振子を使用 し

て消費電流で最適化をする こ と がで き ます。 詳細については ク リ ス タ ル製造業者に問い合わせ

て く だ さ い。

4. t

SU(LSE)

は ( ソ フ ト ウ ェ アによ り ) 開始 さ れた時点から 安定 し た 32.768 kHz の発振ま でに到達

する ま で を測定 し たス タ ー ト ア ッ プ時間です。 こ の値は標準 ク リ ス タ ル発振子について測定 し

てお り 、 ク リ ス タ ルの製造業者によ り 値は異な り ます。

図 21.

32.768 kHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン

コンデンサを使った発振子

CL1

32.768 kHz

発振子

OSC32_IN

RF

バイアスは

ゲインを制御

OSC32_OUT

CL2 fLSE

STM32F103xx ai14146

46/84 Rev8- 日本語版

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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.7

電気的特性

内部ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性

表 23

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8

で ま と めた周囲温度 と V

DD

さ れたテ ス ト に基づいています。

供給電圧条件で実行

高速内部 (HSI) RC オシ レー タ

表 23.

記号

HSI オシ レー タ 特性

(1) (2)

パ ラ メ ー タ 条件 f

HSI

周波数

ACC

HSI

HSI オシ レー タ 精度

T

A

= -40 ~ +105 ℃

T

A

= -10 ~ +85 ℃

T

A

= 0 ~ +70 ℃

T

A

= +25 ℃ t su(HSI)

HSI オシ レー タ ・ ス タ ー ト

ア ッ プ時間

1

I

DD(HSI)

HSI オシ レー タ 消費電流

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2. 特に明記 し ない限 り 、 V

DD

= 3.3 V、 T

A

= -40 ~ +105 ℃ にな り ます。

低速内部 (LSI)RC オシ レー タ

最小値 標準値 最大値 単位

8

± 1

± 1

± 1

± 1

± 3

± 2.5

± 2.2

± 2

MHz

%

%

%

%

80

2

100

μs

μA

表 24.

記号

LSI オシ レー タ 特性

(1)

パラ メ ー タ 最小値 標準値 最大値 単位 f

LSI

(2) t su(LSI)

(3)

I

DD(LSI)

(3)

周波数

LSI オシ レー タ ・ ス タ ー ト ア ッ プ時間

LSI オシ レー タ 消費電流

30

1.

特に明記 し ない限 り 、 V

DD

= 3 V、 T

A

= -40 ~ +105 ℃にな り ます。

2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

3.

設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

40

0.65

60

85

1.2

kHz

μs

μA

低電力モー ド から のウ ェ ー ク ア ッ プ時間

表 25

で示 さ れてい る ウ ェ ー ク ア ッ プ時間は、 8MHz の HIS RC オシ レ ー タ のウ ェ ー ク ア ッ

プ ・ フ ェ ーズで測定 さ れています。 デバイ ス を ウ ェ ー ク ア ッ プする ために使われる ク ロ ッ

ク ・ ソ ースは、 現在の動作モー ド に依存 し ます。 :

STOP も し く は STANDBY モー ド : ク ロ ッ ク ・ ソ ースは RC オシ レー タ

SLEEP モー ド : ク ロ ッ ク ・ ソ ースは SLEEP モー ド に入る前に設定 さ れた ク ロ ッ ク

すべての タ イ ミ ン グは、

に基づいています。

表 8

で ま と めた周囲温度 と V

DD

供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト

Rev8- 日本語版

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参考資料

電気的特性

5.3.8

5.3.9

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 25.

低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間

記号 パ ラ メ ー タ 条件

標準

単位 t

WUSLEEP

(1)

SLEEP モー ド から のウ ェ ー ク

ア ッ プ

HSI RC ク ロ ッ クのウ ェ ー ク ア ッ プ 1.8

μs t t

WUSTOP

(1)

WUSTDBY

(1)

STOP モー ド から のウ ェ ー ク

ア ッ プ (Run モー ド のレギ ュ

レー タ )

STOP モー ド から のウ ェ ー ク

ア ッ プ (低電力モー ド のレ

ギ ュ レー タ )

STANDBY モー ド か らの

ウ ェ ー ク ア ッ プ

HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs

HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs、 LP

モー ド か らのレギ ュ レー タ ・ ウ ェ ー ク

ア ッ プ時間 = 5 μs

HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs、 パ

ワーダウンか らのレギ ュ レー タ ・

ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 38 μs

3.6

5.4

50

μs

μs

1. ウ ェ ー ク ア ッ プ時間はウ ェ ー ク ア ッ プ ・ イ ベン ト か ら ユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン ・ コ ー ド の最初

の命令が読込み さ れるポ イ ン ト が測定 さ れます。

PLL 特性

表 26

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度 と V

DD

さ れたテ ス ト に基づいています。

供給電圧条件で実行

表 26.

PLL 特性

記号 パラ メ ー タ テ ス ト 条件 単位

最小値

(1)

標準値 最大値

(1) f

PLL_IN

PLL 入力 ク ロ ッ ク

(2)

PLL 入力 ク ロ ッ ク

・ デ ュ ーテ ィ サイ クル

1

40

8.0

25

60

MHz

% f

PLL_OUT

PLL マルチ プ ラ イ ア出力

ク ロ ッ ク

16 72 MHz

1.

t

LOCK

PLL ロ ッ ク時間

特性を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

200 μs

2. PLL 入力ク ロ ッ ク 値は f

PLL_OUT

によ っ て定義 さ れる範囲内で対応する ために適切なマルチ プ ラ イ

ア ・ フ ァ ク タ を使用する よ う に注意 し て く だ さ い。

メ モ リ 特性

Flash メ モ リ

特に指定がない限 り 、 特性は T

A

= -40 ~ +105 ℃にな り ます。

表 27.

Flash メ モ リ 特性

記号 パラ メ ー タ 条件

最小値

(1)

標準値

最大値

(1)

単位 t prog

16bit プ ログ ラ ミ ング時間 T

A

= -40 ~ +105 ℃ 40 52.5

70 μs

48/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.10

電気的特性

表 27.

記号

Flash メ モ リ 特性

パラ メ ー タ 条件 t

ERASE t

I

ME

DD

ページ (1 KB) 消去時間

全体消去時間

供給電流

T

A

= -40 ~ +105 ℃

T

A

= -40 ~ +105 ℃

読込みモー ド f

HCLK

= 72 MHz(2 ウ ェ イ ト

ス テー ト )、 V

DD

= 3.3 V

書込み / 消去モー ド f

HCLK

= 72 MHz、 V

DD

= 3.3 V

パワーダウン モー ド /

Halt、

V

DD

= 3.0 ~ 3.6 V

1.

V prog

プ ログ ラ ミ ング電圧

設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

最小値

(1)

標準値

最大値

(1)

単位

20

20

40

40 ms ms

2

20

5

50

3.6

mA mA

μA

V

表 28.

Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間

記号 パラ メ ー タ 条件

最小値

(1)

標準

N t

END

RET

書換え回数

デー タ 保持期間

T

A

= -40 ~ +85 ℃ (6 サフ ィ ッ ク

ス ・ バージ ョ ン)

T

A

= -40 ~ +105 ℃ (7 サフ ィ ッ ク

ス ・ バージ ョ ン)

T

A

= +85 ℃で 1 k サイ ク ル

(2)

T

A

= +105 ℃で 1 k サイ クル

(2)

T

A

=+55 ℃で 10 k サイ ク ル

(2)

1. 特性を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2. サイ クル数は仕様の全温度範囲外で実行 し ています。

10

30

10

20

最大

単位 k サイ ク ル

EMC 特性

感受性テ ス ト のデバイ ス特性についてはサン プルベース で行われます。

EMS 機能 (Electromagnetic susceptibility : 電磁感受性 )

簡単な ア プ リ ケーシ ョ ンがデバイ ス で実行 さ れてい る間 (I/O ポー ト を通 し て 2 つの LED

が点滅 ) デバイ スは障害が発生する ま でデバイ スには 2 種類の電磁気に よ り ス ト レ スが与

え られます。 障害は LED に よ り 示 さ れます。 :

静電気放電 (ESD : Electrostatic Discharge) (正及び負) はすべてのデバイ ス ・ ピ ン に機

能的な障害が発生する ま で行われます。 こ のテ ス ト は IEC 1000-4-2 standard に準拠 し

ています。

FTB (First Transient Burst) : 高速過渡電圧のバース ト (正及び負) が 100 pF の コ ンデ

ンサを通 し て V

DD

と V

SS

に対 し て機能的な障害が発生する ま で行われます。 こ のテ ス

ト は IEC 1000-4-4 standard に準拠 し ています。

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参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

デバイ ス ・ リ セ ッ ト は通常動作を再開する ために行われます。

テ ス ト 結果が

表 29

に示 さ れています。 こ れ らは、 EMS のレ ベル と ク ラ ス を基本 と し 、 ア

プ リ ケーシ ョ ン ・ ノ ー ト AN1709 に記載 さ れています。

表 29.

EMS 特性

記号 パ ラ メ ー タ 条件

レ ベル /

ク ラ ス

V

FESD

V

EFTB

機能的な障害を引き起 こ すために複数の

I/O ピ ン で電圧 リ ミ ッ ト を適用

V

DD

= 3.3 V、 T

= 48 MHz

A

= +25 ℃、 f

HCLK

IEC 1000-4-2 適用

機能上の障害を引き起 こ すために V

DD

V

SS

圧バース ト ・ リ ミ ッ ト を適用

及び

ピ ンの上の 100pF を通 し て高速過渡電

V

DD

= 3.3 V、 T

A

= 48 MHz

= +25 ℃、 f

HCLK

IEC 1000-4-4 適用

2B

4A

ノ イ ズ問題を避ける ためのソ フ ト ウ ェ ア設計

EMC の特性 と 最適化は、標準的な ア プ リ ケーシ ョ ン環境 と 簡略化 さ れた MCU ソ フ ト ウ ェ ア

の コ ンポーネ ン ト ・ レ ベルで実行 さ れます。 良好な EMC 性能を出すには、 特にユーザ ・ ア

プ リ ケーシ ョ ン と ソ フ ト ウ ェ アに大き く 依存 し てい る点に注意する必要があ り ます。

そのため、 ア プ リ ケーシ ョ ン に対 し て EMC レ ベルを必要 と する EMC ソ フ ト ウ ェ アの最適

化 と 事前品質テ ス ト を適用する こ と が推奨 さ れています

推奨する ソ フ ト ウ ェ ア

ソ フ ト ウ ェ アの フ ローチ ャ ー ト は、 例えば以下のよ う な制御不能の条件管理を含ま なけれ

ばな り ません。 :

プ ロ グ ラ ム ・ カ ウ ン タ の故障

予期せぬ リ セ ッ ト

重要デー タ の損失 (制御レ ジ ス タ ...)

事前品質検査の試行

大部分の問題の共通点 (予期せぬ リ セ ッ ト やプ ロ グ ラ ム ・ カ ウ ン タ の故障) は、 1 秒の間、

NRST ピ ンや ク リ ス タ ルのピ ン に ロー ・ ス テー ト を マニ ュ アルで強制的に設定する こ と に

よ り 再現で き ます。 こ の試行を終了する には、 仕様値の範囲外で ESD のス ト レ ス をデバイ

スに直接適応する こ と です。 予期せぬ動作が検出 さ れた場合、 ソ フ ト ウ ェ アは回復不可能

な エ ラ ーの発生を防ぐ ために対応する こ と がで き ます。 (ア プ リ ケーシ ョ ン ・ ノ ー ト

AN1015 を参照)

電磁妨害 (EMI : Electromagnetic Interference)

デバイ スに よ り 放出 さ れる電磁フ ィ ール ド は、 単純な ア プ リ ケーシ ョ ンが実行 (I/O ポー

ト を通 し て 2 個の LED を ト グル) し ている間、 監視 さ れます。 こ の放射テ ス ト は、 テ ス

ト ・ ボー ド やピ ンの負荷について規定 し てい る SAE J 1752/3 standard に準拠 し ています。

50/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.11

電気的特性

表 30.

EMI 特性

記号 パラ メ ー タ

S

EMI

ピー ク

レ ベル

監視

周波数バン ド

最大値 対

[f

HSE

/f

HCLK

]

条件

0.1 MHz ~ 30 MHz

V

DD

= 3.3 V、 T

A

= 25 ℃、

SAE J 1752/3 準拠 の

LQFP100 パ ッ ケージ

30 MHz ~ 130 MHz

130 MHz ~ 1GHz

SAE EMI レ ベル

単位

8/48 MHz 8/72 MHz

12

22

23

4

12

19

29

4 dBμV

-

絶対最大定格 ( 電磁感度)

特定の測定方法を使用する 3 つの異な る テ ス ト (ESD、 LU ) に基づいて、 デバイ スは電磁感

度に関 し てその性能を決める ためにス ト レ ス を加え られます。

静電放電 (ESD : Electrostatic Discharge)

静電放電 (1 秒ご と に正 と 負のパルス を繰 り 返す) は、 ピ ンの組合せに よ るサン プルのピ

ン に適用 さ れます。 サン プル数はデバイ ス (3 個 x (n + 1) 供給ピ ン) の供給ピ ンの数に依

存 し ます。 こ のテ ス ト は JESD22-A114A standard に準拠 し ています。

表 31.

記号

ESD 絶対最大定格

定格 条件 ク ラ ス 最大値

(1)

単位

V

V

ESD(HBM)

ESD(CDM)

静電破壊電圧

( ヒ ュ ーマ ン ・ ボデ ィ ・ モデル)

静電破壊電圧

(チ ャ ージ ・ デバイ ス ・ モデル)

T

A

= +25 ℃

JESD22-A114 準拠

  2

T

A

= +25 ℃

JESD22-C101 準拠

  II

1. 特性結果を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2000

500

V

静的ラ ッ チ ア ッ プ

2 つの補完的な静的テ ス ト は、 ラ ッ チ ・ ア ッ プ性能を評価する ために 6 の項目が要求 さ れ

ています。 :

電源過電圧がそれぞれの電源ピ ン に印加 さ れます。

電流注入がそれぞれの入力、 出力、 I/O 構成ピ ン に印加 さ れます。

こ れ ら のテ ス ト は EIA/JESD 78 IC latch-up standard に準拠 し ています。

表 32.

記号

LU

静電気感度

パラ メ ー タ

静的ラ ッ チア ッ プ ・ ク ラ ス

条件

T

A

= +105 ℃ JESD78A 準拠

ク ラ ス

II level A

Rev8- 日本語版

51/84

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参考資料

電気的特性

5.3.12

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

I/O ポー ト 特性

汎用入出力特性

特に明記がない限 り 、

表 33

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度 と

V

DD

供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。 すべての I/O は CMOS と TTL 互

換にな り ます。

表 33.

記号

I/O 静的特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位

V

V

V

V

V

IL

IH

IL

IH hys

入力 L レ ベル電圧

標準 IO 入力 H レ ベル電圧

IO FT

(1)

入力 H レ ベル電圧

入力 L レ ベル電圧

入力 H レ ベル電圧

標準 IO シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ

電圧 ヒ ス テ リ シ ス

(2)

O FT シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ

電圧 ヒ ス テ リ シ ス

(2)

TTL ポー ト

CMOS ポー ト

-0.5

5% V

2

2

-0.5

0.65 V

200

DD

DD

(3)

0.8

V

DD

+0.5

5.5V

0.35 V

V

DD

DD

+0.5

V

V mV mV

I lkg

入力 リ ー ク 電流

(4)

V

SS

≦ V

IN

≦ V

標準 I/O

DD

V

IN

= 5 V

I/O FT

± 1

3

μA

R

R

PU

PD

ウ イ ー ク ・ プルア ッ プ

等価抵抗

(5)

ウ イ ー ク ・ プルダウン

等価抵抗

(5)

V

V

IN

IN

= V

= V

SS

DD

30

30

40

40

50

50 kΩ kΩ

C

IO

I/O ピ ン静電容量

1. FT (5V 耐性)

5 pF

2. レ ベルのス イ ッ チ を し ている シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ間の ヒ ス テ リ シ ス電圧にな り ます。 特性を基

本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

3. 最低 100 mV にな り ます。

4.

リ ーケージは、 負電流が隣接する ピ ン に流入する場合は、 最大値よ り 高 く な り ます。

5. プルアップ、 プルダウン抵抗はスイッチで切り替えができる PMOS/NMOS と直列に真性抵抗として設計

されています。 この PMOS/NMOS の直列抵抗への関与は最小限にする必要があります。 (~ 10%)

52/84 Rev8- 日本語版

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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

出力 ド ラ イ ブ電流

GPIO (general purpose input/outputs) は、 最大 +/-8 mA を シ ン ク ま たは ソ ースする こ と がで

き、 また +20 mA ( 安定 し た V

OL

) を シ ン ク する こ と がで き ます。

ユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン において、 電流を駆動で き る I/O ピ ンの数は、

セ ク シ ョ ン 5.2

の最大絶対定格を守る ために制限 し なければな り ません。

V

DD

上の電流値の合計は、すべての I/O に よ る ソ ース と V

DD

消費電流の ソ ース と の合計は絶対最大定格 I

VDD

上の MCU におけ る最大 Run

を超え る こ と はで き ません。     (

表 6

を参照 )

V

SS

上の電流値の合計は、すべての I/O に よ る シ ン ク と V

SS

消費電流のシ ン ク と の合計は絶対最大定格 I

VSS

上の MCU におけ る最大 Run

を超え る こ と はで き ません。     (

表 6

を参照 )

出力電圧レ ベル

特に明記がない限 り 、

表 34

で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度 と V

供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。 すべての I/O は CMOS と TTL レ ベ

DD

ルに互換にな り ます。

表 34.

記号

出力電圧特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 最大値 単位

V

V

V

V

OL

(1)

OH

(2)

OL

(1)

OH

(2)

8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の

I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧

8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合

の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧

8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の

I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧

8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合

の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧

V

OL

(1)(3)

V

OH

(2)(3)

8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の

I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧

8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合

の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧

V

OL

(1)(3)

8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の

I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧

V

OH

(2)(3)

8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合

の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧

TTL ポー ト

I

IO

= +8 mA

2.7 V < V

DD

< 3.6 V

CMOS ポー ト

I

IO

=+ 8mA

2.7 V < V

DD

< 3.6 V

I

IO

= +20 mA

2.7 V < V

DD

< 3.6 V

I

IO

= +6 mA

2 V < V

DD

< 2.7 V

V

DD

– 0.4

2.4

V

DD

– 1.3

V

DD

– 0.4

0.4

0.4

1.3

0.4

V

V

V

V

1.

2.

3.

デバイ スによ り シ ン ク さ れた I

IO

な り ません。 また、 I

IO

電流は、

表 6

に示 さ れている絶対最大定格を常に守ら なければ

(I/O ポー ト と 制御ピ ン) の合計値は I

VSS

を超え る こ と はで き ません。

デバイ スによ り ソ ース さ れた I

IO

な り ません。 また、 I

IO

電流は、

表 6

に示 さ れてい る絶対最大定格を常に守 ら なければ

(I/O ポー ト と 制御ピ ン) の合計値は I

VDD

を超え る こ と はで き ません。

特性デー タ を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

入力 / 出力 AC 特性

入力 / 出力 AC 特性の定義 と 値は、

図 22

表 35

のそれぞれに示 さ れています。

特に明記がない限 り 、

V

DD

表 35

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、

供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。

表 8

で ま と めた周囲温度 と

表 35.

I/O AC 特性

(1)

MODEx[1:0] bit 値

(1)

記号 パ ラ メ ー タ 条件

最大

単位

10

01 f max(IO)out

最大周波数

(2) t f(IO)out

出力 H から L レ ベル

の立下 り 時間 t r(IO)out

出力 L か ら H レ ベル

の立上 り 時間 f max(IO)out

最大周波数

(2) t f(IO)out

出力 H から L レ ベル

の立下 り 時間 t r(IO)out

出力 L か ら H レ ベル

の立上 り 時間

C

C

C

C

L

L

L

L

= 50 pF、 V

= 50 pF、 V

= 50 pF、 V

= 50 pF、 V

DD

DD

DD

DD

= 2 V ~ 3.6 V

= 2 V ~ 3.6 V

= 2 V ~ 3.6 V

= 2 V ~ 3.6 V

25

25

2

125

125

10

(3)

(3)

(3)

(3)

MHz ns

MHz ns

11

F max(IO)out t t f(IO)out r(IO)out

最大周波数

(2)

出力 H から L レ ベル

の立下 り 時間

出力 L か ら H レ ベル

の立上 り 時間

C

L

= 30 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2 V ~ 2.7 V

C

L

= 30 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2 V ~ 2.7 V

C

L

= 30 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2.7 V ~ 3.6 V

C

L

= 50 pF、 V

DD

= 2 V ~ 2.7 V

50

30

MHz

MHz

20 MHz

5

(3)

8

(3)

12

(3)

5

(3)

8

(3)

12

(3) ns

t

EXTIpw

EXTI コ ン ト ロー ラ に

よ り 外部信号のパル

ス幅を検出

10 ns

1. I/O 速度は MODEx[1:0] bit を使用 し て構成 さ れます。GPIO ポー ト 構成レ ジ ス タ の詳細については

STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルを参照 し て く だ さ い。

2. 最大周波数は

図 22

に定義 し ています。

3. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

54/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 22.

I/O AC 特性の定義

電気的特性

10%

50%

90% 10%

50%

90%

50pF負荷の

外部出力 tr(IO)out tr(IO)out

T

50pF負荷の場合(tr + tf) ≦ 2/3)で、デューティサイクル(45 - 55%) の場合に最大周波数になります。 ai14131

5.3.13 NRST ピ ン特性

NRST ピ ン入力 ド ラ イバには CMOS テ ク ノ ロ ジが使用 さ れます。 その回路はパーマネ ン

ト ・ プルア ッ プ抵抗 R

PU

に接続 さ れています。 (

表 33

を参照 )

特に明記がない限 り

表 36

で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度 と V

DD

供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。

表 36.

記号

NRST ピ ン特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位

V

IL(NRST)

(1)

V

IH(NRST)

(1)

NRST 入力 L レ ベル電圧

NRST 入力 H レ ベル電圧

V hys(NRST)

NRST シ ュ ミ ッ ト ト リ ガ電圧

ヒ ス テ リ シ ス

ウ ィ ー ク ・ プルア ッ プ等価抵抗

(2)

R

PU

V

F(NRST)

(1)

V

NF(NRST)

(1)

NRST 入力 フ ィ ル タ ・ パルス

NRST 入力フ ィ ルタ ・ パルスな し

V

IN

= V

SS

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

– 0.5

2

30

300

200

40

0.8

V

DD

+0.5

50

100

V mV kΩ ns ns

2. プルア ッ プ抵抗はス イ ッ チで切 り 替えがで き る PMOS と 直列に真性抵抗 と し て設計 さ れます。 こ

の PMOS のシ リ ーズ抵抗への関与は最低にする必要があ り ます。 (~ 10%)

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参考資料

電気的特性

図 23.

NRST ピ ン保護のための推奨条件

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.14

外部リセット回路

(1)

NRST

(2)

VDD

R PU

フィルタ

0.1 µF

内部リセット

STM32F10xxx ai14132b

1.

リ セ ッ ト 回路網はデバイ ス を寄生リセットか ら保護 し ます。

2. NRST ピン上のレベルは 表 36

で指定されている V

IL(NRST)

の最大レベルより下回る必要があります。

その対応をしない場合は、 デバイスへリセットができない場合があります。

TIM タ イ マ特性

表 37

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 設計に よ り 保証 さ れています。

入出力オル タ ネー ト 機能特性 (出力比較、 入力キ ャ プ チ ャ、 外部 ク ロ ッ ク、 PWM 出力) に

ついての詳細は、

セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性

を参照 し て く だ さ い。

表 37.

記号

TIMx

(1)

特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 最大値 単位

1 t

TIMxCLK t res(TIM)

タ イ マ分解能時間

f

TIMxCLK

= 72 MHz

13.9

ns f

EXT

CH1 か ら CH4 の タ イ マ外

部 ク ロ ッ ク周波数 f

TIMxCLK

= 72 MHz

0

0 f

TIMxCLK

36

/2

MHz

MHz

Res

TIM

タ イ マ分解能 16 bit t

COUNTER

内部 ク ロ ッ クが選択 さ れ

た場合の、 16bit カ ウン タ

ク ロ ッ ク周期

1

f

TIMxCLK

= 72 MHz

0.0139

65536

910 t

TIMxCLK

μs

65536 × 65536 t

TIMxCLK t

MAX_COUNT

最大可能カ ウン ト

f

TIMxCLK

= 72 MHz

59.6

1. TIMx は TIM2、 TIM3、 TIM4 の参照用 と し て一般的な用語 と し て使用 さ れます。 s

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

5.3.15

電気的特性

通信イ ン タ フ ェ ース

I

2

C イ ン タ フ ェ ース特性

特に明記がない限 り 、

表 38

で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、

表 8

ま と めた周囲温度、 f

PCLK1

周波数、 V

DD

供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン I

2

C イ ン タ フ ェ ースは、 以下の条件で標準的な I

2

C

通信プ ロ ト コ ルの必要条件を満た し ます。 : SDA と SCL が配置 さ れた I/O ピ ンは本来の

“オープ ン ・ ド レ イ ン” ではあ り ません。 オープ ン ・ ド レ イ ン と し て構成 さ れる場合、 I/O

ピ ン と V

DD

ます。

の間に接続 し ている PMOS はデ ィ セーブルにな り ますが、 回路 と し ては存在 し

I

2

C の特性は、

表 38

に記載 さ れています。 入出力オル タ ネー ト 機能特性 (SDA と SCL) に

ついての詳細は

セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性 を参照 し て く だ さ い。

表 38.

I

2

C 特性

標準モー ド I

2

C

(1)

高速モー ド I

2

C

(1)(2)

記号 パ ラ メ ー タ 単位

最小値 最大値 最小値 最大値 t w(SCLL) t w(SCLH) t su(SDA) t h(SDA) t r(SDA) t r(SCL) t f(SDA) t f(SCL)

SCL ク ロ ッ ク ・ ロー 時間

SCL ク ロ ッ ク ・ ハイ時間

SDA セ ッ ト ア ッ プ時間

SDA デー タ ・ ホール ド 時間

SDA と SCL 立上 り 時間

SDA と SCL 立下 り 時間

4.7

4.0

250

0

(3)

1000

300

1.3

0.6

100

0

(4)

20 + 0.1C

b

900

(3)

300

300

μs ns t t t t h(STA) su(STA) su(STO) w(STO:STA)

START コ ンデ ィ シ ョ ン ・

ホール ド 時間

再 START コ ンデ ィ シ ョ ン ・

セ ッ ト ア ッ プ時間

STOP コ ンデ ィ シ ョ ン ・

セ ッ ト ア ッ プ時間

STOP から START コ ンデ ィ

シ ョ ン時間 (バス フ リ ー)

4.0

4.7

4.0

4.7

0.6

0.6

0.6

1.3

μs ms ms

C b

各々のバス ラ イ ンの容量性負荷 400 400 pF

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2. I

2

C 標準モー ド の最大周波数にするには、 f

PCLK1

モー ド の最大周波数する ためには、 f

PCLK1

を 2 MHz 以上にする必要があ り 、 I

を 4 MHz 以上にする必要があ り ます。

2

C の高速

3. イ ン タ フ ェ ースが SCL 信号のロー ・ ピ リ オ ド を ス ト レ ッ チ し ない場合、 START コ ンデ ィ シ ョ ン

の最大ホール ド 時間を、 こ の時間に合わせる必要があ り ます。

4. デバイ スは SCL の立下 り エ ッ ジの未定義部分にブ リ ッ ジする ために SDA 信号について少な く と

も 300ns のホール ド 時間を内部的に提供 し なければな り ません。

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性

図 24.

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

I

2

C バス AC 波形 と 測定回路

VDD VDD

4.7kΩ

4.7kΩ

I

2

C bus

100Ω

100Ω

STM32F103xx

SDA

SCL

スタート・リピート

スタート tsu(STA)

スタート

SDA tf(SDA) th(STA) tr(SDA) tw(SCKL) tsu(SDA) th(SDA)

STOP tsu(STA:STO)

SCL tw(SCKH) tr(SCK) tf(SCK) tsu(STO) ai14149b

1. 測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています : 0.3V

DD

及び 0.7V

DD

表 39.

SCL 周波数 (f

PCLK1

= 36 MHz.、 V

DD

= 3.3 V)

(1)(2)

I2C_CCR 値 f

SCL

(kHz)

400

300

200

R

P

= 4.7 kΩ

0x801E

0x8028

0x803C

100

50

0x00B4

0x0168

20 0x0384

1. R

P

= 外部プルア ッ プ抵抗、 f

SCL

= I

2

C 速度。

2. 200 kHz の速度について、 こ の速度の許容値は± 5%にな り ます。 他の速度については、 その速

度を達成する ための許容値は± 2%にな り ます。 こ の幅は、 ア プ リ ケーシ ョ ンの設計に使われる

外部部品の精度に依存 し ます。

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正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

SPI イ ン タ フ ェ ース特性

特に明記がない限 り 、

f

PCLKx

周波数、 V

DD

表 40

で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、

表 8

で ま と めた周囲温度、

供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。

入力 / 出力オル タ ネー ト 機能特性 (NSS、 SCK、 MOSI、 MISO) について、 よ り 詳細な説明

は、

セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性

を参照 し て く だ さ い。

表 40.

記号

SPI 特性

(1)

パ ラ メ ー タ 条件 f

1/t

SCK c(SCK)

SPI ク ロ ッ ク周波数

マス タ ・ モー ド

ス レーブ ・ モー ド t t t t t r(SCK) t f(SCK) su(NSS)

(2) h(NSS)

(2) w(SCKH)

(2) w(SCKL)

(2)

SPI ク ロ ッ ク立上 り 、

立下 り 時間

NSS セ ッ ト ア ッ プ時間

NSS ホール ド 時間

SCK ハイ及びロー時間

容量性負荷 : C = 30 pF

ス レーブ ・ モー ド

ス レーブ ・ モー ド

マス タ ・ モー ド 、 f

PCLK

MHz、 presc = 4

= 36

SPI1 t t su(MI)

(2) su(SI)

(2)

デー タ 入力セ ッ ト ア ッ プ

時間

マス タ ・ モー ド

デー タ 入力セ ッ ト ア ッ プ

時間

ス レーブ ・ モー ド

SPI2 t t t t t h(MI)

(2) v(SO)

(2)(1) v(MO)

(2)(1) h(SO)

(2) h(MO)

(2)

デー タ 入力ホール ド 時間

マス タ ・ モー ド

デー タ 出力有効時間

デー タ 出力有効時間

デー タ 出力ホール ド 時間

SPI1

SPI2 t t h(SI)

(2) a(SO)

(2)(3)

デー タ 入力ホール ド 時間

ス レーブ ・ モー ド

デー タ 出力ア ク セス時間

ス レーブ ・ モー ド 、 f

PCLK

= 36

MHz、 presc = 4

ス レーブ ・ モー ド 、 f

PCLK

= 24

MHz t dis(SO)

(2)(4)

デー タ 出力デ ィ セーブル

時間

ス レーブ ・ モー ド

ス レーブ ・ モー ド

( イ ネーブル ・ エ ッ ジ後)

マス タ ・ モー ド

(イ ネーブル ・ エ ッ ジ後)

ス レーブ ・ モー ド

( イ ネーブル ・ エ ッ ジ後)

マス タ ・ モー ド

(イ ネーブル ・ エ ッ ジ後)

1. SPI1 特性の再配置は TBD にな り ます。

2.

特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

最小値 最大値 単位

0

0

18

18

MHz

4 t

PCLK

73

50

1

5

1

1

5

3

0

0

10

25

4

8

60

55

4 t

PCLK

25

3 ns

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 25.

3. 最小時間は出力を駆動する ための最小時間で、 最大時間はデー タ を確認する ための最大時間にな

り ます。

4. 最小時間は出力を無効にする ための最小時間で最大時間はデー タ をハイ ・ イ ン ピーダ ン スにする

最大時間です。

SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 0

NSS

入力 tc(SCK) tSU(NSS)

CPHA=0

CPOL=0

CPHA=0

CPOL=1 tw(SCKH) tw(SCKL)

MISO

出力 ta(SO) tsu(SI)

MOSI

入力 tv(SO)

MSBOUT

MSBIN th(SI) th(SO)

BIT6OUT

BIT1IN tr(SCK) tf(SCK)

LSBOUT tdis(SO)

LSBIN th(NSS) ai14134c

図 26.

SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 1

(1)

NSS

入力

CPHA=1

CPOL=0

CPHA=1

CPOL=1 tSU(NSS) tw(SCKH) tw(SCKL)

MISO

出力

MOSI

入力 ta(SO) tsu(SI) tc(SCK) tv(SO)

MSBOUT th(SI)

MSBIN th(SO)

BIT6OUT

BIT1IN th(NSS) tr(SCK) tf(SCK) tdis(SO)

LSBOUT

LSBIN ai14135

1.

測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています。 : 0.3V

DD

及び 0.7V

DD

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 27.

SPI タ イ ミ ン グ図 - マス タ ・ モー ド

(1)

High

NSS

入力 tc(SCK)

CPHA=0

CPOL=0

CPHA=0

CPOL=1

電気的特性

CPHA=1

CPOL=0

CPHA=1

CPOL=1

MISO

入力

MOSI

出力 tsu(MI) tw(SCKH) tw(SCKL)

MSBIN th(MI)

MSB OUT tv(MO)

BIT6 IN

BIT1 OUT th(MO) tr(SCK) tf(SCK)

LSB IN

LSB OUT ai14136

1. 測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています。 : 0.3V

DD

及び 0.7V

DD

USB 特性

USB イ ン タ フ ェ ースは USB-IF 準拠 ( フルス ピー ド ) にな り ます。

表 41.

記号

USB ス タ ー ト ア ッ プ時間

パラ メ ー タ t

STARTUP

(1)

USB 転送ス タ ー ト ・ ア ッ プ時間

1. 設計によ り 保証 さ れて る ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

表 42.

記号

USB DC 電気特性

パラ メ ー タ

入力レ ベル

V

V

DD

DI

(4)

V

CM

(4)

USB 動作電圧

(2)

差動入力感度

V

SE

(4)

差動 コ モ ン ・ モー ド 範囲

シ ングルエ ン ド 受信ス レ シ ョ ル

出力レ ベル

条件

I(USBDP、 USBDM)

V

DI

範囲含む

最大値

1

最小値

(1)

最大値

(1)

3.0

(3)

0.2

0.8

1.3

3.6

2.5

2.0

単位

μs

単位

V

V

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正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性

5.3.16

5.3.17

注意

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 42.

USB DC 電気特性 (続き)

記号 パラ メ ー タ 条件 最小値

(1)

V

OL

V

OH

ス タ テ ィ ッ ク出力レ ベル L

ス タ テ ィ ッ ク出力レ ベル H

R

R

L

1.5 kΩ ~ 3.6 V

L

15 kΩ ~ V

(5)

SS

(5)

1. 全ての電圧は、 ロー カル ・ グ ラ ン ド ・ ポテ ン シ ャルか らの測定です。

2.8

最大値

(1)

0.3

3.6

単位

V

2. USB 2.0 フルス ピー ド の電気仕様に準拠する ために、 USBDP (D+) ピ ンは、 3.0 ~ 3.6V の電圧範

囲に、 1.5kΩ の抵抗で プルア ッ プする必要があ り ます。

3. STM32F103xx の USB 機能は 2.7V ま では確実に動作 し ますが、 2.7 ~ 3.0V の V

DD

下する完全な USB 電気特性にはな り ません。

電圧の範囲で低

4. 設計によ り 保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

5. R

L

は USB ド ラ イバ上に接続 さ れる負荷にな り ます。

図 28.

USB タ イ ミ ン グ : デー タ 信号の立上が り と 立下 り 時間の定義

クロスオーバ

ポイント

ディファレンシャル

データ・ライン

VCRS

VSS tf tr ai14137

 

表 43.

記号

USB: フ ルス ピー ド 電気的特性

(1)

パラ メ ー タ 条件 最小値 最大値 単位

ド ラ イバ特性 t r t f t rfm

V

CRS

立上 り 時間

立下 り 時間

(2)

(2)

立上 り / 立下 り 時間マ ッ チ ン グ

出力信号 ク ロ スオーバ電圧

C

C

L

L

= 50 pF

= 50 pF t r

/t f

4

4

90

1.3

20

20

110

2.0

ns ns

%

V

1. 設計によ り 保証 さ れています。 生産時にはテ ス ト さ れません。

2. デー タ 信号の 10%~ 90%で測定 し ています。 さ ら に詳細に関 し ては USB Specification - Chapter

7   (version 2.0) を参照 し て く だ さ い。

CAN (controller area network) イ ン タ フ ェ ース

入力 / 出力オル タ ネー ト 機能の特性 (CANTX と CANRX) についての さ ら に詳 し い説明に

ついては、

セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性

を参照 し て く だ さ い。

12bit ADC 特性

特に明記がない限 り 、 表 44

で示 さ れているパラ メ ー タ は、 表 8

で ま と めた周囲温度、 f

PCLK2

周波数 と V

DDA

供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。

それぞれの電源投入後に較正を行 う こ と が推奨 さ れます。

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 電気的特性

表 44.

記号

ADC 特性

パラ メ ー タ 条件 最小値 標準値 最大値 単位

V

DDA

V

REF+

I

VREF f

ADC f

S

(2)

電源供給

ポジ テ ィ ブ基準電圧

V

REF

入力ピ ン電流

ADC ク ロ ッ ク周波数

サン プ リ ング ・ レー ト

2.4

2.4

0.6

0.05

160

(1)

3.6

V

DDA

220

(1)

14

1

V

V

μA

MHz

MHz f

TRIG

(2)

V

AIN

外部 ト リ ガ周波数

変換電圧範囲

(3) f

ADC

= 14 MHz 823

17

0 (V

SSA

V

REF-

も し く は

を GND に

接続)

式 1

表 45

を参照

V

REF+ kHz

1/f

ADC

V

R

AIN

(2)

R

ADC

(2)

C

ADC

(2)

外部入力イ ン ピーダ ン ス

サン プ リ ング ・ ス イ ッ チ抵抗

内部サン プル と ホール ド 負荷容量

1

12 kΩ kΩ pF t

CAL

(2) t lat

(2) t latr

(2) t

S

(2) t

STAB

(2) t

CONV

(2)

較正時間

供給 ト リ ガ変換遅延

レギ ュ ラ ・ ト リ ガ変換遅延

サン プ リ ング時間

パワー ・ ア ッ プ時間

すべての変換時間

(サン プ リ ング時間含む) f

ADC

= 14 MHz f

ADC

= 14 MHz f

ADC

= 14 MHz f

ADC

= 14 MHz f

ADC

= 14 MHz

5.9

83

0.214

3

(4)

0.143

2

(4)

0.107

1.5

0 0

17.1

239.5

1

1 18

14 ~ 252 (サン プ リ ン グ時間 t

S

+12.5 で近似 さ れる)

1/f

ADC

1. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

3. パ ッ ケージによ り V

REF+

ます。 詳細については

は V

DDA

へ内部的に接続する こ と がで き、 V

REF-

セ ク シ ョ ン 3: ピ ンの詳細

を参照 し て く だ さ い。

は V

SSA

へ内部的に接続する こ と がで き

4. 外部 ト リ ガについて、 1/f

PCLK2

の遅延は

表 44

で指定 さ れる遅延に加え る必要があ り ます。

μs

1/f

ADC

μs

1/f

ADC

μs

1/f

ADC

μs

1/f

ADC

μs

μs

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

電気的特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

式 1: R

AIN

R

AIN

<

最大値 公式

T f

--------------------------------------------------------------

R

ADC

×

C

ADC

× ln

(

2

N + 2

)

ADC

上記の (

式 1

) 公式は、 LSB の 1/4 の以下でのエ ラ ーについて許 さ れる最大外部イ ン ピーダ ン ス を決

めるのに使用 さ れます。 こ こ で N = 12 にな り ます。 (12bit 解像度よ り )

表 45.

1.5

7.5

13.5

28.5

41.5

55.5

71.5

239.5

f

ADC

= 14 MHz

(1)

の R

AIN

最大値

T s

( サイ ク ル ) t

S

(μs)

0.11

0.54

0.96

2.04

2.96

3.96

5.11

17.1

1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

表 46.

記号

ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件

(1) (2)

パラ メ ー タ テ ス ト 条件

60

80

104

350

1.2

10

19

41

R

AIN

最大値 (kΩ)

標準値 最大値

(3)

単位

1.

ET

EO

EG

ED

EL

全未調整エ ラ ー

オ フ セ ッ ト エ ラ ー

ゲ イ ン エ ラ ー

微分直線性エ ラ ー

積分直線性エ ラ ー f f

PCLK2

= 56 MHz、

ADC

= 14 MHz、 R

AIN

< 10 kΩ、

V

DDA

= 3 V ~ 3.6 V

T

A

= +25 ℃

測定は ADC 較正後

V

REF+

= V

DDA

ADC DC 精度値は内部較正後に測定 さ れています。

2.

± 1.3

± 1

± 0.5

± 0.7

± 0.8

± 2

± 1.5

± 1.5

± 1

± 1.5

LSB

ADC 精度 vs 流出電流 : 標準 (non-robust) アナログ入力ピ ンへの負電流の供給は別のアナログ入力

で実行 さ れている転換の精度を大き く 落 と すために避けなければな り ません。 そのため、 負電流

の供給をする ために、 シ ョ ッ ト キー ・ ダ イ オー ド (ピ ンか ら GND) を標準アナログピ ンへ接続

する こ と が推奨 さ れています。

セ ク シ ョ ン 5.3.12

の I

INJ(PIN)

と ΣI

INJ(PIN)

について特定の範囲内での流入電流電流は ADC 精度に

影響を及ぼす こ と はあ り ません。

3.

特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 29.

電気的特性

表 47.

記号

ADC 精度

(1) (2) (3)

パラ メ ー タ テ ス ト 条件 標準値 最大値

(4)

単位

ET

EO

EG

ED

EL

全未調整エ ラ ー

オ フ セ ッ ト エ ラ ー

ゲ イ ン エ ラ ー

微分直線性エ ラ ー

積分直線性エ ラ ー f f

PCLK2

= 56 MHz、

ADC

= 14 MHz、 R

AIN

< 10 kΩ

V

DDA

= 2.4 V ~ 3.6 V

測定は ADC 較正後

± 2

± 1.5

± 1.5

± 1

± 1.5

± 5

± 2.5

± 3

± 2

± 3

LSB

1. ADC DC 精度値は内部較正後に測定 さ れています。

2. よ り 良い性能は、 制限 さ れた V

DD、

周波数、 V

REF

及び温度範囲で達成する こ と がで き ます。

3. ADC 精度 vs 流出電流 : 標準 (non-robust) アナログ入力ピ ンへの負電流の供給は別のアナログ入

力で実行 さ れている転換の精度を大き く 落 と すために避けなければな り ません。 そのため、 負電

流の供給をする ために、 シ ョ ッ ト キー ・ ダ イ オー ド (ピ ンか ら GND) を標準アナログピ ンへ接

続する こ と が推奨 さ れています。

セ ク シ ョ ン 5.3.12

の I

INJ(PIN)

を及ぼす こ と はあ り ません。

と ΣI

INJ(PIN)

について特定の範囲内での流入電流は ADC 精度に影響

4.

特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

ADC 精度特性

[1LSB

IDEAL

=

V

REF+

4096

(パッケージによっては

VDDA

4096

4095

4094

4093

7

6

5

4

3

2

1

0

V

SS A

1

E

O

2 3 4 5

E

T

1 LS B

IDE AL

6

E

L

7

(2)

E

D

(3)

(1)

E

G

4093 4094 4095 4096

V

DDA

ET = 全未調整エラー

EO = オフセットエラー

EG = ゲインエラー

ED = 微分直線性エラー

EL = 積分直線性エラー

実際の変換カーブと理想変換

カーブ間の最大偏差

最初の実際トランジッションと

理想トランジッション間の偏差

理想トランジッションと最後の実際

のトランジッション間の偏差

実際のステップと理想ステップ間

の最大偏差

実際の変換とエンドポイント相関

ライン間の最大偏差 ai14395b

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参考資料

電気的特性

図 30.

ADC を使用する一般的な接続図

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

VAIN

RAIN(1)

AINx

Cparasitic

VDD

VT

0.6 V

VT

0.6 V

IL±1 µA

STM32F103xx

サンプル&ホールドADC

コンバータ

RADC(1)

12bit

コンバータ

CADC(1) ai14150c

1. R

AIN

、 R

ADC

、 C

ADC

の値については

表 44

を参照 し て く だ さ い。

2. C

PARASITIC

は PCB の容量 (ハン ダ付け と PCB レ イ アウ ト の品質に依存) にパ ッ ド ・ キ ャ パシ タ

ン ス ( 約 7 pF) を加えた容量を意味 し ています。 高い C

PARASITIC

の値は、 変換精度の性能を下げ

る こ と にな り ます。 こ れを是正する ために、 fADC を低減する必要があ り ます。

一般的な PCB 設計ガ イ ド ラ イ ン

電力供給のデ カ ッ プ リ ン グは、

図 31

も し く は

図 32

で示すよ う に行わなければな り ませ

ん。 こ れは V

REF+

が V

DDA

に接続 し てい るか、 接続 し ていないかに よ り ます。 10 nF のキ ャ

パシ タ は、 セ ラ ミ ッ ク (高品質) に し なければな り ません。 こ れ らは、 で き る限 り チ ッ プ

の近 く に配置 し なければな り ません。

図 31.

電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ (V

REF+

を V

DDA

への接続な し

)

STM32F103xx

V

REF+

(

注1を参照)

1 µF // 10 nF

1 µF // 10 nF

V

DDA

V

SSA

/V

REF–

(

注1を参照

)

1. V

REF+

及び V

REF-

の入力は 100 ピ ン ・ パ ッ ケージのみ対応 し ています。 ai14388b

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 32.

電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ (V

REF+

を V

DDA

へ接続)

STM32F103xx

V /V

DDA

(

注1を参照

)

電気的特性

1 µF // 10 nF

V /V

SSA

(

注1を参照

)

5.3.18 ai14389

1.

V

REF+

及び V

REF-

の入力は 100 ピ ン ・ パ ッ ケージのみ対応 し ています。

温度セ ンサ特性

表 48.

TS 特性

記号 パ ラ メ ー タ 最小値 標準値 最大値 単位

T

L

(1)

Avg_Slope

(1)

温度によ る V

SENSE

直線性

平均傾斜 4.0

± 1

4.3

± 2

4.6

℃ mV/ ℃

V

25

(1)

t

START

(2)

T

S_temp

(3) (2)

+25 ℃での電圧

ス タ ー ト ア ッ プ時間

温度読込み時の ADC サン プ リ ング時間

1.34

4

1.43

1.52

10

17.1

V

μs

μs

1. 特性で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

2. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。

3. 最短サン プ リ ン グ時間は、 複数回の繰 り 返 し によ り ア プ リ ケーシ ョ ン で決める こ と がで き ます。

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参考資料

パ ッ ケージ特性

6 パ ッ ケージ特性

6.1

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

パ ッ ケージ ・ デー タ

環境要件に適合 さ せる ために 、 ST は ECOPACK

®

パ ッ ケージ で STM32F103xx を提供 し ま

す。 こ れ らのパ ッ ケージは、 鉛 フ リ ーのセ カ ン ド レ ベル ・ イ ン タ ー コ ネ ク ト にな り ます。

JEDEC Standard JESD97JEDEC Standard JESD97 に従い、 セ カ ン ド レ ベルのイ ン タ ー コ ネ

ク ト のカ テ ゴ リ ーはパ ッ ケージや内部のボ ッ ク ス ラ ベルに記載 さ れています。

また、 ハン ダ付けの条件に関 し ての最大定格は梱包内部のボ ッ ク ス ラ ベルに記載 さ れてい

ます。

ECOPACK は ST の登録商標です。 ECOPACK の仕様は、 www.st.com か ら 入手する こ と がで

き ます。

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB パ ッ ケージ特性

図 33.

Seating plane

C

VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、     

パ ッ ケージ外形寸法

(1)

図 34.

ddd C

A2 A

A3

A1 b

E2

27 19

28

27

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)(2)(3)

4.30

4.10

19

1.00

18

0.50

18

28

4.30

4.80

4.10

4.80

D e

D2

36

1 9

10

0.75

36

10

0.30

6.30

ai14870b

1 9

Pin # 1 ID

R = 0.20

E

L

ZR_ME

1. こ の図は実際のスケールではあ り ません。

2. バ ッ クサイ ド パ ッ ド は、 V

SS

または V

DD

電源パ ッ ド に内部的に接続 し ていません。

3. 露出 し たダ イパ ッ ド が、 VFQFPN パ ッ ケージの下面にあ り ます。 その部分は PCB にハン ダ付け さ れなければな

り ません。 全ての読込みは、 PCB にハン ダ付けする必要があ り ます。

表 49.

VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 パ ッ ケージ外形寸法デー タ

ミ リ メ ー タ (mm) イ ン チ (inches)

(1)

記号

最小値 標準値 最大値 最小値

E

E2 e

L ddd b

D

D2

A

A1

A2

A3

0.800

0.180

5.875

1.750

5.875

1.750

0.450

0.350

0.900

0.020

0.650

0.250

0.230

6.000

3.700

6.000

3.700

0.500

0.550

0.080

1.000

0.050

1.000

0.300

6.125

4.250

6.125

4.250

0.550

0.750

0.0315

0.0071

0.2313

0.0689

0.2313

0.0689

0.0177

0.0138

1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。

標準値

0.0354

0.0008

0.0256

0.0098

0.0091

0.2362

0.1457

0.2362

0.1457

0.0197

0.0217

0.0031

最大値

0.0394

0.0020

0.0394

0.0118

0.2411

0.1673

0.2411

0.1673

0.0217

0.0295

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参考資料

パ ッ ケージ特性

図 35.

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法

C

シートプレーン ddd C

A1 A A2 A4 A3

B

e

D

D1

F

A

K

J

H

G

F

E

D

C

B

A

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

F e

E1

E

A1

コーナはインデックスエリア

(

5

を参照

)

∅ (100

ボール

)

∅ eee

∅ fff

M

M

C A B

C

Bottom view

1. こ の図は実際のスケールではあ り ません。 ai14396

表 50.

記号

LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array

パ ッ ケージ外形寸法デー タ

ミ リ メ ー タ (mm) イ ン チ (inch)

(1)

最小値 標準値 最大値 最小値 標準値 最大値

0.0669

b

D

A3

A4

A

A1

A2

D1

E

E1 e

F ddd eee fff

N ( ボール数 )

0.270

0.45

9.85

9.85

1.085

0.30

0.50

10.00

7.20

10.00

7.20

0.80

1.40

1.700

0.80

0.55

10.15

10.15

0.12

0.15

0.08

100

0.0106

0.0177

0.3878

0.3878

0.0427

0.0118

1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。

0.0197

0.3937

0.2835

0.3937

0.2835

0.0315

0.0551

0.0315

0.0217

0.3996

0.3996

0.0047

0.0059

0.0031

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 36.

推奨 PCB 設計ルール (0.80/0.75 mm ピ ッ チ BGA)

パ ッ ケージ特性

Dpad 0.37 mm

Dsm

標準値 0.52 mm (ハン ダ ・ マス ク と

レ ジス ト の誤差によ る)

Solder paste 0.37 mm アパチ ャ ー径

– ハン ダ ・ マス ク 外の奨励 さ れるパ ッ ド

– 4 ~ 6 ミ ル (mil) のス ク リ ーン ・ プ リ ン ト

Dpad

Dsm

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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

パ ッ ケージ特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 37.

LQFP100、 100 ピ ン low-profile quad flat      

パ ッ ケージ外形寸法

(1)

図 38.

0.25 mm

0.10 inch

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)(2)

D

D1

D3

51

L1

C

L k

75

76

0.5

76

75

50

16.7

14.3

b

E3 E1 E

100

1

100

Pin 1 identification

1 25

26 ccc C

12.3

16.7

e

A1

A2

A

C

1L_ME

1.

こ の図は実際のスケールではあ り ません。

2.

図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。

表 51.

LQPF100、 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ

ミ リ メ ー タ (mm) イ ン チ (inch)

(1)

記号

1.

標準値 最小値 最大値 標準値

E1

E3 e

L

D1

D3

E

L1 k ccc b c

D

A

A1

A2 1.4

0.22

14

12

0.5

0.6

1

3.5°

16

14

12

16

0.05

1.35

0.17

0.09

15.8

13.8

15.8

13.8

0.45

1.6

0.15

1.45

0.27

0.2

16.2

14.2

16.2

14.2

0.75

0.0551

0.0087

0.6299

0.5512

0.4724

0.6299

0.5512

0.4724

0.0197

0.0236

0.0394

3.5° 0.0°

0.08

7.0°

イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。

最小値

0.002

0.0531

0.0067

0.0035

0.622

0.5433

0.622

0.5433

0.0177

0.0°

0.0031

0.3

51

25

50

26

1.2

最大値

0.063

0.0059

0.0571

0.0106

0.0079

0.6378

0.5591

0.6378

0.5591

0.0295

7.0° ai14906

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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB パ ッ ケージ特性

図 39.

E E1

LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat            

パ ッ ケージ外形寸法

図 40.

A

A2

A1

49

推奨 フ ッ ト プ リ ン ト

(1)(1)

48

0.5

33

32

0.3

b

12.7

10.3

10.3

e

64 17

1.2

1

D1

D

L1 c

7.8

12.7

L ai14398b

1.

図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。

表 52.

LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ

ミ リ メ ー タ (mm) イ ン チ (inch)

(1)

Dim.

最小値

0.05

1.35

0.17

0.09

標準値 最大値

1.60

0.15

1.45

0.27

0.20

最小値 e q

E

E1

L

L1

D

D1 b c

A

A1

A2

0.45

1.40

0.22

12.00

10.00

12.00

10.00

0.50

3.5°

0.60

1.00

0.75

0.0020

0.0531

0.0067

0.0035

0.0177

ピ ン数

N

64

1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。

標準値

0.0551

0.0087

0.4724

0.3937

0.4724

0.3937

0.0197

3.5°

0.0236

0.0394

16 ai14909

最大値

0.0630

0.0059

0.0571

0.0106

0.0079

0.0295

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参考資料

パ ッ ケージ特性 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 41.

LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat                

パ ッ ケージ外形寸法デー タ

(1)

Seating plane

C

図 42.

推奨 フ ッ ト プ リ ン

(1)(2)

A A2

A1 b ccc

C

D

D1

D3

36

37

25

24 c

A1

L1

L

E3 E1

E

0.25 mm

Gage plane k

9.70

5.80

48

Pin 1 identification

1 12

13

5B_ME

1.

2.

こ の図は実際のスケールではあ り ません。

図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。

表 53.

LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ

ミ リ メ ー タ (mm) イ ン チ (inch)

(1)

記号

1.

標準値 最小値 最大値 標準値

L

L1 k ccc

D3

E

E1

E3 e

D

D1 b c

A

A1

A2 1.400

0.220

9.000

7.000

5.500

9.000

7.000

5.500

0.500

0.600

1.000

3.5°

0.050

1.350

0.170

0.090

8.800

6.800

8.800

6.800

0.450

0.080

1.600

0.150

1.450

0.270

0.200

9.200

7.200

9.200

7.200

0.750

0.2165

0.3543

0.2756

0.2165

0.0197

0.0236

0.0394

3.5°

0.0551

0.0087

0.3543

0.2756

イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。

最小値

0.3465

0.2677

0.0177

0.0031

0.0020

0.0531

0.0067

0.0035

0.3465

0.2677

37

36

7.30

48

1

7.30

0.50

1.20

25

24

0.20

0.30

13

12

1.20

5.80

9.70

ai14911b

最大値

0.3622

0.2835

0.0295

0.0630

0.0059

0.0571

0.0106

0.0079

0.3622

0.2835

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

6.2

6.2.1

パ ッ ケージ特性

熱特性

チ ッ プの最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 (T

J max) は

表 8: 一般的な動作条件 (32 ページ)

てい る値を絶対に超え ないよ う に し なければな り ません。

で示 さ れ

チ ッ プの最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 T

J

と がで き ます。

max は摂氏で示 さ れ、 以下の式を使 っ て計算する こ

T

J

max = T

A

max + (P

D

max × Θ

JA

)

詳細内容 :

T

A

最大値は最大周囲温度で、 ℃で表 さ れます。

Θ

JA

はパ ッ ケージ ・ ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 と 周囲温度の熱抵抗で℃ /W で表 さ れます。

P

D

max は P

INT

max   と P

I/O max の合計値にな り ます。 (P

D

max = P

INT

max + P

I/O max)

P

INT

max は I

DD

と V

DD

の積にな り 、 ワ ッ ト (W) で表 し チ ッ プ内の電力にな り ます。

P

I/O

max 出力ピ ンの最大電力損出を表 し ます :

P

I/O

max = ∑ (V

OL

× I

OL

) + ∑ ((V

DD

– V

OH

) × I

OH

)、

I

ア プ リ ケーシ ョ ン での低も し く は高レ ベルにおいての I/O は実際の V

OL

OH

を考慮 し なければな り ません。

/ I

OL

及び V

OH

/

表 54.

記号 値 単位

Θ

JA

熱特性

パ ラ メ ー タ

接合部-周囲温度間熱抵抗

LFBGA100 - 10 x 10 mm / 0.5 mm ピ ッ チ

接合部-周囲温度間熱抵抗

LQFP100 - 14 x 14 mm / 0.5 mm ピ ッ チ

接合部-周囲温度間熱抵抗

LQFP64 - 10 x 10 mm / 0.5 mm ピ ッ チ

接合部-周囲温度間熱抵抗

LQFP48 - 7 x 7 mm / 0.5 mm ピ ッ チ

接合部-周囲温度間熱抵抗

VFQFPN 36 - 6 x 6 mm / 0.5 mm ピ ッ チ

41

46

45

55

18

℃ /W

参考 ド キ ュ メ ン ト

JESD51-2 Integrated Circuits Thermal Test Method Environment Conditions - Natural

Convection (Still Air). こ の ド キ ュ メ ン ト については www.jedec.org か ら入手する こ と がで き

ます。

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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の

正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情

報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

パ ッ ケージ特性

6.2.2

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

温度範囲対応製品の選択

マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ を注文する場合、 温度範囲は

表 55: 注文コ ー ド

で指定する こ と がで

き ます。

それぞれの温度範囲サ フ ィ ッ ク スは最大消費電力に特定の保証 さ れた周囲温度に対応 し 、

また特定の最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度に も 対応 し ます。 .

ア プ リ ケーシ ョ ンが STM32F103xx の最大電力消費を一般的に使用 し ないよ う にする ため、

ア プ リ ケーシ ョ ン に最適な温度範囲を決めるのに正確な消費電力 と ジ ャ ン ク シ ョ ン温度を

計算するのに役立ち ます。

以下の例は、 提供 さ れたア プ リ ケーシ ョ ン について必要 と さ れる温度範囲を計算する方法

を示 し ています。

例 1 : 高性能ア プ リ ケーシ ョ ン

以下のア プ リ ケーシ ョ ン を条件 と し ます。 :

最大周囲温度 T

Amax

= 82 ℃ (JESD51-2 により測定 )、 I

DDmax

= 8 mA、 V

20 mA、 V

OL

OL

= 50 mA、 V

DD

= 3.5 V、 I

= 0.4 V でロー ・ レベルにおいて出力を同時に最大 20 個の I/O を使用、 I

OL

OL

= 1.3 V でロー ・ レベルにおいて出力を同時に最大 8 個の I/O を使用します。

=

P

INTmax

= 50 mA × 3.5 V= 175 mW

P

IOmax

= 20 × 8 mA × 0.4 V + 8 × 20 mA × 1.3 V = 272 mW

こ れに よ り : P

INTmax

= 175 mW and P

IOmax

= 272 mW:

P

Dmax

= 175 + 272 = 447 mW

その結果 : P

Dmax

= 464 mW

表 54

の T

Jmax

の値を使用する こ と に よ り 以下のよ う に計算で き ます。 :

– For LQFP100、 46 ℃ /W

T

Jmax

= 82 ℃ + (46 ℃ /W × 447 mW) = 82 ℃ + 20.6 ℃ = 102.6 ℃

こ れはサ フ ィ ッ ク ス 6 バージ ョ ン パーツの範囲内にな り ます。 ( – 40 < T

J

< 105 ℃ )

この場合、 パーツは温度範囲サフィックス 6 を注文して下さい。 (

表 55: 注文コ ー ド

を参照 )

例 2 : 高温時のア プ リ ケーシ ョ ン

同 じ 規則を使用 し て、 ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 T が指定 さ れた範囲にあ る限 り 、 低電力で高い

周囲温度で動作する ア プ リ ケーシ ョ ン に対応する こ と が出来ます。

以下のア プ リ ケーシ ョ ン を条件 と し ます。 :

最大周囲温度 T

Amax

= 8 mA、 V

OL

= 115 ℃ (JESD51-2 に よ り 測定 )、 I

DDmax

= 20 mA、V

DD

= 3.5 V、 I

OL

= 0.4 V での Low レ ベルにおいて出力を同時に最大 20 個の I/O を使用、

P

INTmax

= 20 mA × 3.5 V= 70 mW

P

IOmax

= 20 × 8 mA × 0.4 V = 64 mW

こ れに よ り : P

INTmax

= 70 mW and P

IOmax

= 64 mW:

P

Dmax

= 70 + 64 = 134 mW

その結果 : P

Dmax

= 134 mW

表 54

の T

Jmax

の値を使用する こ と に よ り 以下のよ う に計算で き ます。 :

– LQFP100、 46 ℃ /W について

T

Jmax

= 115 ℃ + (46 ℃ /W × 134 mW) = 115 ℃ + 6.2 ℃ = 121.2 ℃

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

図 43.

パ ッ ケージ特性

こ れはサ フ ィ ッ ク ス 7 バージ ョ ン パーツの範囲内にな り ます。 ( – 40 < T

J

< 125 ℃ )

こ の場合、 パーツは温度範囲サ フ ィ ッ ク ス 7 を注文注文 し て下 さ い。 (

表 55: 注文 コ ー ド

参照 )

LQFP100 P

D

最大値   対 T

A

700

600

500

400

300

200

100

0

65 75 85 95 105 115 125 135

T

A

(°C)

Suffix 6

Suffix 7

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参考資料

注文 コ ー ド

7 注文 コ ー ド

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 55.

例 :

注文 コ ー ド

デバイ ス フ ァ ミ リ 名

STM32 = ARM ベース 32bit マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ

STM32 F 103 C 6 T 7 xxx

製品 タ イ プ

F = 汎用

デバイ ス サブ フ ァ ミ リ 名

103 = パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン

ピ ン数

T = 36 ピ ン

C = 48 ピ ン

R = 64 ピ ン

V = 100 ピ ン

Flash メ モ リ サイ ズ

6 = 32 Kbytes の Flash メ モ リ

8 = 64 Kbytes の Flash メ モ リ

B = 128 Kbytes の Flash メ モ リ

パ ッ ケージ

H = BGA

T = LQFP

U = VFQFPN

温度範囲

6 = イ ン ダス ト リ アル温度範囲、 -40 ~ +85 ℃

7 = イ ン ダス ト リ アル温度範囲、 -40 ~ +105 ℃

オプ シ ョ ン xxx = プ ログ ラ ミ ング済み製品

TR = テープ及び リ ール

オプ シ ョ ン (速度、 パ ッ ケージ、 その他) の リ ス ト や こ のデバイ スに関する詳 し い情報については、

お近 く の ST セールスオ フ ィ スに連絡 し て く だ さ い。

7.1 フ ァ ミ リ 製品の展開

STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンの今後の開発は大き な メ モ リ ・ サイ ズを必要 と し な

いア プ リ ケーシ ョ ン用に よ り 小 さ なサイ ズの Flash メ モ リ と SRAM を内蔵 し たデバイ スに

な り ます。

78/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

8 変更履歴

変更履歴

本書は、 「STM32F103x6/STM32F103x8/STM32F103xB Rev 8 (2008 年 7 月発行)」 を日本語

に翻訳 し た も のです。 次の表に本デー タ シー ト の改版履歴を示 し ます。

表 56.

日付

ド キ ュ メ ン ト 改版履歴

2007 年 6 月 1 日 1

2007 年 7 月 20 日 2

変更点

初版

注 6

注 4

注 7

注 8

の Flash メ モ リ のサイ ズを変更 と

表 4: ピ ン

の定義

へ BGA100 ピ ン を追加。 図 3: STM32F103xx パフ ォ ーマ ン

ス ・ ラ イ ン BGA100 ボール配置

を追加。

図 19: 低速外部ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ング図 の T

HSE

を T

LSE

へ変更。

電源供給

の V

BAT

範囲を更新。

表 21: HSE 4 ~ 16 MHz オシ レー タ 特性

更。

表 23: HSI オシ レー タ 特性

の I

DD(HSI)

の t

SU(LSE)

を t

SU(HSE)

へ変

最大値を追加。

静電気放電 (ESD:Electrostatic discharge) のサン プル数を更新 し 、

マシーン ・ モデルを削除。

静的ラ ッ チア ッ プ のパーツ数を更新 し 、 標準参照を更新。

表 32: 静

電気感度

の 25 ℃ と 85 ℃条件を削除及び ク ラ ス名を更新。

表 33:

I/O 静的特性

ン特性

の R

PU

図 24: I

2

の R

PU

と R

PD

最小値 と 最大値を追加。

最小値 と 最大値を追加。

表 36: NRST ピ

C バス AC 波形 と 測定回路

図 23: NRST ピ ン保護のため

の推奨条件

を訂正。

表 8 、

表 36 、

表 42

の注を削除。

表 11 : Run 及び SLEEP モー ド の最大消費電流

の I

DD

更。

表 37: TIMx 特性 を更新。

標準値を変

表 44: ADC 特性

に t

STAB

、 V

REF+

value、 t lat

、 f

TRIG

を追加。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間

る標準書き換え回数 と 保持期間を追加 し 、 T

A

デー タ 保持期間を削除。

の T

A

= 85 ℃におけ

= 25 ℃についての

表 11: 内部基準電圧

ルを変更。

の V

BG

を V

REFINT

へ変更。 ド キ ュ メ ン ト タ イ ト

CAN (Controller area network)

のセ ク シ ョ ン を更新。

図 11: 電源供給図

を更新。

特長 (1 ページ)

の リ ス ト を変更。 一部の文字、 文章を変更。

Rev8- 日本語版

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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。

参考資料

変更履歴 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 56.

日付

ド キ ュ メ ン ト 改版履歴

2007 年 10 月 18 日

3

変更点

(

STM32F103CBT6、 STM32F103T6、 STM32F103T8 のパーツ名を追加

表 2: デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラル (STM32F10xxx 中容量パ

フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン)

を参照 )。

VFQFPN36 パ ッ ケージ を追加 (

セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性

を参

照 )。 すべてパ ッ ケージは ECOPACK ®準拠を追加。 すべてのパ ッ

ケージ ・ デー タ のイ ン チ (inch) 値は ミ リ メ ー タ (mm) から 変換

で小数第 4 位で繰上げを追加。 (

セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性

を参

照 )

表 4: ピ ンの定義

の更新 と 新たに定義。

表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間

を更新。

表 11: 内部基準電圧

の T

A

最小値を訂正。

表 21: HSE 4 ~ 16 MHz オシ レー タ 特性

注 2

を追加。

V

ESD(CDM)

の値を

表 31: ESD 絶対最大定格

に追加。

表 34: 出力電圧特性

注 3

を追加 と V

OH

表 35: I/O AC 特性 の

注 1 を更新。

パ ラ メ ー タ の詳細を更新。

式 1

表 45: f

ADC

ADC 特性

に追加。

= 14 MHz の R

AIN

最大値

セ ク シ ョ ン 5.3.17: 12bit

表 44: ADC 特性

に V

値及び注を更新 し 、 t

AIN

、 t

S latr

最大値、 t

CONV

、 V

REF+

を追加。

最小値、 t lat

最大

図 29: ADC 精度特性

更新。

図 30: ADC を使用する一般的な接続図

の 注 1 を更新。

静電気放電

(ESD

Electrostatic discharge )

(51 ページ)

を更新。

図 1: STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク図 の TIM4

チ ャ ネル数を更新。

表 12

表 13

表 14

の最大消費電流の更新。

表 33: I/O 静的特性

V hys

の更新。

表 47: ADC 精度

を更新。 表 9: パワーア ッ プ / パワーダウン時の動

作条件

の t

VDD

を更新。 V

FESD

の値を

表 29: EMS 特性

に追加。

表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間

の値を修正、 注 2 を更

新、 注 3 を削除。

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

V

DD

/V

BAT

= 2.4 V について標準値を追加、

注 2

を更新

表 21 : Stanby モー ド の標準電流

を追加。

チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラル

電流 (42 ページ)

を追加。

表 23: HSI オシ レー タ 特性

の ACC

表 27: Flash メ モ リ 特性

に V prog

HSI

値を追加。

を追加。

図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ

の上位オプ シ ョ ン ・ バイ ト ・ ア ド レ ス を更

新。

表 24: LSI オシ レー タ 特性

に標準 f

LSI

値を追加 し 、 ド キ ュ メ ン ト 全

体の内部 RC 値を 32 か ら 40KH z に訂正。

T

S_temp

T

S_vrefint

表 48: TS 特性

に追加。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数

と 保持期間

の N

END

added to

を修正。

表 11: 内部基準電圧

汎用入出力特性 (52 ページ)

の未使用ピ ンの取 り 扱いを指定 し 、

すべの I/O は CMOS と TTL 互換を明記。

図 31: 電源供給 と デ カ ッ

プ リ ング (VREF+ を VDDA への接続な し )

を更新。

表 26: PLL 特性

か ら t

JITTER

と f

VCO

を削除。

付録 A: 重要事項 〔81 ページ)

を追加。

図 13

図 14

図 15

図 17

を追加

80/84 Rev8- 日本語版

こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 (以下、 「正規英語版資料」) を、 皆様のご理解の一助 と し て

頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し

ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 変更履歴

表 56.

日付

ド キ ュ メ ン ト 改版履歴

2007 年 11 月 22 日

4

変更点

ド キ ュ メ ン ト ・ ス テー タ ス を プ レ ミ ナ リ ・ デー タ か ら デー タ シー

ト へ変更。

STM32F103xx は USB 認定を追加。 一部の文字 と 文章を変更。

電源供給 (11 ページ)

を更新。

表 2: デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラ

ル (STM32F10xxx 中容量パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン)

STM32F103Tx について通信ペ リ フ ェ ラルの数を訂正 し 、 LQFP

パ ッ ケージの GPIO 数を訂正。

表 4: ピ ンの定義

の PC14 と PC15 について主機能 と デ フ ォル ト ・

オル タ ネー ト 機能を更新、 注 5 を追加、 再配置 コ ラ ムを追加。

表 5: 電圧特性

性 の

Note 1

の V

DD

を更新。

– V

SS

の定格 と

注 1

を更新。

注 1 表 6: 電流特

表 10: 内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク特性

のを

注 1

注 2

加。

表 13: RAM からのデー タ ・ プ ロ セス動作コ ー ド によ る Run モー ド

での最大消費電流

の 72MH z 時の I

DD

値を更新。

表 14: Flash または RAM からの コ ー ド 動作によ る SLEEP モー ド の

最大消費電流 (37 ページ) のペ リ フ ェ ラル ・ イ ネーブルで

72MH z 時の I

DD

値を更新。

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

の 2.4V

時の I

DD_VBAT

標準値を更新 し 、 I

DD_VBAT

最大値を追加。

表 16 (40

ページ) と

表 17 (41 ページ)

に注を追加。 表 18: ペ リ フ ェ ラル消

費電流

の ADC1 と ADC2 電流値 と 注を更新。

表 21

表 22

それぞれの t

SU(HSE)

と t

SU(LSE)

条件を更新。

表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間

か ら最大値を削除。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間

の t

RET

図 11: 電源供給図

を訂正。

条件を更新。

図 16: V

DD

= 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド のレギ ュ レー タ 付

STOP モー ド 消費電流 対 温度

を追加。

図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と CPHA = 0

の注を削

除。

図 26: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と CPHA = 1

(1)

注を追加。

汎用入出力特性 (52 ページ)

か ら未使用ピ ンの詳細を削除。

表 40: SPI 特性

を更新。

表 41: USB ス タ ー ト ア ッ プ時間

を追加。

表 44: ADC 特性

の V

除。

AIN

、 t lat and t latr

を更新 し 、 注を追加、 I lkg

を削

表 47: ADC 精度

のテ ス ト 条件を更新 と 注を追加。

表 45

表 48

の注を追加。

表 51: LQPF100、 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法

デー タ

表 52: LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外

形寸法デー タ

表 53: LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ

ケージ外形寸法デー タ

のイ ン チの値を修正。

表 54: 熱特性

へ VFQFPN36 パ ッ ケージの Θ

JA 値

値を追加。

セ ク シ ョ ン 7: 注文コ ー ド

の注文 コ ー ド を更新。

標準消費電流 (40 ページ)

の MCU 動作条件を更新。

表 48: TS 特

I2C イ ン タ フ ェ ース特性 (57 ページ)

の平均傾斜 と V

25

新。

を更

A.4: ADC 入力 0 の電圧グ リ ッ チ (81 ページ)

のイ ン ピーダ ン ス値

を定義。

Rev8- 日本語版

81/84

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参考資料

変更履歴 STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB

表 56.

日付

ド キ ュ メ ン ト 改版履歴

2008 年 3 月 14 日

2008 年 3 月 21 日

2008 年 5 月 22 日

5

6

7

変更点

図 2: ク ロ ッ ク構成図 (18 ページ)

を追加。

表 7: 熱特性 (32 ページ)

の T

J

最大値を追加。

CRC の特徴を追加。 ( CRC (cyclic redundancy check) 演算ユニ ッ ト

(9 ページ)

を参照 と ア ド レ スについては

図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ

(28 ページ)

を参照 )

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

の I

DD

更新。

表 23: HSI オシ レー タ 特性 (47 ページ)

の ACC

HSI

を更新 し 、 注 2

を削除。

表 27: Flash メ モ リ 特性 (48 ページ)

の P

D

、 T

A

、 T

J

を追加、 t prog

値を更新、 t prog

の詳細を定義。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間

の t

RET

を更新。

表 36: NRST ピ ン特性 (55 ページ)

の V

NF(NRST)

単位を訂正。

表 40: SPI 特性 (59 ページ)

を更新。

表 44: ADC 特性 (63 ページ) に I

VREF

を追加。

表 46: ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件

を追加。

表 47: ADC 精度

を更新。

LQFP100 パ ッ ケージ仕様を更新 (

(68 ページ)

を参照 )。

セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性

LQFP100、 LQFP 64、 LQFP48 、 VFQFPN36 の推奨フ ッ ト プ リ ン ト

を追加 (

図 38

図 40

図 42

図 34

を参照 )。

セ ク シ ョ ン 6.2: 熱特性 (75 ページ) を更新、 セ ク シ ョ ン 6.2.1

ク シ ョ ン 6.2.2

を追加。

付録 A: 重要事項 (81 ページ) 削除。

図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ

の一部の文字 と 文章を定義。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間

について :

– N

END

の全温度範囲以上のテス ト

– t

RET

についてのサイ ク ル数条件を定義

– T

A

= 55 ℃の t

RET

最小値を更新

表 48: TS 特性 の V

25

、 平均傾斜、 T

L

を更新。

CRC の特徴を削除。

CRC の特徴を追加 し 、 一部の文字 と 文章を変更。 セ ク シ ョ ン 1: は

じ めに

を更新。

セ ク シ ョ ン 2.2: フ ァ ミ リ と し ての完全互換

を追加。

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 (38 ペー

ジ)

に T

A

max = 105 ℃の I

DD

を追加。

表 21 : Stanby モー ド の標準消費電流 (47 ページ)

から I

DD_VBAT

削除。

表 39: SCL 周波数 (f

PCLK1

= 36 MHz.、 V

DD

= 3.3 V) (58 ペー

ジ)

に値を追加。

図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と

CPHA = 0 (60 ページ)

を更新。

式 1

を訂正。

表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間 (49 ページ)

の T

A

=

105 ℃における t

表 42: USB DC 電気特性 (61 ページ)

に V

図 43: LQFP100 P

RET

D

を更新。

最大値   対 T

A

USB

を追加。

(77 ページ)

を更新。

表 55: 注文コ ー ド (78 ページ)

に Axx オプ シ ョ ン を追加。

82/84 Rev8- 日本語版

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参考資料

STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB 変更履歴

表 56.

日付

ド キ ュ メ ン ト 改版履歴

2008 年 7 月 21 日

8

変更点

電源供給監視 を更新 し

表 8: 一般的な動作条件

に V

DDA

図 11: 電源供給図 (30 ページ)

の コ ンデンサを変更。

を追加。

セ ク シ ョ ン 5: 電気的特性

の表注を更新。

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

を更新。

表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流

へデー

タ を追加 し 、

表 21 : Stanby モー ド の標準消費電流

を削除。

表 19: 高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク特性 (43 ページ) の f

HSE_ext

新。

表 26: PLL 特性 (48 ページ)

の f

PLL_IN

表 38: I

2

を更新。

を更

C 特性 (57 ページ) から 高速モー ド について SDA と SCL

の最小立下 り 時間を削除 し 、 注 1 を更新。

表 40: SPI 特性 (59 ページ)

図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レー

ブ ・ モー ド と CPHA = 0 (60 ページ)

の t h(NSS)

を更新。

表 44: ADC 特性 (63 ページ) の C

ADC

用する一般的な接続図

を更新。

を更新及び

図 30: ADC を使

標準 T

S_temp

の値を

表 48: TS 特性 (67 ページ) から 削除。

LQFP48 パ ッ ケージ仕様を更新 (

表 53

表 42

を参照 )、

セ ク シ ョ

ン 6: パ ッ ケージ特性

を更新。

Axx のオプ シ ョ ン を

表 55: 注文 コ ー ド (78 ページ)

から 削除。

一部の文字 と 文章を更新。

2008 年 7 月

8

日本語版

「STM32F103x6/STM32F103x8/STM32F103xB Rev 8 (2008 年

7 月発行)」 翻訳版発行

Rev8- 日本語版

83/84

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すべての ST 製品は ST の販売条件に従っ て販売 さ れます。

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の選択並びに使用に関 し て ST は一切の責任を負いません。

本書は、 明示 さ れてい るか否かに関わ ら ず、 ま た禁反言に よ る と よ ら ずに関わ ら ず、 いかな る知的財産権の実施権を許諾する ための も の

ではあ り ません。 本書で第三者の製品も し く はサービ スに言及する場合、 そのよ う な言及は、 ST が当該第三者の製品、 サービ ス またはそ

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